公开(公告)号：CN106457063A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580014494.1

申请日：2015-03-17

Applicant: 莫纳什大学

Inventor： 程一兵 ,  乌多·巴赫 ,  里昂·斯皮西亚 ,  黄福志 ,  肖蔓达

IPC: B01D9/02 ,  H01L51/00 ,  C30B29/12 ,  C23C18/00

CPC classification number: H01G9/2009 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1258 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B7/06 ,  C30B7/14 ,  C30B19/106 ,  C30B28/04 ,  C30B29/12 ,  C30B29/54 ,  H01G9/2031 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0028 ,  H01L51/0032 ,  H01L51/4226 ,  H01L2031/0344 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种用于制备基板(104)上的紧密结合的非多孔钙钛矿层的方法，包括：在基板上形成包含溶解在溶剂中的钙钛矿材料的溶液的薄膜以在基板上形成溶液的液体膜(104)，将结晶剂(112)施加于该膜的表面以从该溶液沉淀钙钛矿结晶从而在基板上形成紧密结合的非多孔钙钛矿层(116)。

公开(公告)号：CN105586641A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201610018311.X

申请日：2016-01-12

Applicant: 山东大学

Inventor： 陶绪堂 ,  殷建

IPC: C30B29/54 ,  C30B7/00

CPC classification number: C30B29/54 ,  C30B7/005

Abstract: 本发明涉及甲胺卤化铅酸盐化合物单晶微米薄片生长方法及生长装置，生长方法包括步骤如下：(1)将CH3NH3PbX3(X＝Cl、Br、I)的极性有机溶液滴加到衬底上，随即压上与衬底相同材质的盖片，贴合后使溶液在衬底上铺展，得到生长体；(2)将生长体置于密封容器中，于40～70℃温度下，真空或惰性气氛中，生长3～20天，即得。生长装置包括控温生长装置和密闭装置，密闭装置设置在控温生长装置中，控温生长装置设置有抽真空装置及惰性气体进气装置。本发明所制备微米薄片为单晶，结构完整，表面平整，无晶界，中间体和缺陷。

公开(公告)号：CN104894645A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510259501.6

申请日：2007-11-09

Applicant: 莫门蒂夫性能材料股份有限公司

Inventor： 马克.P.德维林 ,  克里斯蒂.J.纳兰 ,  朴东实 ,  洪慧聪 ,  曹宪安 ,  拉里.Q.曾

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  C30B9/08 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12

CPC classification number: C30B7/005 ,  C30B7/105 ,  C30B9/08 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  C30B29/68

Abstract: 一种生长结晶组合物的方法，第一结晶组合物可包含镓和氮。结晶组合物可具有位于约3175cm-1处的红外吸收峰且单位厚度吸收率大于约0.01cm-1。在一种实施方案中，组合物具有小于约3×1018cm-3的氧浓度，且在第一结晶组合物的确定体积内可不含二维平面晶界缺陷。

公开(公告)号：CN103147129A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310078174.5

申请日：2007-11-09

Applicant: 莫门蒂夫性能材料股份有限公司

Inventor： 马克.P.德维林 ,  克里斯蒂.J.纳兰 ,  朴东实 ,  洪慧聪 ,  曹宪安 ,  拉里.Q.曾

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  C30B9/08 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12

CPC classification number: C30B7/005 ,  C30B7/105 ,  C30B9/08 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  C30B29/68

Abstract: 一种生长结晶组合物的方法，第一结晶组合物可包含镓和氮。结晶组合物可具有位于约3175cm-1处的红外吸收峰且单位厚度吸收率大于约0.01cm-1。在一种实施方案中，组合物具有小于约3×1018cm-3的氧浓度，且在第一结晶组合物的确定体积内可不含二维平面晶界缺陷。

公开(公告)号：CN101346306B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200680049071.4

申请日：2006-10-27

Applicant: 纳米技术有限公司

Inventor： 奈杰尔·皮克特

IPC: C01B19/00 ,  C01B17/20 ,  H01L29/12

CPC classification number: C01B19/007 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B17/20 ,  C01B19/002 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C01P2004/84 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  H01L29/127 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2993 ,  Y10T428/2995 ,  Y10T428/2996

Abstract: 本发明提供一种制备纳米粒子的方法，该方法包括实现纳米粒子前体组合物向纳米粒子材料的转化，前体组合物包含含有被结合到生长的纳米粒子中的第一离子的第一前体物种以及含有被结合到生长的纳米粒子中的第二离子的第二前体物种，所述转化是在分子簇化合物的存在下，在允许所述纳米粒子的接种和生长的条件下实现的，其中所述方法包括：在第一温度，将分子簇化合物以及纳米粒子前体组合物的初始部分分散在合适的分散介质中，所述初始部分少于用于制备所述纳米粒子的纳米粒子前体组合物的总量；将包含所述簇化合物和前体组合物的分散介质的温度升高至第二温度，第二温度足以引发纳米粒子在所述分子簇化合物的分子簇上的接种和生长；以及将所述纳米粒子前体组合物的一个或多个另外部分加入到包含生长的纳米粒子的分散介质中，其中在加入所述纳米粒子前体组合物的所述部分或每一个另外部分之前、之中和/或之后，将包含生长的纳米粒子的分散介质的温度升高。

公开(公告)号：CN1969067B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN200580019599.2

申请日：2005-07-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B19/04 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B9/06 ,  C30B13/02 ,  C30B29/403

Abstract: 提供一种制造III族氮化物单晶体的方法，由此提高源材料产量和增加晶体生长速率。一种III族氮化物单晶体制造方法，其中在衬底(1)和III族氮化物源材料衬底(2)之间形成200μm以下厚度的液体层(3)，以及在衬底(1)的液体层侧面上的表面(1s)上生长III族氮化物单晶体(4)。在此，液体层侧面上的至少表面层(1a)中的衬底(1)可以由III族氮化物单晶体形成，而III族氮化物源材料衬底(2)可以由III族氮化物多晶体形成。而且，液体层侧面上的至少表面层(1a)中的衬底(1)和III族氮化物源材料衬底(2)可以由III族氮化物单晶体形成，而衬底(1)的液体层侧面上的表面(1s)可以被制成III族原子表面，以及III族氮化物源材料衬底(2)的液体层侧面上的表面(2s)可以被制成氮原子表面。

公开(公告)号：CN100582320C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200610130120.9

申请日：2006-12-13

Applicant: 天津大学

Inventor： 靳正国 ,  余可 ,  刘晓新

IPC: C30B7/00 ,  C30B28/04 ,  C30B29/16 ,  C30B29/62 ,  C23C18/00 ,  C01G9/02

CPC classification number: C30B7/005

Abstract: 本发明公开了一种制备不同微观形貌的氧化锌薄膜的方法，步骤为：(一)水溶液二步生长工艺①衬底表面晶种层的制备；②生长液中取向晶生长；(二)原位二次调节pH值：使用硝酸二次调节生长液pH值至9.8，得到ZnO管状晶阵列薄膜；或者使用25%氨水二次调节生长液pH值至9.2，得到表面绒毛状棒晶。本发明通过对水溶液pH值的原位二次调节的简单途径，完成了ZnO薄膜的微观形貌转变，可实现管状晶和表面绒毛状棒晶的制备。

公开(公告)号：CN100550543C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN03815007.7

申请日：2003-06-26

Applicant: 阿莫诺公司

Inventor： 罗伯特·德维林斯基 ,  勒曼·多拉津斯基 ,  耶日·加尔钦斯基 ,  莱谢克·P·谢尔斯普托夫斯基 ,  神原康雄

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/16 ,  H01S5/343

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B7/005 ,  C30B9/00 ,  C30B29/406 ,  H01S5/0281 ,  H01S5/164 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体激光装置，其在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间具备包含半导体活性层的共振器光放射端面上的窗口层，电共振器的放射发出端面至少具有比活性层更宽的能隙，为防止损伤电活性层，被在低温下形成的包含通式AIxGa1-x-yInyN所示单晶氮化物，此时0≤x+y≤1，0≤x≤1且0≤y≤1，特别包含通式AIxGa1-xN(0≤x≤1)所示氮化物的电窗口层覆盖。上述窗口层的形成显著提高本发明中氮化物激光装置的功能。

公开(公告)号：CN100474511C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200380109711.2

申请日：2003-12-22

Applicant: 莫门蒂夫性能材料股份有限公司

Inventor： 马克·P·德维林 ,  朴东实 ,  史蒂文·F·莱博厄夫 ,  拉里·B·罗兰 ,  克里斯蒂·J·纳兰 ,  洪慧聪 ,  彼得·M·桑维克

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/40 ,  C30B9/12

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

Abstract: 一种器件，其包括至少一个设置在由氮化镓构成的单晶衬底上的外延半导体层，该氮化镓衬底的位错密度小于大约104cm-2、并且基本上没有倾斜边界并且氧杂质水平低于1019cm-3。该电子装置可以是比如发光二极管(LED)和激光二极管(LD)应用的发光应用形式，并且可以是这样的器件：GaN基晶体管、整流器、晶闸管和共射共基开关等。还提供了一种形成由氮化镓构成的单晶衬底的方法，该氮化镓衬底的位错密度小于大约104cm-2、并且基本上没有倾斜边界以及氧杂质水平低于1019cm-3，以及同质外延形成至少一个在衬底上的半导体层以及电子器件。

公开(公告)号：CN101108783A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710140774.4

申请日：2002-08-07

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 南方尚

IPC: C07C15/20 ,  C30B29/54 ,  C30B7/06 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0055 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/54 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明涉及一种适合于电子学、光学、生物电子学等的有机半导体薄膜及其制造方法。此外，涉及成为该有机半导体薄膜原料的有机半导体溶液。另外，涉及采用该有机半导体薄膜的有机半导体元件。本发明的晶体管，是通过在玻璃基板(5)上依次叠层栅电极(2)、绝缘体层(3)、源电极及漏电极(4，4)，进而，在其上面涂布戊省的邻二氯苯溶液(0.05质量％)，干燥，形成有机半导体薄膜(1)得到的。可低成本且容易地形成该有机半导体薄膜(1)，由于几乎无缺陷，所以本发明能够提供电子特性优良的晶体管。