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公开(公告)号：CN119800144A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510017428.5
申请日：2025-01-06
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明提供了一种具有非连续网络结构的碳纳米管‑石墨烯/铜基复合材料的制备方法，属于金属基复合材料制备技术领域。本发明具体步骤为：首先，将石墨化碳纳米管进行酸化处理，采用氧化剥离法将石墨粉裂解为氧化石墨烯；随后将碳纳米管悬浮液和氧化石墨烯悬浮液搅拌混合得到碳纳米管‑氧化石墨烯悬浮液，经过滤洗涤、干燥后得到碳纳米管‑氧化石墨烯杂化物；先将铜粉预先球磨，然后把碳纳米管‑氧化石墨烯杂化物与球磨好的铜粉混合球磨、还原后得到碳纳米管‑还原氧化石墨烯复合粉末，再将复合粉末进行烧结以得到碳纳米管‑氧化石墨烯铜基复合材料；本发明中，碳纳米管‑氧化石墨烯展现出优异强化效率，复合材料展现出良好的力学性能。
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公开(公告)号：CN119685785A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411779702.4
申请日：2024-12-05
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种原位转化的高质量石墨烯‑铜复合材料的制备方法，属于复合材料制备技术领域。本发明包括：(1)低温化学气相沉积；(2)冷压成型；(3)高温氢气退火处理；(4)致密化烧结处理。通过本发明制备得到的石墨烯‑铜复合材料中，石墨烯具有高度结晶性，并且制备过程中，不会对铜基体产生负面影响，由此，本发明制备得到的石墨烯‑铜复合材料具有较优异的导热以及导电性能。
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公开(公告)号：CN118908196A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411005106.0
申请日：2024-07-25
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B32/186 , C01B32/194
Abstract: 本发明公开一种石墨烯层数的调控方法，属于新材料制备领域。本发明以化学气相沉积制备的少层石墨烯为起始原料，在常压化学气相沉积系统中通过对石墨烯/铜复合薄膜进行高温下氢气退火工艺处理，并调控高温氢气退火的时间，可获得双层石墨烯和单层石墨烯；本发明简单易行，具有很好的重现性，适合于石墨烯层数由多层向少层的单向调控，为单层和双层石墨烯的制备提供了一种新思路，在复合材料和电子电器领域具有潜在的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN113819214B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202111074284.5
申请日：2021-09-14
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种高性能齿形梯度组分齿轮，包括齿轮基体，所述齿轮基体包括齿轮主盘，齿轮主盘的外侧设置有多个齿形梯度卡齿，所述卡齿上设置有不同功能梯度材料，所述梯度材料包括位于不同受力的工作层；所述工作层主要分为三个部分，由外到内依次是：高硬耐磨层、高韧耐拉层、齿芯耐剪层，所述工作区各区铬的组分含量依次递减，所述工作区各区控制单一组分变量；本发明所述齿轮通过设置三种不同工作层，在两个卡齿啮合产生接触碰撞时，可起到不同作用，可解决齿轮啮合工作过程中存在的畸变、处接触应力增加、齿轮渐开线处齿芯韧性低、齿根处弯曲应力增加、齿轮的寿命降低等问题。
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公开(公告)号：CN115747551B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211653107.7
申请日：2022-12-22
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C22C1/05 , C22C9/00 , C22C32/00 , C22C26/00 , B22F3/105 , B22F9/04 , C01B32/949 , C01B32/168 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开一种引入碳化钨界面相制备碳纳米管增强铜基复合材料的方法，属于金属基复合材料制备领域。本发明以碳纳米管分散液、偏钨酸铵（AMT）、甲烷（CH4）和铜粉为原料，首先采用浸渍沉积的方法在CNTs表面沉积AMT，随后利用气相渗碳合成工艺在CNTs表面合成碳化钨纳米颗粒，并结合机械球磨和放电等离子烧结（SPS）工艺制备经碳化钨修饰的碳纳米管增强的铜基复合材料（WC@CNTs/Cu）。本发明以CH4作为合成碳化钨界面相的碳源，以外加碳源的方式避免了增强体制备过程中对CNTs结构完整性的破坏，保证WC@CNTs在复合材料中增强效应的有效发挥，使通过该方法制备的铜基复合材料具备良好的综合性能。
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公开(公告)号：CN116782617A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310506591.9
申请日：2023-05-08
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种具有多层结构的泡沫金属电磁屏蔽材料及其制备方法，属于电磁屏蔽复合材料技术领域。所述泡沫金属电磁屏蔽材料的结构为：泡沫模板材料上生长多层结构，所述多层结构包括金属银层、金属铜层、石墨烯层和金属镍层；其中，所述金属银层在最内层，所述石墨烯层位于所述金属铜层和金属镍层中间。本发明提供的制备方法简单，效率高，成本低，适用于工业批量生产；制备出的具有多层结构的泡沫金属电磁屏蔽材料具备优异的电磁屏蔽性能和一定的抗冲击性能，并且结构多样化。
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公开(公告)号：CN115287610B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210599714.3
申请日：2022-05-30
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种自润滑涂层及其制备方法和应用，属于机械切削刀具制造技术领域。所述自润滑涂层由内至外包括：Ti/TiN过渡层和复合涂层；其中所述复合涂层为交替沉积的TiCN硬涂层和MoS2/C软涂层，所述Ti/TiN过渡层和所述TiCN硬涂层接触，自润滑涂层最外层为MoS2/C软涂层，交替沉积2～4次。本发明制得的自润滑涂层具有优异性能，这种软硬涂层交替沉积的方式兼具较高的硬度、较低的应力和摩擦系数，能有效提高刀具的使用寿命。该涂层因为结合了硬涂层和软涂层优点，具有优异的性能，可广泛应用于各种材料的切削加工，尤其是难加工材料，具有十分广泛的应用前景，具有极大的应用价值和推广的可能性。
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公开(公告)号：CN111589444B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202010367124.9
申请日：2020-04-30
Applicant: 昆明理工大学
IPC: B01J23/52 , B01J23/50 , B01J23/42 , B01J23/46 , B01J23/44 , C09K11/58 , C09K11/87 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , B22F9/30 , C22C1/00
Abstract: 本发明属于量子点材料技术领域，具体涉及一种贵金属量子点及其制备方法和应用。该方法包括步骤：1)将层状结构的碱金属阳离子或过渡金属阳离子的钒酸盐粉末浸泡入可溶性贵金属盐的水溶液中，浸泡以进行离子交换，再依次经过固液分离、洗涤和干燥，得到贵金属的钒酸盐；2)将步骤1)得到的贵金属的钒酸盐进行煅烧，得到贵金属量子点分散在钒氧化物残留物中形成的混合粉末；3)将步骤2)得到的混合粉末进行酸洗，除去钒氧化物残留物，得到贵金属量子点。
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公开(公告)号：CN113005320B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110264109.6
申请日：2021-03-11
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种通过界面调控制备碳纳米管/铜复合材料的方法，属于金属基复合材料制备领域。本发明以CNTs、Ti粉以及Cu粉为原料，采用高能球磨，无压放电等离子烧结（SPS）工艺等制备出碳纳米管包覆碳化钛镀层增强铜基复合材料。本发明所述方法通过在CNTs表面包覆界面相镀层，降低与Cu粉的密度差并在不破坏CNTs结构的前提下使得增强体在Cu基体中分散更加均匀；同时由于界面相镀层的存在降低了CNTs与Cu之间的润湿角，从而改善增强体与Cu基体间的界面结合；此外，通过调节生成TiC镀层的Ti粉与CNTs含量可控制生成TiC镀层的含量及形貌，从而制备力学性能优异的复合材料。
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公开(公告)号：CN113024998A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110380172.6
申请日：2021-04-09
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种泡沫铜/环氧树脂电子封装材料及其制备方法。所述泡沫铜/环氧树脂电子封装材料包括含有填料的环氧树脂和掺杂碳纳米管的泡沫铜；所述填料为SiC、AlN、BN或BeO中的一种。本发明通过将含有填料的环氧树脂用丙酮稀释之后填充到掺杂碳纳米管的泡沫铜中，浓缩、固化，得到泡沫铜/环氧树脂电子封装材料。本发明所制备的泡沫铜/环氧树脂电子封装材料的导热系数高达55.2W/(m·K)，电磁屏蔽性能达到57.9dB，适用于各种复杂的、密集的电子元器件。
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