公开(公告)号：CN102201454B

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201010149527.2

申请日：2010-03-25

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 胡智闵 ,  洪崇祐 ,  陈永初 ,  龚正

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/06 ,  H01L27/098

Abstract: 本发明为接面场效应晶体管元件，包括第一型掺杂物的基板；基板中的第二型掺杂物的第一井区；第一型掺杂物的一第二井区和一第三井区，于第一井区中彼此分离；第一型掺杂物的第四井区，位于第二井区和第三井区间；第二型掺杂物的第一扩散区，位于第四井区及第二井区之间；及第二型掺杂物的第二扩散区，位于第三井区以及第四井区之间。

公开(公告)号：CN102842596B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201110176871.5

申请日：2011-06-22

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 陈永初 ,  洪崇祐 ,  朱建文

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括阱区、介电结构、第一掺杂层、第二掺杂层与第一掺杂区。介电结构位于阱区上。介电结构具有相对的第一介电侧边与第二介电侧边。介电结构包括第一介电部分与第二介电部分，位于第一介电侧边与第二介电侧边之间。第一掺杂层位于第一介电部分与第二介电部分之间的阱区上。第二掺杂层位于第一掺杂层上。第一掺杂区位于第一介电侧边上的阱区中。阱区、第一掺杂层与第一掺杂区具有第一导电型。第二掺杂层具有相反于第一导电型的第二导电型。半导体结构可包括耐高压肖特基二极管。

公开(公告)号：CN102347373A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201010246093.8

申请日：2010-08-03

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 洪崇祐 ,  胡智闵 ,  陈永初 ,  龚正

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管，包括一欧姆层当作阴极，一金属层当作阳极，一漂流通道由半导体材料形成并在欧姆层和金属层间延伸。此漂流通道包括一重掺杂区域邻接欧姆接触层。漂流通道与金属层形成一肖特基势垒。当肖特基二极管逆向偏压时，夹止机制用于夹止漂流通道。因此，在肖特基二极管的逆向偏压条件下，金属层和欧姆接触层之间的饱和或漏电流程度被减少。

公开(公告)号：CN102347373B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201010246093.8

申请日：2010-08-03

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 洪崇祐 ,  胡智闵 ,  陈永初 ,  龚正

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管，包括一欧姆层当作阴极，一金属层当作阳极，一漂流通道由半导体材料形成并在欧姆层和金属层间延伸。此漂流通道包括一重掺杂区域邻接欧姆接触层。漂流通道与金属层形成一肖特基势垒。当肖特基二极管逆向偏压时，夹止机制用于夹止漂流通道。因此，在肖特基二极管的逆向偏压条件下，金属层和欧姆接触层之间的饱和或漏电流程度被减少。

公开(公告)号：CN102842596A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201110176871.5

申请日：2011-06-22

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 陈永初 ,  洪崇祐 ,  朱建文

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括阱区、介电结构、第一掺杂层、第二掺杂层与第一掺杂区。介电结构位于阱区上。介电结构具有相对的第一介电侧边与第二介电侧边。介电结构包括第一介电部分与第二介电部分，位于第一介电侧边与第二介电侧边之间。第一掺杂层位于第一介电部分与第二介电部分之间的阱区上。第二掺杂层位于第一掺杂层上。第一掺杂区位于第一介电侧边上的阱区中。阱区、第一掺杂层与第一掺杂区具有第一导电型。第二掺杂层具有相反于第一导电型的第二导电型。半导体结构可包括耐高压肖特基二极管。

公开(公告)号：CN102201454A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201010149527.2

申请日：2010-03-25

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 胡智闵 ,  洪崇祐 ,  陈永初 ,  龚正

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/06 ,  H01L27/098

Abstract: 本发明为接面场效应晶体管元件，包括第一型掺杂物的基板；基板中的第二型掺杂物的第一阱区；第一型掺杂物的一第二阱区和一第三阱区，于第一阱区中彼此分离；第一型掺杂物的第四阱区，位于第二阱区和第三阱区间；第二型掺杂物的第一扩散区，位于第四阱区及第二阱区之间；及第二型掺杂物的第二扩散区，位于第三阱区以及第四阱区之间。