公开(公告)号：CN1395726A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN01803727.5

申请日：2001-01-12

Applicant: 日立麦克赛尔株式会社

Inventor： 桐野文良 ,  稻叶信幸 ,  若林康一郎 ,  竹内辉明 ,  水村哲夫 ,  日永田晴美 ,  小沼刚 ,  神田哲典 ,  松沼悟 ,  曾谷朋子

IPC: G11B5/84 ,  G11B5/65 ,  G11B5/738 ,  G11B5/02 ,  C23C14/34

CPC classification number: G11B5/7325 ,  C23C14/081 ,  G11B5/012 ,  G11B5/656 ,  G11B5/66 ,  G11B5/8404 ,  G11B5/851 ,  G11B2005/0021

Abstract: 本发明的磁记录介质包括，在基板1上依次有MgO层2、第1控制层3、第2控制层4、磁性层5及保护层6。MgO层是采用ECR溅射法形成的，该层是六方晶系，在一定方位结晶定向。在MgO层上，采用与磁性层的晶格常数之差为5％以下的材料及组成，在MgO层上形成2层或以上的金属控制层。由于这些控制层的存在，反映MgO层结构的磁性层进行良好的外延生长，在磁性层中可以实现适于高密度记录的Co(11.0)。因此，提供一种可超过40Gbit/英寸2的超高密度记录的磁性记录介质。

公开(公告)号：CN101302612B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200710107405.5

申请日：2007-05-10

Applicant: 日立麦克赛尔株式会社

Inventor： 游佐敦 ,  野村善行 ,  水村哲夫 ,  大门英夫

IPC: C23C18/16 ,  C23C18/20 ,  B29C45/16 ,  F16J12/00 ,  B32B5/00

Abstract: 本发明提供一种聚合物部件的制造方法，其包括：制备在表面内部渗入金属微粒的聚合物基材；使上述聚合物基材接触加压二氧化碳而使聚合物基材的表面区域膨胀；在使上述聚合物基材的表面区域膨胀的状态下，使上述聚合物基材接触包含加压二氧化碳且具有引起施镀反应状态的化学镀液。通过该方法可以在各种聚合物基材的表面形成便宜且具有高密接强度的化学镀膜。

公开(公告)号：CN101398161A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810214480.6

申请日：2008-08-28

Applicant: 日立麦克赛尔株式会社

Inventor： 野村善行 ,  游佐敦 ,  阿野哲也 ,  大门英夫 ,  水村哲夫

IPC: F21V29/00 ,  F21V7/22 ,  F21S8/10 ,  F21V5/04 ,  F21W101/10 ,  F21Y101/02

Abstract: 本发明提供一种可发挥聚苯硫醚系树脂或聚酰胺系树脂的高耐热特性的散热构件、具有优异的散热特性的反射构件和照明单元。本发明的散热构件或反射构件10具有：由聚苯硫醚系树脂或聚酰胺系树脂构成的基材11；在基材11的表面上形成的含镍膜12；在含镍膜12上形成的含铜膜13。另外，本发明的照明单元1具有：该反射构件10；安装在反射构件10的基材11上的发光元件22；和安装在基材11上的透镜构件23，基材11的表面的金属膜12，13从发光元件22的安装部位至透镜构件23被连续地形成。

公开(公告)号：CN101302612A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200710107405.5

申请日：2007-05-10

Applicant: 日立麦克赛尔株式会社

Inventor： 游佐敦 ,  野村善行 ,  水村哲夫 ,  大门英夫

IPC: C23C18/16 ,  C23C18/20 ,  B29C45/16 ,  F16J12/00 ,  B32B5/00

Abstract: 本发明提供一种聚合物部件的制造方法，其包括：制备在表面内部渗入金属微粒的聚合物基材；使上述聚合物基材接触加压二氧化碳而使聚合物基材的表面区域膨胀；在使上述聚合物基材的表面区域膨胀的状态下，使上述聚合物基材接触包含加压二氧化碳且具有引起施镀反应状态的化学镀液。通过该方法可以在各种聚合物基材的表面形成便宜且具有高密接强度的化学镀膜。