EUV透过膜
    1.
    发明公开
    EUV透过膜 审中-实审

    公开(公告)号:CN118140177A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202280007294.3

    申请日:2022-09-15

    Abstract: 本发明提供EUV透过率及IR放射率均较高的EUV透过膜。该EUV透过膜为波长13.5nm处的EUV透过率为80.0%以上的EUV透过膜,其具备:波长2μm处的IR放射率为2.0%以上的主层、以及将主层的至少单面覆盖的波长2μm处的IR透过率为70%以上的保护层。

    光功能器件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100541269C

    公开(公告)日:2009-09-16

    申请号:CN200580032777.5

    申请日:2005-09-28

    CPC classification number: G02F1/035 G02F1/0508

    Abstract: 本发明涉及光功能器件。光功能器件具备:电介质基板(5);配置在电介质基板(5)上且由具有光电效果的材质构成的铁电体薄层(10);以及配置在该铁电体薄层(10)上的电极(3A、3B)。使铁电体薄层(10)的一部分作为光波导的芯(9)起作用,使电介质基板(5)作为光波导的金属包层起作用,光波导(9)在铁电体薄层(10)的至少深度方向D作为多模波导而构成。

    光波导器件以及行波型光学调制器

    公开(公告)号:CN101221296A

    公开(公告)日:2008-07-16

    申请号:CN200810001595.7

    申请日:2004-08-19

    Abstract: 本发明涉及光波导器件以及利用了它的行波型光学调制器。器件(4)具有电光学单晶基板(5)、光波导(2)以及调制电极(1A、1B、1C),电光学单晶基板(5)在由至少调制电极施加电场的区域(10)的厚度在30μm或其以下。通过使在形成光波导时产生的凸部的高度H(埃)和凸部的宽度W(μm)之积(H·W)在7150埃·μm或其以下,在光波导中传播的光能够形成单模。并且,在上述电场施加区域,上述光波导具有分支部,通过使上述分支部的上述光波导的间隔在46μm或其以上,能够使消光比曲线的峰和谷的起伏小至±5%以内。

    光波导器件
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1954249A

    公开(公告)日:2007-04-25

    申请号:CN200580015660.6

    申请日:2005-04-20

    CPC classification number: G02F1/2255 G02F1/0356 G02F2203/25

    Abstract: 本发明的光波导器件,通过第一接地电极(10)及信号电极(11)对第一分支部(3a)施加电压,通过第二接地电极(12A)及信号电极对第二分支部(3b)施加电压。在第一接地电极及信号电极之间形成第一间隙(13),在第二接地电极及信号电极之间形成第二间隙(14)。第一间隙及第二间隙分为电压施加部(13a、14a)、馈通部及连接部(13b、14b),且满足(G12/G11≤G22/G21<G32/G31)。其中,(G11)是连接部(13b)中的第一间隙的宽度,(G12)是连接部(14b)中的第二间隙的宽度,(G21)是连接部分一侧末端(13c)中的第一间隙的宽度,(G22)是连接部分一侧末端(14c)中的第二间隙的宽度,(G31)是电压施加部(13a)中的第一间隙的宽度,(G32)是电压施加部(14a)中的第二间隙的宽度。

    EUV透过膜
    6.
    发明公开
    EUV透过膜 审中-实审

    公开(公告)号:CN118076920A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202180055382.6

    申请日:2021-10-20

    Abstract: 本发明提供兼备实用水平高的EUV透过率和低压氢气氛环境下的耐久性的EUV透过膜。该EUV透过膜具备:由金属铍构成的主层、以及将主层的至少单面覆盖的由氮化铍构成的保护层。

    光功能器件
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101031842A

    公开(公告)日:2007-09-05

    申请号:CN200580032777.5

    申请日:2005-09-28

    CPC classification number: G02F1/035 G02F1/0508

    Abstract: 本发明涉及光功能器件。光功能器件具备:电介质基板(5);配置在电介质基板(5)上且由具有光电效果的材质构成的铁电体薄层(10);以及配置在该铁电体薄层(10)上的电极(3A、3B)。使铁电体薄层(10)的一部分作为光波导的芯(9)起作用,使电介质基板(5)作为光波导的金属包层起作用,光波导(9)在铁电体薄层(10)的至少深度方向D作为多模波导而构成。

    光波导器件以及行波型光学调制器

    公开(公告)号:CN1839336A

    公开(公告)日:2006-09-27

    申请号:CN200480023897.4

    申请日:2004-08-19

    Abstract: 本发明涉及光波导器件以及利用了它的行波型光学调制器。器件(4)具有电光学单晶基板(5)、光波导(2)以及调制电极(1A、1B、1C),电光学单晶基板(5)在由至少调制电极施加电场的区域(10)的厚度在30μm或其以下。通过使在形成光波导时产生的凸部的高度H(埃)和凸部的宽度W(μm)之积(H·W)在7150埃·μm或其以下,在光波导中传播的光能够形成单模。并且,在上述电场施加区域,上述光波导具有分支部,通过使上述分支部的上述光波导的间隔在46μm或其以上,能够使消光比曲线的峰和谷的起伏小至±5%以内。

    EUV透过膜
    9.
    发明公开
    EUV透过膜 审中-公开

    公开(公告)号:CN119790350A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202280005706.X

    申请日:2022-09-15

    Abstract: 本发明提供即便膜万一破损的情况下也不易产生颗粒的EUV透过膜。该EUV透过膜具备:主层,其由金属铍构成,且具有第一面及第二面;以及1对表面层,它们设置于主层的第一面及第二面,且包含选自氟化铍、氟氮化铍、氟氧化铍及氟氮氧化铍中的至少1种氟化物。

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