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公开(公告)号：CN104076600A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410290520.0
申请日：2009-01-23
Applicant: 旭化成电子材料株式会社
IPC: G03F7/00
CPC classification number: B29C33/424 , B29C33/3842 , B29C33/56 , B29K2833/04 , B29K2905/00 , B41C1/05 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C14/3407 , G03F7/0002 , H01J2237/281
Abstract: 本发明的无缝塑模的制造方法具备在套筒形状的塑模上形成热反应型抗蚀剂层的工序和通过使用激光对所述热反应型抗蚀剂层进行曝光显影形成微细的塑模图样的工序，其特征是，所述热反应型抗蚀剂层由在上述激光点径的光强度分布中，具有在规定的光强度以上进行反应的特性的热反应型抗蚀剂所构成。
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公开(公告)号：CN104067171A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201380006584.7
申请日：2013-01-24
Applicant: 旭化成电子材料株式会社
Inventor： 三田村哲理
IPC: G03F7/004 , B29C33/38 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: B29C33/3842 , B29C33/38 , B29C33/42 , B29C59/002 , B29K2905/06 , B29L2031/757 , B81C99/0085 , C09K13/00 , C23F1/00 , G03F7/0002 , G03F7/04 , G03F7/0755 , H01L21/0337 , Y10T428/24612
Abstract: 微细凹凸结构体(10)具备蚀刻层(11)和设置于前述蚀刻层(11)上的由干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料构成的抗蚀剂层(12)，与形成于前述抗蚀剂层(12)上的开口部(12a)对应的凹凸结构形成于蚀刻层(11)中，凹凸结构的微细图案的图案间距P为1nm以上10μm以下，微细图案的图案深度H为1nm以上10μm以下，并且，微细图案的图案截面形状为梯形或三角形或者它们混合存在。干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料以选自由Cu、Nb、Sn和Mn、它们的氧化物和氮化物以及NiBi所组成的组中的至少1种为主要构成要素。
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公开(公告)号：CN103946748A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280057187.8
申请日：2012-11-16
Applicant: 旭化成电子材料株式会社
CPC classification number: G03F7/38 , B29C33/3857 , B29C33/424 , B29C59/022 , B29C2059/023 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C04B35/45 , G03F7/0002 , G03F7/0017 , G03F7/0043 , G03F7/32 , G03F7/322 , G11B7/14 , G11B7/261
Abstract: 一种热反应型抗蚀剂材料，含有氧化铜以及硅或氧化硅，所述热反应型抗蚀剂材料中的所述硅或氧化硅的含量以硅的摩尔量计为4.0mol％以上、不足10.0mol％。使用该热反应型抗蚀剂材料形成热反应型抗蚀层，将该热反应型抗蚀层曝光后在显影液中显影。以得到的热反应型抗蚀层作为掩膜，基材在氟利昂气体下进行干蚀刻，制得基材表面具有凹凸形状的模具。此时，可以控制由凹凸形状构成的微细图案。
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公开(公告)号：CN102187276B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200980141352.6
申请日：2009-10-13
Applicant: 旭化成电子材料株式会社
CPC classification number: G11B7/261 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明的热反应型抗蚀剂材料的特征在于，元素的氟化物的沸点在200℃以上。据此可以实现一种热反应型抗蚀剂材料，其对为形成槽深度深的图案用氟碳系气体进行的干蚀刻具有很高的耐性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103151053B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310011760.8
申请日：2009-10-13
Applicant: 旭化成电子材料株式会社
CPC classification number: G11B7/261 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明的热反应型抗蚀剂材料的特征在于，元素的氟化物的沸点在200℃以上。据此可以实现一种热反应型抗蚀剂材料，其对为形成槽深度深的图案用氟碳系气体进行的干蚀刻具有很高的耐性。
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公开(公告)号：CN103123443B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201310051617.1
申请日：2009-10-13
Applicant: 旭化成电子材料株式会社
CPC classification number: G11B7/261 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明的热反应型抗蚀剂材料的特征在于，元素的氟化物的沸点在200℃以上。据此可以实现一种热反应型抗蚀剂材料，其对为形成槽深度深的图案用氟碳系气体进行的干蚀刻具有很高的耐性。
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公开(公告)号：CN103805202A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310753209.0
申请日：2011-01-14
Applicant: 旭化成电子材料株式会社
IPC: C09K13/06
CPC classification number: C09K13/00 , B82Y40/00 , H01L21/0337 , H01L21/32134
Abstract: 使用作为热反应型抗蚀剂材料的铜的氧化物在激光下曝光的时候，能选择性的蚀刻曝光、未曝光部分的氧化铜用蚀刻液以及使用其进行蚀刻的方法。本发明的氧化铜用蚀刻液，其特征在于，选择性蚀刻以铜的氧化物作为主成分的氧化铜含有层中的氧化数不同的氧化铜，至少含有螯合剂或其盐。
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公开(公告)号：CN104205370A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380018450.7
申请日：2013-03-29
Applicant: 旭化成电子材料株式会社
Abstract: 光学基板(1)在表面设置有凹凸结构(12)，所述凹凸结构(12)包括独立的多个凸部(131～134)以及设置于各凸部(131～134)之间的凹部(14)。凹凸结构(12)的相邻的凸部(131～134)间的平均间隔Pave满足50nm≤Pave≤1500nm，且具有相对于平均凸部高度Have满足0.6Have≥hn≥0的凸部高度hn的凸部(133)以满足1/10000≤Z≤1/5的概率Z存在。若将光学基板(1)用于半导体发光元件中的话，通过使半导体层中的位错分散化并降低位错密度，能够改善内量子效率IQE，且利用光散射消除波导模式来提高光提取效率LEE，提高半导体发光元件的发光效率。
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公开(公告)号：CN102753651B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201180009575.4
申请日：2011-01-14
Applicant: 旭化成电子材料株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: C09K13/00 , B82Y40/00 , H01L21/0337 , H01L21/32134
Abstract: 提供：使用作为热反应型抗蚀剂材料的铜的氧化物在激光下曝光的时候，能选择性的蚀刻曝光、未曝光部分的氧化铜用蚀刻液以及使用其进行蚀刻的方法。本发明的氧化铜用蚀刻液，其特征在于，选择性蚀刻以铜的氧化物作为主成分的氧化铜含有层中的氧化数不同的氧化铜，至少含有螯合剂或其盐。
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