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公开(公告)号：CN104488087B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201380037776.4
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种钝化膜，其包含氧化铝、和选自由氧化钒及氧化钽组成的组中的至少1种钒族元素的氧化物，该钝化膜用于具有硅基板的太阳能电池元件。
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公开(公告)号：CN104508830A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380038106.4
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种钝化层形成用组合物，其包含通式(I)：M(OR1)m所表示的化合物、和选自由脂肪酸酰胺、聚亚烷基二醇化合物及有机填料组成的组中的至少1种。M包含选自由Nb、Ta、V、Y及Hf组成的组中的至少1种金属元素。R1分别独立地表示碳原子数为1～8的烷基或碳原子数为6～14的芳基。m表示1～5的整数。
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公开(公告)号：CN104488070A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380037755.2
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/316 , C09K3/00 , H01L21/312 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/02167 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种带钝化层的半导体基板的制造方法，其具有：在半导体基板上赋予包含下述通式(I)所表示的化合物的钝化层形成用组合物而形成组合物层的工序、和将上述组合物层在300℃～1000℃下进行热处理而形成钝化层的工序。M(OR1)m(I)[式中，M包含选自由Nb、Ta、V、Y及Hf组成的组中的至少1种金属元素，R1分别独立地表示碳原子数为1～8的烷基或碳原子数为6～14的芳基，m表示1～5的整数]。
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公开(公告)号：CN104508831B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201380038129.5
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022433 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池元件，其具有：具有受光面及与上述受光面相反侧的背面的半导体基板；配置于上述受光面的一部分且扩散有杂质的第1杂质扩散区域；配置于上述受光面且杂质浓度比第1杂质扩散区域低的第2杂质扩散区域；配置于上述第1杂质扩散区域的至少一部的受光面电极；配置于上述背面上的背面电极；和配置于上述受光面及背面中的至少一方的面上且包含选自Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2中的1种以上化合物的钝化层。
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公开(公告)号：CN104508831A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380038129.5
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022433 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/1864
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池元件，其具有：具有受光面及与上述受光面相反侧的背面的半导体基板；配置于上述受光面的一部分且扩散有杂质的第1杂质扩散区域；配置于上述受光面且杂质浓度比第1杂质扩散区域低的第2杂质扩散区域；配置于上述第1杂质扩散区域的至少一部的受光面电极；配置于上述背面上的背面电极；和配置于上述受光面及背面中的至少一方的面上且包含选自Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2中的1种以上化合物的钝化层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104471720A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380038209.0
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: C07F9/005 , C07F5/069 , C07F7/003 , H01L31/02013 , H01L31/02161 , H01L31/02168 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种包含通式(I)：M(OR1)m所示的化合物的钝化层形成用组合物。式(I)中，M包含选自Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少1种金属元素，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基，m表示1～5的整数。
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公开(公告)号：CN104471719A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380038176.X
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , C08G77/58 , C08K5/05 , C08L83/02 , C09D183/02 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的钝化层形成用组合物包含：至少一种通式(I)所示的烷醇盐；选白钛化合物、锆化合物及烷醇硅中的至少一种化合物；溶剂；和树脂。通式(I)中，M包含选白Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少一种金属元素。R1表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基。m表示1～5的整数。M(OR1)m (I)。
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公开(公告)号：CN104471716B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201380037854.0
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 在具有硅基板的太阳能电池元件中使用的钝化膜的构成为：包含氧化铝和氧化铌。另外，太阳能电池元件具备：由单晶硅或多晶硅形成的p型的硅基板1；在硅基板1的受光面侧形成的n型的杂质的扩散层2；在扩散层2的表面形成的第1电极5；在硅基板1的背面侧形成的第2电极6；和在硅基板1的背面侧的表面形成并具有多个开口部OA的包含氧化铝和氧化铌的钝化膜7；第2电极6按照通过多个开口部OA而与硅基板1的背面侧的表面形成电连接的方式构成。
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公开(公告)号：CN104488088B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201380037778.3
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02245 , H01L31/02167 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池元件，其包含：具有受光面及与上述受光面相反一侧的背面且在上述背面具有含有p型杂质的p型扩散区域及含有n型杂质的n型扩散区域的半导体基板、设置于上述半导体基板的背面的一部分或全部的区域中且含有选自由Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2o3及HfO2组成的组中的1种以上的钝化层、设置于上述p型扩散区域的至少一部分中的第一金属电极、和设置于上述n型扩散区域的至少一部分中的第二金属电极。
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公开(公告)号：CN104488089A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380038207.1
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18 , C23C18/12
CPC classification number: H01L31/1804 , C23C18/1216 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供包含通式(I)：M(OR1)m所示的化合物、填料、液状介质和树脂的钝化层形成用组合物。通式(I)中，M包含选自Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少1种金属元素。R1分别独立地表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基。m表示1～5的整数。
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