公开(公告)号：CN1929927B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200580007572.1

申请日：2005-03-09

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 大野荣一 ,  夏日穣 ,  南方尚

IPC: B05D7/24 ,  H01L21/368 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

CPC classification number: C07B63/00 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供具有高移动度的有机半导体薄膜及其制造方法，以及用于该有机半导体薄膜通过湿法工艺制造的材料及其制造方法。另外，提供电子特性优良的有机半导体元件。把高纯度戊省与1，2，4-三氯苯的混合物加热，配制均匀溶液。把形成了作为源·漏电极的金电极图案的硅基板加热至100℃，在其表面展开戊省溶液。通过使1，2，4-三氯苯蒸发，形成戊省薄膜，制成晶体管。

公开(公告)号：CN1138309C

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：CN98804222.3

申请日：1998-03-19

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 笹山昌聪 ,  南方尚 ,  安形公一

IPC: H01M2/06 ,  H01M2/02

CPC classification number: H01M2/06 ,  H01M2/0275 ,  H01M6/12 ,  H01M10/0525

Abstract: 一种无水薄型电池，该电池具有一至少由内侧热塑性树脂层、中间金属箔层及外侧绝缘体层构成的三叠层袋状外壳，并满足以下两个条件：(α)上述袋状外壳的热熔融粘接区域中存在的中间金属箔层部分的宽度至少是该熔融区域中的内侧热塑性树脂层厚度的10倍，而且，在该外壳的外缘的表面上，至少在端子引出部位的周围部分，具有预定深度的宽度方向上的切口部分；(β)至少在端子引出部位的周围部分，对外壳的外缘部分进行绝缘处理。

公开(公告)号：CN1929927A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200580007572.1

申请日：2005-03-09

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 大野荣一 ,  夏日穣 ,  南方尚

IPC: B05D7/24 ,  H01L21/368 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

CPC classification number: C07B63/00 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供具有高移动度的有机半导体薄膜及其制造方法，以及用于该有机半导体薄膜通过湿法工艺制造的材料及其制造方法。另外，提供电子特性优良的有机半导体元件。把高纯度戊省与1，2，4－三氯苯的混合物加热，配制均匀溶液。把形成了作为源·漏电极的金电极图案的硅基板加热至100℃，在其表面展开戊省溶液。通过使1，2，4－三氯苯蒸发，形成戊省薄膜，制成晶体管。

公开(公告)号：CN101108783A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710140774.4

申请日：2002-08-07

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 南方尚

IPC: C07C15/20 ,  C30B29/54 ,  C30B7/06 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0055 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/54 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明涉及一种适合于电子学、光学、生物电子学等的有机半导体薄膜及其制造方法。此外，涉及成为该有机半导体薄膜原料的有机半导体溶液。另外，涉及采用该有机半导体薄膜的有机半导体元件。本发明的晶体管，是通过在玻璃基板(5)上依次叠层栅电极(2)、绝缘体层(3)、源电极及漏电极(4，4)，进而，在其上面涂布戊省的邻二氯苯溶液(0.05质量％)，干燥，形成有机半导体薄膜(1)得到的。可低成本且容易地形成该有机半导体薄膜(1)，由于几乎无缺陷，所以本发明能够提供电子特性优良的晶体管。

公开(公告)号：CN101108783B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200710140774.4

申请日：2002-08-07

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 南方尚

IPC: C07C15/20 ,  C30B29/54 ,  C30B7/06 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0055 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/54 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明涉及一种适合于电子学、光学、生物电子学等的有机半导体薄膜及其制造方法。此外，涉及成为该有机半导体薄膜原料的有机半导体溶液。另外，涉及采用该有机半导体薄膜的有机半导体元件。本发明的晶体管，是通过在玻璃基板(5)上依次叠层栅电极(2)、绝缘体层(3)、源电极及漏电极(4，4)，进而，在其上面涂布戊省的邻二氯苯溶液(0.05质量％)，干燥，形成有机半导体薄膜(1)得到的。可低成本且容易地形成该有机半导体薄膜(1)，由于几乎无缺陷，所以本发明能够提供电子特性优良的晶体管。

公开(公告)号：CN100334263C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN02815611.0

申请日：2002-08-07

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 南方尚

IPC: C30B29/54 ,  C30B7/06 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0055 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/54 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明涉及一种适合于电子学、光学、生物电子学等的有机半导体薄膜及其制造方法。此外，涉及成为该有机半导体薄膜原料的有机半导体溶液。另外，涉及采用该有机半导体薄膜的有机半导体元件。本发明的晶体管，是通过在玻璃基板(5)上依次叠层栅电极(2)、绝缘体层(3)、源电极及漏电极(4，4)，进而，在其上面涂布戊省的邻二氯苯溶液(0.05质量%)，干燥，形成有机半导体薄膜(1)得到的。可低成本且容易地形成该有机半导体薄膜(1)，由于几乎无缺陷，所以本发明能够提供电子特性优良的晶体管。

公开(公告)号：CN1541288A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN02815611.0

申请日：2002-08-07

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 南方尚

IPC: C30B29/54 ,  C30B7/06 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0055 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/54 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明涉及一种适合于电子学、光学、生物电子学等的有机半导体薄膜及其制造方法。此外，涉及成为该有机半导体薄膜原料的有机半导体溶液。另外，涉及采用该有机半导体薄膜的有机半导体元件。本发明的晶体管，是通过在玻璃基板(5)上依次叠层栅电极(2)、绝缘体层(3)、源电极及漏电极(4，4)，进而，在其上面涂布戊省的邻二氯苯溶液(0.05质量％)，干燥，形成有机半导体薄膜(1)得到的。可低成本且容易地形成该有机半导体薄膜(1)，由于几乎无缺陷，所以本发明能够提供电子特性优良的晶体管。