-
公开(公告)号：CN1124494C
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN98802893.X
申请日：1998-02-27
Abstract: 一种带信号处理电路的磁传感器，它具有由化合物半导体薄膜或磁性薄膜构成的磁传感器部分(4)、以及将用该磁传感器部分(4)检测的作为电气输出的磁信号放大的信号处理电路(5)，上述信号处理电路(5)具有运算放大电路(51)、以及反馈用的恒流电路(52)。信号处理电路(5)中的恒流电路(52)包括具有两种以上不同温度系数的多个电阻，上述恒流电路输出的电流有与该多个电阻的组合电阻所具有的温度系数成反比的温度系数。
-
公开(公告)号：CN1249038A
公开(公告)日：2000-03-29
申请号：CN98802893.X
申请日：1998-02-27
Abstract: 一种带信号处理电路的磁传感器,它具有由化合物半导体薄膜或磁性薄膜构成的磁传感器部分(4)、以及将用该磁传感器部分(4)检测的作为电气输出的磁信号放大的信号处理电路(5),上述信号处理电路(5)具有运算放大电路(51)、以及反馈用的恒流电路(52)。信号处理电路(5)中的恒流电路(52)包括具有两种以上不同温度系数的多个电阻,上述恒流电路输出的电流有与该多个电阻的组合电阻所具有的温度系数成反比的温度系数。
-
公开(公告)号：CN1185723C
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN99810419.1
申请日：1999-08-06
Applicant: 旭化成株式会社
CPC classification number: G01R33/09 , G01R33/06 , H01L43/10 , Y10T428/11
Abstract: 在衬底(1)上边形成一种电子浓度大于2×1016/cm3且具有InxGa1-xAsySb1-y(0＜x≤1，0≤y≤1)的组分的薄膜(2)。采用设定薄膜(2)的组分和向薄膜(2)内掺进施主原子的办法降低了电阻的温度依赖性。借助于此，提供具有小的器件电阻的温度依赖性和高灵敏度的磁传感器。
-
公开(公告)号：CN101601148B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200780043980.1
申请日：2007-11-29
Applicant: 旭化成株式会社
CPC classification number: H01L29/201 , G01R33/07 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/0262 , H01L43/065 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , H01L43/14 , Y10T428/12681
Abstract: 涉及实现具有作为InAsSb工作层的高电子迁移率和薄板阻抗的薄膜导电层的薄膜积层体和使用其的薄膜磁传感器及其制造方法。提供一种薄膜积层体，其特征在于，具有：设置在基板上的AlxIn1-xSb混晶层和与该AlxIn1-xSb层上直接接触设置的InAsxSb1-x(0＜x≤1)薄膜导电层，上述AlxIn1-xSb混晶层是与上述InAsxSb1-x薄膜导电层相比显示高阻抗或绝缘性、或p型传导性的层，且，能带隙比上述InAsxSb1-x薄膜导电层大、晶格失配(mismatch)为+1.3％～-0.8％。
-
公开(公告)号：CN101351902A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200680049524.3
申请日：2006-12-27
Applicant: 旭化成株式会社
CPC classification number: G01R33/06 , H01L43/065 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L43/14
Abstract: 本发明涉及可高灵敏度地直接检测出磁通量密度，且可用于消耗电力和消耗电流较小的微小型InSb薄膜磁传感器的薄膜层压体以及InSb薄膜磁传感器。是将InSb薄膜作为磁传感部、或磁场检测部的InSb薄膜磁传感器。具备有：作为形成于基板(1)上的InSb薄膜的InSb动作层(3)、电阻高于该InSb动作层(3)或显示出绝缘性或p型传导性、能带隙大于InSb的AlxGayIn1－x－ySb混合晶层(0≤x、y≤1)(2)。混合晶层(2)设置于基板(1)和InSb动作层(3)之间，Al与Ga的原子含有率(x+y)在5.0％至17％的范围(0.05≤x+y≤0.17)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101601148A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200780043980.1
申请日：2007-11-29
Applicant: 旭化成株式会社
CPC classification number: H01L29/201 , G01R33/07 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/0262 , H01L43/065 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , H01L43/14 , Y10T428/12681
Abstract: 涉及实现具有作为InAsSb工作层的高电子迁移率和薄板阻抗的薄膜导电层的薄膜积层体和使用其的薄膜磁传感器及其制造方法。提供一种薄膜积层体，其特征在于，具有：设置在基板上的AlxIn1－xSb混晶层和与该AlxIn1－xSb层上直接接触设置的InAsxSb1－x(0＜x≤1＝薄膜导电层，上述AlxIn1－xSb混晶层是与上述InAsxSb1－x薄膜导电层相比显示高阻抗或绝缘性、或p型传导性的层，且，能带隙比上述InAsxSb1－x薄膜导电层大、晶格失配(mismatch)为+1.3％～ －0.8％。
-
-
公开(公告)号：CN101351902B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200680049524.3
申请日：2006-12-27
Applicant: 旭化成株式会社
CPC classification number: G01R33/06 , H01L43/065 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L43/14
Abstract: 本发明涉及可高灵敏度地直接检测出磁通量密度，且可用于消耗电力和消耗电流较小的微小型InSb薄膜磁传感器的薄膜层压体以及InSb薄膜磁传感器。是将InSb薄膜作为磁传感部、或磁场检测部的InSb薄膜磁传感器。具备有：作为形成于基板(1)上的InSb薄膜的InSb动作层(3)、电阻高于该InSb动作层(3)或显示出绝缘性或p型传导性、能带隙大于InSb的AlxGayIn1-x-ySb混合晶层(0≤x、y≤1)(2)。混合晶层(2)设置于基板(1)和InSb动作层(3)之间，Al与Ga的原子含有率(x+y)在5.0％至17％的范围(0.05≤x+y≤0.17)。
-
公开(公告)号：CN100501881C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN02808818.2
申请日：2002-04-24
Applicant: 旭化成株式会社
CPC classification number: H01F41/0273 , B01J3/08 , B22F3/08 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/005 , H01F1/0596 , B22F2202/05 , B22F3/087 , B22F2201/05
Abstract: 通过使在具有菱形结晶或六方结晶结构的R-Fe-N-H系磁性材料粉末中含有氢，在磁场中或无磁场条件下形成粉末压块后，使用水中冲击波进行冲击压缩固化，产生具有冲击压缩的超高压剪切性、激活作用、短时间现象等特征，并将冲击压缩后的残余温度控制到R-Fe-N-H系磁性材料的分解温度(常压下约600℃)以下以防止分解，从而得到了以R-Fe-N-H系磁性材料为主成分的磁铁用固体材料。
-
公开(公告)号：CN1505821A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN02808818.2
申请日：2002-04-24
Applicant: 旭化成株式会社
CPC classification number: H01F41/0273 , B01J3/08 , B22F3/08 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/005 , H01F1/0596 , B22F2202/05 , B22F3/087 , B22F2201/05
Abstract: 通过使在具有菱形结晶或六方结晶结构的R－Fe－N－H系磁性材料粉末中含有氢，在磁场中或无磁场条件下形成粉末压块后，使用水中冲击波进行冲击压缩固化，产生具有冲击压缩的超高压剪切性、激活作用、短时间现象等特征，并将冲击压缩后的残余温度控制到R－Fe－N－H系磁性材料的分解温度(常压下约600℃)以下以防止分解，从而得到了以R－Fe－N－H系磁性材料为主成分的磁铁用固体材料。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.03 seconds)
