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公开(公告)号：CN1282978C
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200410055875.8
申请日：2004-08-05
Abstract: 本发明提供一种不需要高的元件精度和安装精度，并且制造、安装容易的小型输入装置。其中，控制电路基于两个霍尔元件(34、35)检测的信号来检测操作盘(52)的旋转方向，同时基于所述霍尔元件(34、35)的任何一个检测的信号来检测所述操作盘(52)的旋转量。
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公开(公告)号：CN1615551A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN03802291.5
申请日：2003-01-15
Applicant: 旭化成电子株式会社
IPC: H01L43/06 , H01L43/14 , G01R33/07 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/201 , G01R33/07 , H01L29/205 , H01L43/065 , H01L43/14
Abstract: 本发明提供化合物半导体叠层构造体、霍尔元件和霍尔元件的制造方法。可以稳定地提供电子迁移率和薄膜电阻高，并且温度特性优越的量子阱型化合物半导体的叠层体，因此，可以在工业上提供灵敏度高电力消耗低，并且温度特性也优越的霍尔元件。层叠由Al、Ga、In、As和P中至少2种元素和Sb构成的第1和第2化合物半导体层和InxGa1－xAsySb1－y(0.8≤x≤1.0，0.8≤y≤1.0)组成的化合物半导体的活性层，使第1和第2化合物半导体层中的每一个，与活性层比较，具有宽带隙和大于等于5倍的电阻值而进行成膜，将第1和第2化合物半导体层和活性层的晶格常数差都设定在0.0～1.2％的范围内，并将活性层的厚度设定在30～100nm的范围内，构成化合物半导体的叠层构造体。
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公开(公告)号：CN1545740A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN03800860.2
申请日：2003-04-18
Applicant: 旭化成电子株式会社
CPC classification number: G01R33/07 , H01L43/04 , H01L43/14 , H01L2224/97 , Y10T29/49021
Abstract: 提供一种磁电变换元件及其制造方法，该磁电变换元件极其薄型而且不破坏元件就能进行安装时的良好与否的判断、还能使安装面积小。基板(3)是非磁性基板，引线(10)形成了第一厚度的背面连接用电极和通过切断出现的第一厚度的侧面电极。另外，在灵敏度更高的霍尔元件的情况下，基板(4)是高磁导率磁性体基板，引线(10)形成了第一厚度的背面连接用电极和通过切断出现的第一厚度的侧面电极。引线(10)的第一厚度的背面连接用电极部横跨与第一厚度相邻的磁电变换元件的内部电极(8)，用相同的第一厚度形成，通过切断其中央，形成第一厚度的侧面电极。
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公开(公告)号：CN1529916A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN02807380.0
申请日：2002-07-25
Applicant: 旭化成电子株式会社
Inventor： 高冢俊德
CPC classification number: G01R33/07 , H01L43/065
Abstract: 本发明的目的是提供一种通过减小不平衡电压来减小不平衡电压所引起的测定误差，进而使静电耐压性能提高的半导体霍尔传感器。在存在于十字形状的半导体霍尔传感器的图案1的外周的内角部分上设置切口部2a。存在于十字图案形状的外周的四个内角部分中，输入一侧端子图案和输出一侧端子图案交叉的角度的相邻的2处或4处都是锐角。所以对半导体霍尔传感器的图案的缺陷或不平衡变得不敏感，与以往的十字形状的半导体霍尔传感器图案相比，能减小不平衡电压。
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公开(公告)号：CN1124494C
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN98802893.X
申请日：1998-02-27
Abstract: 一种带信号处理电路的磁传感器，它具有由化合物半导体薄膜或磁性薄膜构成的磁传感器部分(4)、以及将用该磁传感器部分(4)检测的作为电气输出的磁信号放大的信号处理电路(5)，上述信号处理电路(5)具有运算放大电路(51)、以及反馈用的恒流电路(52)。信号处理电路(5)中的恒流电路(52)包括具有两种以上不同温度系数的多个电阻，上述恒流电路输出的电流有与该多个电阻的组合电阻所具有的温度系数成反比的温度系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1172382C
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN01800841.0
申请日：2001-04-05
Applicant: 旭化成电子株式会社
Inventor： 福中敏昭
CPC classification number: G01R33/09
Abstract: 本发明提供了磁电转换元件及其制造方法。其侧面上形成有导电层(10)的绝缘性基板的上表面上有感磁部(3)和内部电极(2)，该绝缘性基板的绝缘部(9)和导电层是由烧结体来形成，该导电层的烧结体以1600℃以上的高熔点金属和陶瓷粉为主要成分，高熔点金属以10%以上90%以下的比率包含在导电层的烧结体中，因此可以提供极其小型、薄型而且不破坏元件就能进行安装时的是否良好的判定的磁电转换元件。
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公开(公告)号：CN1885235A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610094009.9
申请日：2006-06-21
CPC classification number: G06F3/0202 , H01H13/705 , H01H2217/018 , H01H2217/024 , H01H2221/006 , H01H2221/012 , H01H2221/014 , H01H2221/016 , H01H2239/024
Abstract: 本发明提供一种能够对键顶进行正确的按压操作、且不易发生误输入或误动作的指示装置和该指示装置用按键板。在指示装置用按键板(15)中的基片(14)的背面，设置有比按压元件(14b)更向基板(P)大幅度突出的磁铁(13)的收容部(17)，并且，当对键顶(12)进行按压操作时该收容部(17)或磁铁(13)与基板(P)接触，并以该接触位置为支点而使被按入的键顶(12)倾倒，从而使按压元件(14b)按压触点开关(Pi、Po)。因此，能够对指示装置(10)以及指示装置用按键板(15)实现薄型化、轻量化，此外，还能够减少误输入、误动作，从而能够可靠地进行确定输入。
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公开(公告)号：CN1603951A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410083325.7
申请日：2004-09-29
Applicant: 旭化成电子株式会社
Abstract: 在将张贴在框体上的大型薄片膜贴装到光掩模上时，为了防止前述大型薄片膜产生皱褶，在由面积在1000cm2以上的薄片膜、及用于展开并贴装支撑薄片膜的具有一对长边和一对短边的框体构成的大型薄片中，框体的至少一对长边向框体外侧突出，并且，通过将薄片膜展开张设于框体上，框体的长边中央部与长边端部相比向内侧凹入。
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公开(公告)号：CN1581393A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410055875.8
申请日：2004-08-05
Abstract: 本发明提供一种不需要高的元件精度和安装精度，并且制造、安装容易的小型输入装置。其中，控制电路基于两个霍尔元件(34、35)检测的信号来检测操作盘(52)的旋转方向，同时基于所述霍尔元件(34、35)的任何一个检测的信号来检测所述操作盘(52)的旋转量。
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公开(公告)号：CN1249038A
公开(公告)日：2000-03-29
申请号：CN98802893.X
申请日：1998-02-27
Abstract: 一种带信号处理电路的磁传感器,它具有由化合物半导体薄膜或磁性薄膜构成的磁传感器部分(4)、以及将用该磁传感器部分(4)检测的作为电气输出的磁信号放大的信号处理电路(5),上述信号处理电路(5)具有运算放大电路(51)、以及反馈用的恒流电路(52)。信号处理电路(5)中的恒流电路(52)包括具有两种以上不同温度系数的多个电阻,上述恒流电路输出的电流有与该多个电阻的组合电阻所具有的温度系数成反比的温度系数。
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