公开(公告)号：CN107924918B

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN201680036699.4

申请日：2016-06-22

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： S·R·巴尔 ,  M·D·西曼

IPC: H01L27/098 ,  H01L29/778

Abstract: 在所描述的示例中，高压晶体管(HVT)结构(140)使低压晶体管(LVT)(110)适于高压环境。HVT结构(140)包括漏极节点(152)、源极节点(154)、控制栅极(156)和场电极(162、164)。漏极节点(152)和源极节点(154)限定导电沟道(163、165)，其中通过控制栅极(156)调节迁移的电荷。当与控制栅极(156)隔离时，场电极(162、164)被配置为响应于场电压，传播迁移的电荷。场电极(162、164)被构造和布线以防止与漏极节点(152)、源极节点(154)或控制栅极(156)中的任一个共享电荷。有利地，所隔离的场电极(162、164)使控制栅极(156)与漏极节点和源极节点(152、154)的电容最小化，使得HVT(140)可在高压环境中以较小的功率损耗和更健壮的性能进行切换。

公开(公告)号：CN108899320B

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN201810800725.7

申请日：2018-07-20

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 韩晓婧 ,  彭兴伟

IPC: H01L27/098 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明提出一种MOSFET栅氧化层电容校准结构，包括：有源区本体；栅极，位于所述有源区本体之上；源极和漏极，位于所述有源区本体的两端，且所述源极和所述漏极分别位于所述栅极的两侧；阱区，位于所述有源区本体和栅极外侧，所述阱区上设置有接触孔。本发明提出的MOSFET栅氧化层电容校准结构，在通常的MOSFET栅氧化层电容校准结构中保留有源区和栅极多晶硅，仅去除源漏极和栅极上的contact，可以去除包括源漏互联线对栅的寄生电容、源漏互联线对阱的寄生电容、栅上互联线对阱的寄生电容等在内的一系列寄生电容，从而进行更为精确的校准，得到更准确的MOSFET栅氧化层电容仿真模型。

公开(公告)号：CN111900197A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN202010744519.6

申请日：2020-07-29

Applicant: 杰华特微电子(杭州)有限公司

Inventor： 王炜槐

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/808 ,  H01L27/098 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提出了一种结型场效应管及其制作方法、半导体芯片，结型场效应管包括：一第一导电类型衬底；一第二导电类型阱，配置于第一导电类型衬底上；一第一导电类型隔离层，配置于第二导电类型阱上；一源端，配置在第一导电类型隔离层上；一漏端，配置在第一导电类型隔离层上；一第一栅端，配置在第一导电类型隔离层上；一第二栅端，配置在第一导电类型隔离层上，耦接于第一栅端。由于配置有第一导电类型隔离层，使衬底对结型场效应管的干扰会降低到很低。并且，由于不需要在结型场效应管周边设置隔离环，从而可以降低尺寸。另外，由于配置有第三栅端，从而可以降低夹断电压。以及，将第一导电类型隔离层设置成多个子隔离层，可以提高击穿电压。

公开(公告)号：CN107395171B

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201710307781.2

申请日：2017-05-04

Applicant: 弗劳恩霍弗应用技术研究院

Inventor： A·许尔内尔 ,  T·埃尔巴赫尔

IPC: H03K17/041 ,  H03K17/72 ,  H03K17/687 ,  H01L27/06 ,  H01L27/098

Abstract: 本发明涉及一种具有再生关断行为的、单片集成的半导体开关，尤其是功率断路开关。半导体开关具有呈单片集成形式的两个场效应晶体管，例如一个p‑JFET和一个n‑JFET。两个JFET的源极以及n‑JFET的阱区短接。此外，两个JFET的栅极以及p‑JFET的漏极通过阴极短接。而p‑JFET的阱区与阳极短接。由此实现单片集成的半导体开关，该半导体开关在超过确定的阳极电压或确定的阳极电流时自动关断。阳极电压和阳极电流的极限值可以通过构件的尺寸确定。由此可以在快速响应行为时实现直到200kV的截止强度。

公开(公告)号：CN107078062A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580058262.6

申请日：2015-10-05

Applicant: 索尼公司

Inventor： 竹内克彦

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L27/098 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 半导体器件设置有层叠体、栅极电极、源极电极、漏极电极和盖层。所述层叠体包括沟道层和第一低电阻区域。所述沟道层由化合物半导体制成。所述第一低电阻区域被设置为所述层叠体的表面侧的一部分。所述栅极电极、所述源极电极和所述漏极电极均设置在所述层叠体的上表面侧。所述盖层设置在所述第一低电阻区域与所述源极电极和所述漏极电极之中的至少一者之间。

公开(公告)号：CN104541364A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201380042569.8

申请日：2013-08-08

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 加藤宙光 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  竹内大辅 ,  山崎聪 ,  波多野睦子 ,  岩崎孝之

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L27/098 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/1602 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083

Abstract: 本发明提供一种能够大幅提高器件设计的自由度，并且能够有效制造的金刚石半导体装置及其制造方法。本发明的金刚石半导体装置具有金刚石衬底、在上述金刚石衬底的具有{001}的结晶面的衬底面上大致垂直地隆起配置的金刚石台阶部、n型的掺磷金刚石区域、金刚石绝缘区域，所述金刚石台阶部，将侧面具有{110}的结晶面的第一台阶部和侧面具有{100}的结晶面的第二台阶部形成为一体，所述掺磷金刚石区域以所述第一台阶部的所述台阶形状的底角为起点且以所述第一台阶部的侧面及所述金刚石衬底的所述衬底面为生长基面进行结晶生长而形成，所述金刚石绝缘区域以所述第二台阶部的侧面及所述金刚石衬底的所述衬底面为生长基面进行结晶生长而形成。

公开(公告)号：CN103000626A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210492874.4

申请日：2012-11-28

Applicant: 深圳市明微电子股份有限公司

Inventor： 李照华 ,  林道明 ,  赵春波 ,  胡乔 ,  戴文芳

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L27/098 ,  H02M1/36

CPC classification number: H01L29/0623 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/085 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7832 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/808 ,  H02M1/36 ,  H03K17/22

Abstract: 本发明实施例提出了一种合成结构的高压器件，包括高压功率管HVNMOS和JFET管，所述高压功率管HVNMOS管包括漏极、源极、栅极和衬底，导电沟道为源极和漏极之间的P型阱区Pwell；所述JFET管包括漏极、源极、栅极和衬底，导电沟道为源极和漏极之间的N型阱区Nwell；所述高压功率管HVNMOS和所述JFET管共用相同的漏极，所述漏极采用N型双扩散工艺。本发明实施例还提出了一种采用上述合成结构的高压器件的启动电路。本发明实施例提出的上述方案，通过合成的高压器件结构，有效的节省了芯片的面积，降低芯片的成本。

公开(公告)号：CN102931191A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210426365.1

申请日：2012-10-31

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 张磊 ,  李铁生 ,  马荣耀

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/098 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L29/66893 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/085 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7832 ,  H01L29/8083

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。在一示例中，半导体器件可以包括：衬底；和在衬底上形成的槽栅型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和垂直型结型场效应晶体管(JFET)。MOSFET可以包括：在衬底中形成的槽型栅区；和在衬底中形成的源区和漏区。JFET可以包括：在衬底中形成的槽填充部底端下方形成的栅区；和在衬底中形成的源区和漏区。JFET的栅区与MOSFET的源区可以在衬底中电接触，JFET的漏区与MOSFET的漏区可以包括衬底的相同部分。

公开(公告)号：CN102832219A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210316186.2

申请日：2012-08-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  李长安 ,  张仁辉 ,  李巍 ,  张金平 ,  任敏 ,  张波

IPC: H01L27/098

Abstract: 一种集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器，属于半导体功率器件技术领域。包括集成在一起的一个结型场效应晶体管JFET和一个可调热敏电阻，可调热敏电阻一端与JFET源极相连，另一端与JFET的栅极相连。该发明的核心为可调的热敏电阻，可调热敏电阻可以通过激光切割等方式得到满足输出电流大小要求的阻值，在同一批次中得到不同类型产品。热敏电阻为正温度系数，工作情况下，温度增加，电阻增大，降低输出电流，保护了所应用系统的可靠性。本发明具有集成度高、输出电流稳定、输电流大小可调节、温度特性好的优点，可应用于LED照明等领域。

公开(公告)号：CN101621079A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200910139530.3

申请日：2009-07-02

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 尾藤康则

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L27/098 ,  H01L21/337

CPC classification number: H01L29/7785 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605

Abstract: 提供一种场效应晶体管及其制造方法和半导体装置。J-FET包括第一导电型的沟道层，即掺杂Si的n型AlGaAs电子供给层(3和7)、未掺杂的AlGaAs间隔物层(4和6)和未掺杂的InGaAs沟道层(5)，形成在半绝缘GaAs衬底上方；上半导体层，由至少一个半导体层构成且形成在第一导电型的沟道层上方；第二导电型的半导体层，即掺杂C的p + GaAs层(18)，形成在上半导体层中制作的凹槽中或上半导体层上方；栅电极，布置在第二导电型的半导体层上方且与第二导电型的半导体层接触；和栅极绝缘膜，包括在上半导体层上方形成的且与上半导体层接触的氮化物膜和在氮化物膜上方形成的且具有的厚度比氮化物膜更大的氧化物膜。