公开(公告)号：CN100482849C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200380101764.X

申请日：2003-10-22

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 山田朋广 ,  志堂寺容治 ,  光井彰 ,  尾山卓司 ,  神山敏久

IPC: C23C14/08 ,  G02B5/28

CPC classification number: G02B1/10 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10 ,  C23C14/3414 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C28/04 ,  C23C28/042 ,  C23C28/044 ,  C23C28/42 ,  G02B1/116 ,  G02B1/16 ,  G02B5/285

Abstract: 采用导电性溅射材料并通过溅射法在基板上高速成膜由金属氧化物膜和二氧化硅膜构成的多层膜，提供松弛了膜应力的带多层膜的基板和制造上述低应力的带多层膜的基板的方法。它是在基板上1次或1次以上重复层叠至少金属氧化物膜和二氧化硅膜而形成的带多层膜的基板，其特征在于，该金属氧化物膜的至少一层是如下消除氧不足的金属氧化物膜，并且该多层膜的应力为-100MPa-+100MPa：采用比化学计量组分更缺氧的金属氧化物MOx作为靶材，进行溅射成膜所形成。

公开(公告)号：CN1705766A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200380101764.X

申请日：2003-10-22

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 山田朋广 ,  志堂寺容治 ,  光井彰 ,  尾山卓司 ,  神山敏久

IPC: C23C14/08 ,  G02B5/28

CPC classification number: G02B1/10 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10 ,  C23C14/3414 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C28/04 ,  C23C28/042 ,  C23C28/044 ,  C23C28/42 ,  G02B1/116 ,  G02B1/16 ,  G02B5/285

Abstract: 采用导电性溅射材料并通过溅射法在基板上高速成膜由金属氧化物膜和二氧化硅膜构成的多层膜，提供松弛了膜应力的带多层膜的基板和制造上述低应力的带多层膜的基板的方法。它是在基板上1次或1次以上重复层叠至少金属氧化物膜和二氧化硅膜而形成的带多层膜的基板，其特征在于，该金属氧化物膜的至少一层是如下消除氧不足的金属氧化物膜，并且该多层膜的应力为－100Mpa—+100MPa：采用比化学计量组分更缺氧的金属氧化物MOx作为靶材，进行溅射成膜所形成。