公开(公告)号：CN1705766A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200380101764.X

申请日：2003-10-22

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 山田朋广 ,  志堂寺容治 ,  光井彰 ,  尾山卓司 ,  神山敏久

IPC: C23C14/08 ,  G02B5/28

CPC classification number: G02B1/10 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10 ,  C23C14/3414 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C28/04 ,  C23C28/042 ,  C23C28/044 ,  C23C28/42 ,  G02B1/116 ,  G02B1/16 ,  G02B5/285

Abstract: 采用导电性溅射材料并通过溅射法在基板上高速成膜由金属氧化物膜和二氧化硅膜构成的多层膜，提供松弛了膜应力的带多层膜的基板和制造上述低应力的带多层膜的基板的方法。它是在基板上1次或1次以上重复层叠至少金属氧化物膜和二氧化硅膜而形成的带多层膜的基板，其特征在于，该金属氧化物膜的至少一层是如下消除氧不足的金属氧化物膜，并且该多层膜的应力为－100Mpa—+100MPa：采用比化学计量组分更缺氧的金属氧化物MOx作为靶材，进行溅射成膜所形成。

公开(公告)号：CN1281780C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN01815158.2

申请日：2001-09-05

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 植田宏 ,  神山敏久 ,  神田幸一

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3491 ,  C23C14/10 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3402

Abstract: 得到一种增大靶材料和支持此靶材料的衬底管的选材可能性、并且制造简单和可再利用的圆筒状靶。将碳毡等缓冲部件52位于内筒为金属制衬底管和外筒为圆筒状靶材料之间，将两者接合形成圆筒状靶。

公开(公告)号：CN1777689A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200480010952.6

申请日：2004-04-23

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  旭硝子陶瓷株式会社

Inventor： 池田徹 ,  真下尚洋 ,  志堂寺荣治 ,  神山敏久 ,  片山佳人

IPC: C23C14/10 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  G02B1/10 ,  G02B1/11 ,  C23C14/00

Abstract: 本发明提供一种制造氧化硅薄膜的方法，因而能以高沉积速率连续形成具有一致光学常数如折射率、吸收系数等的薄膜。该方法包括：使用包含碳化硅和硅的溅射靶，其C与Si的原子数比为0.5－0.95，在含氧化气体的气氛中，用频率为1－1,000kHz交流电进行AC溅射，在一基片上沉积氧化硅薄膜。

公开(公告)号：CN100540723C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200480010952.6

申请日：2004-04-23

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  旭硝子陶瓷株式会社

Inventor： 池田徹 ,  真下尚洋 ,  志堂寺荣治 ,  神山敏久 ,  片山佳人

IPC: C23C14/10 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  G02B1/10 ,  G02B1/11 ,  C23C14/00

Abstract: 本发明提供一种制造氧化硅薄膜的方法，因而能以高沉积速率连续形成具有一致光学常数如折射率、吸收系数等的薄膜。该方法包括：使用包含碳化硅和硅的溅射靶，其C与Si的原子数比为0.5-0.95，在含氧化气体的气氛中，用频率为1-1,000kHz交流电进行AC溅射，在一基片上沉积氧化硅薄膜。

公开(公告)号：CN100482849C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200380101764.X

申请日：2003-10-22

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 山田朋广 ,  志堂寺容治 ,  光井彰 ,  尾山卓司 ,  神山敏久

IPC: C23C14/08 ,  G02B5/28

CPC classification number: G02B1/10 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10 ,  C23C14/3414 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C28/04 ,  C23C28/042 ,  C23C28/044 ,  C23C28/42 ,  G02B1/116 ,  G02B1/16 ,  G02B5/285

Abstract: 采用导电性溅射材料并通过溅射法在基板上高速成膜由金属氧化物膜和二氧化硅膜构成的多层膜，提供松弛了膜应力的带多层膜的基板和制造上述低应力的带多层膜的基板的方法。它是在基板上1次或1次以上重复层叠至少金属氧化物膜和二氧化硅膜而形成的带多层膜的基板，其特征在于，该金属氧化物膜的至少一层是如下消除氧不足的金属氧化物膜，并且该多层膜的应力为-100MPa-+100MPa：采用比化学计量组分更缺氧的金属氧化物MOx作为靶材，进行溅射成膜所形成。

公开(公告)号：CN1452668A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN01815158.2

申请日：2001-09-05

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 植田宏 ,  神山敏久 ,  神田幸一

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3491 ,  C23C14/10 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3402

Abstract: 得到一种增大靶材料和支持此靶材料的衬底管的选材可能性、并且制造简单和可再利用的圆筒状靶。将碳毡等缓冲部件52位于内筒为金属制衬底管和外筒为圆筒状靶材料之间，将两者接合形成圆筒状靶。