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公开(公告)号：CN101631892A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200880008181.5
申请日：2008-01-15
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , H01B5/14 , H01B13/00 , C04B35/457
CPC classification number: C23C14/08 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供了适用于通过溅射法，尤其是DC溅射法、DC脉冲溅射法、AC溅射法和MF溅射法形成透明导电膜的氧化锡靶。在通过利用溅射法形成透明导电膜时要使用的溅射靶包含氧化锡作为主成分，并且包含选自由铌、钨、钽、铋和钼组成的(A)组掺杂剂的至少一种元素以及铜元素作为掺杂剂。
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