公开(公告)号：CN119894127A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411743616.8

申请日：2024-11-30

Applicant: 昆明物理研究所

Inventor： 龚晓霞 ,  宋欣波 ,  范明国 ,  朱琴 ,  王懿 ,  管涛 ,  陆江伟 ,  赵荣 ,  孟宇芳 ,  谈是衔 ,  白兰艳

IPC: H10F39/10 ,  H10F71/00 ,  H10F30/222 ,  H10F77/42 ,  H10F77/14 ,  H10F77/30 ,  H01L23/544 ,  G01N21/25 ,  G01N21/35 ,  G01N21/01 ,  G01N21/33 ,  G01N21/359 ,  G01N21/3581 ,  G01N21/3504 ,  G01N21/73

Abstract: 本发明涉及一种宽波段多光谱铟镓砷探测器的制备方法，属于铟镓砷探测器技术领域。所述方法通过InP缓冲层、InAsyP1‑y过渡层、InxGa1‑xAs吸收层和N型InAsyP1‑y帽层的设计，制备得到了可室温工作的宽波段，即0.9μm～2.5μm的多光谱铟镓砷探测器；通过将多光谱滤光片阵列集成至铟镓砷探测器背面，实现多个通道的多光谱成像；通过采用电感耦合等离子体化学气相沉积原子层沉积钝化膜并控制沉积条件，实现有效降低器件的暗电流；通过将InP衬底减薄有效抑制了像素之间的波段串扰；通过在减薄后的InP衬底表面沉积背增透膜，实现了减少背面反射，增加透过率；利用对准标记和对准结构，采用倒焊机将读出电路与滤光片倒装对准，实现了滤光片与器件的高精度对准集成，对准精度优于2μm，大大增加了对准精度，且便于操作，在多光谱探测器领域具有良好的应用前景。