公开(公告)号：CN103805202A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310753209.0

申请日：2011-01-14

Applicant: 旭化成电子材料株式会社

Inventor： 中川义清 ,  中田卓人 ,  三田村哲理

IPC: C09K13/06

CPC classification number: C09K13/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32134

Abstract: 使用作为热反应型抗蚀剂材料的铜的氧化物在激光下曝光的时候，能选择性的蚀刻曝光、未曝光部分的氧化铜用蚀刻液以及使用其进行蚀刻的方法。本发明的氧化铜用蚀刻液，其特征在于，选择性蚀刻以铜的氧化物作为主成分的氧化铜含有层中的氧化数不同的氧化铜，至少含有螯合剂或其盐。

公开(公告)号：CN103946748A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280057187.8

申请日：2012-11-16

Applicant: 旭化成电子材料株式会社

Inventor： 三田村哲理 ,  中田卓人

IPC: G03F7/075 ,  B29C33/38 ,  B29C59/02 ,  G03F7/004 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/38 ,  B29C33/3857 ,  B29C33/424 ,  B29C59/022 ,  B29C2059/023 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C04B35/45 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0017 ,  G03F7/0043 ,  G03F7/32 ,  G03F7/322 ,  G11B7/14 ,  G11B7/261

Abstract: 一种热反应型抗蚀剂材料，含有氧化铜以及硅或氧化硅，所述热反应型抗蚀剂材料中的所述硅或氧化硅的含量以硅的摩尔量计为4.0mol％以上、不足10.0mol％。使用该热反应型抗蚀剂材料形成热反应型抗蚀层，将该热反应型抗蚀层曝光后在显影液中显影。以得到的热反应型抗蚀层作为掩膜，基材在氟利昂气体下进行干蚀刻，制得基材表面具有凹凸形状的模具。此时，可以控制由凹凸形状构成的微细图案。

公开(公告)号：CN102753651B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201180009575.4

申请日：2011-01-14

Applicant: 旭化成电子材料株式会社

Inventor： 中川义清 ,  中田卓人 ,  三田村哲理

IPC: H01L21/302

CPC classification number: C09K13/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32134

Abstract: 提供：使用作为热反应型抗蚀剂材料的铜的氧化物在激光下曝光的时候，能选择性的蚀刻曝光、未曝光部分的氧化铜用蚀刻液以及使用其进行蚀刻的方法。本发明的氧化铜用蚀刻液，其特征在于，选择性蚀刻以铜的氧化物作为主成分的氧化铜含有层中的氧化数不同的氧化铜，至少含有螯合剂或其盐。

公开(公告)号：CN103649271A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280030891.4

申请日：2012-06-27

Applicant: 旭化成电子材料株式会社

Inventor： 中田卓人 ,  中川义清

IPC: C09K13/06 ,  G03F7/004 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

CPC classification number: C23F1/16 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C23F1/18 ,  G03F7/0043 ,  G03F7/32 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明提供使用铜的氧化物作为热反应型抗蚀剂材料、以激光曝光时，可选择性地蚀刻曝光·未曝光部的氧化铜用蚀刻液、蚀刻速度的控制方法、以及使用了其的蚀刻方法。本发明的蚀刻液是用于从含有价数不同的氧化铜的氧化铜含有层中选择性地除去特定价数的氧化铜的氧化铜蚀刻液，其特征在于，至少含有氨基酸、螫合剂和水，氨基酸的重量比例多于螯合剂，且其pH在3.5以上。