公开(公告)号：CN111032666A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201880054412.X

申请日：2018-08-28

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 田中彻 ,  海野雅史

IPC: C07F7/21

Abstract: 本发明提供一种倍半硅氧烷化合物的制造方法，其具有使下述通式(I)所示的化合物与下述通式(II)所示的化合物发生反应的工序，从而制造下述通式(III)所示的倍半硅氧烷化合物。下述通式(I)～(III)中，R1及R2各自独立地表示氢、碳数为1～8的烷基、碳数为6～14的芳基、氨基烷基、含氨基基团、含腈基基团、含乙烯基基团、含(甲基)丙烯酰基基团、含氯基基团、含溴基基团、或含有三氟化硼络合物化氨基的官能团，R3～R10各自独立地表示碳数为1～8的烷基或碳数为6～14的芳基，M表示选自氢、锂、钠、及钾中的至少1种元素。

公开(公告)号：CN104428901B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201380036463.7

申请日：2013-07-12

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  田中彻 ,  足立修一郎 ,  早坂刚

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 第一太阳能电池元件在半导体基板的受光面具有受光面电极，在背面具有背面电极及钝化层。第二太阳能电池元件在半导体基板的背面具有p型扩散区域、n型扩散区域及钝化层，在p型扩散区域上具有第一金属电极，在n型扩散区域上具有第二金属电极。第三太阳能电池元件在半导体基板的受光面具有第1杂质扩散层、第2杂质扩散层及受光面电极，在背面具有背面电极，在受光面及背面中的至少一个面具有钝化层。第一～第三太阳能电池元件中的钝化层含有氧化铝。

公开(公告)号：CN104508831B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201380038129.5

申请日：2013-07-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  田中彻 ,  足立修一郎 ,  早坂刚 ,  服部孝司 ,  松村三江子 ,  渡边敬司 ,  森下真年 ,  滨村浩孝

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池元件，其具有：具有受光面及与上述受光面相反侧的背面的半导体基板；配置于上述受光面的一部分且扩散有杂质的第1杂质扩散区域；配置于上述受光面且杂质浓度比第1杂质扩散区域低的第2杂质扩散区域；配置于上述第1杂质扩散区域的至少一部的受光面电极；配置于上述背面上的背面电极；和配置于上述受光面及背面中的至少一方的面上且包含选自Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2中的1种以上化合物的钝化层。

公开(公告)号：CN106024918A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610532491.3

申请日：2012-12-28

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 田中彻 ,  织田明博 ,  野尻刚 ,  吉田诚人

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  C08K5/56 ,  C09D101/28

CPC classification number: H01L31/02167 ,  C08K5/56 ,  C09D101/28 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种带钝化膜的半导体基板的制造方法，其包括：在半导体基板上形成电极的工序；在上述半导体基板的形成上述电极的面上赋予包含有机铝化合物的半导体基板钝化膜形成用组合物而形成组合物层的工序；和对上述组合物层进行加热处理而形成钝化膜的工序。

公开(公告)号：CN104508831A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380038129.5

申请日：2013-07-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  田中彻 ,  足立修一郎 ,  早坂刚 ,  服部孝司 ,  松村三江子 ,  渡边敬司 ,  森下真年 ,  滨村浩孝

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1864

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池元件，其具有：具有受光面及与上述受光面相反侧的背面的半导体基板；配置于上述受光面的一部分且扩散有杂质的第1杂质扩散区域；配置于上述受光面且杂质浓度比第1杂质扩散区域低的第2杂质扩散区域；配置于上述第1杂质扩散区域的至少一部的受光面电极；配置于上述背面上的背面电极；和配置于上述受光面及背面中的至少一方的面上且包含选自Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2中的1种以上化合物的钝化层。

公开(公告)号：CN104471720A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201380038209.0

申请日：2013-07-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 足立修一郎 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  田中彻 ,  织田明博 ,  早坂刚 ,  服部孝司 ,  松村三江子 ,  渡边敬司 ,  森下真年 ,  滨村浩孝

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: C07F9/005 ,  C07F5/069 ,  C07F7/003 ,  H01L31/02013 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种包含通式(I)：M(OR1)m所示的化合物的钝化层形成用组合物。式(I)中，M包含选自Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少1种金属元素，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基，m表示1～5的整数。

公开(公告)号：CN104471719A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201380038176.X

申请日：2013-07-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 足立修一郎 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  田中彻 ,  织田明博 ,  早坂刚 ,  服部孝司 ,  松村三江子 ,  渡边敬司 ,  森下真年 ,  滨村浩孝

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  C08G77/58 ,  C08K5/05 ,  C08L83/02 ,  C09D183/02 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的钝化层形成用组合物包含：至少一种通式(I)所示的烷醇盐；选白钛化合物、锆化合物及烷醇硅中的至少一种化合物；溶剂；和树脂。通式(I)中，M包含选白Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少一种金属元素。R1表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基。m表示1～5的整数。M(OR1)m (I)。

公开(公告)号：CN104040701B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201280066119.8

申请日：2012-12-28

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 田中彻 ,  织田明博 ,  野尻刚 ,  吉田诚人

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/312 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02167 ,  C08K5/56 ,  C09D101/28 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种带钝化膜的半导体基板的制造方法，其包括：在半导体基板上形成电极的工序；在上述半导体基板的形成上述电极的面上赋予包含有机铝化合物的半导体基板钝化膜形成用组合物而形成组合物层的工序；和对上述组合物层进行加热处理而形成钝化膜的工序。

公开(公告)号：CN104488069B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201380036945.2

申请日：2013-07-12

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 田中彻 ,  吉田诚人 ,  仓田靖 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  早坂刚

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/312 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02167 ,  C23C18/1216 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明的钝化层形成用组合物包含通式(I)所示的有机铝化合物和通式(II)所示的有机化合物。通式(I)中，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基。n表示0～3的整数。X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基。R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。

公开(公告)号：CN103503121A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280021239.6

申请日：2012-05-18

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  佐藤铁也 ,  田中彻

IPC: H01L21/312 ,  C08K3/00 ,  C08L25/18 ,  C08L27/12 ,  C08L71/10 ,  C08L101/02 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L23/293 ,  C08K3/22 ,  C08K3/28 ,  C08K3/34 ,  C08K5/05 ,  H01L23/3171 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L2924/0002

Abstract: 本发明提供一种用于形成半导体基板用钝化膜的材料，其包含具有阴离子性基团或阳离子性基团的高分子化合物。