公开(公告)号：CN117778731A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202410095208.X

申请日：2024-01-24

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 蒋文龙 ,  杨斌 ,  李家荣 ,  刘大春 ,  徐宝强 ,  查国正 ,  王飞 ,  田阳 ,  李一夫 ,  孔令鑫 ,  孔祥峰 ,  熊恒 ,  吴鉴 ,  董朝望 ,  罗欢

IPC: C22B9/02

Abstract: 本发明公开了一种金属蒸发冷凝器，涉及金属蒸发冷凝技术领域，包括支撑底座，支撑底座上安装有冷凝底座，冷凝底座安装有保温外筒和保温内筒，保温内筒内部设有蒸发坩埚，蒸发坩埚上端设有支撑盘，支撑盘上端设有第一导流盘，第一导流盘下端与支撑盘之间设有第一下导流孔，保温外筒的上端安装有支撑座，第一导流盘的上端侧壁与支撑座之间设有多个第一上导流孔，支撑座的中部上端设有第二导流盘，第二导流盘上设有第二导流孔，第二导流盘上端设有第三导流盘，第三导流盘上设有第三导流孔，第三导流盘的上端安装有第四导流盘，第四导流盘侧壁设有多个第四导流孔，支撑座的上端盖合有密封盖。本发明中的蒸汽冷凝路径较长，从而能够提高金属分离效果。

公开(公告)号：CN118186215A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410393861.4

申请日：2024-04-02

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 蒋文龙 ,  徐宝强 ,  杨斌 ,  刘大春 ,  李家荣 ,  查国正 ,  田阳 ,  熊恒 ,  李一夫 ,  孔令鑫 ,  王飞 ,  曲涛 ,  杨佳 ,  孔祥峰

IPC: C22B7/00 ,  C22B11/02 ,  C22B15/00 ,  C22B13/02 ,  C22B19/30 ,  C22B19/04 ,  C22B9/02

Abstract: 本发明提供了一种含氰金泥的真空处理方法，涉及金属冶金技术领域。本发明将含氰金泥进行真空热解，得到无氰残留物；所述真空热解的温度为200～250℃；将所述无氰残留物进行第一真空蒸馏，得到残留物和铅锌挥发物；所述残留物包括熔炼渣和残留金银铜合金；所述第一真空蒸馏的温度为950～1050℃；将所述残留物进行第二真空蒸馏，得到粗银和金铜合金；所述第二真空蒸馏的温度为1450～1600℃。本发明先通过真空热解将氰化物分解，然后依次进行第一真空蒸馏和第二真空蒸馏，将铅锌、粗银和金银铜合金分离。本发明采用真空处理方法，具有无添加、无三废产生、节能环保、金银回收率高等优点。

公开(公告)号：CN112194105A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN202011088154.2

申请日：2020-10-13

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 蒋文龙 ,  李家荣 ,  徐宝强 ,  杨斌 ,  刘大春 ,  李一夫 ,  田阳 ,  杨佳 ,  陈秀敏 ,  郁青春 ,  王飞 ,  孔令鑫 ,  熊恒

IPC: C01B19/04

Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，提供了一种碲化镉的制备方法，将碲和镉混合进行熔炼，得到碲化镉粗品；所述熔炼的保温温度为450～500℃；所述熔炼的压力为0.4～0.6MPa；然后进行真空净化，得到碲化镉。本发明通过采用加压熔炼的方式，降低了碲镉的合成反应温度，且原料利用率同样较高。实施例结果显示，熔炼温度在470℃情况下，即使通过真空提纯后(纯度为99.999％)，产物的收率仍然高达98.5％以上(间接表明粗产物的收率更高)。上述实验结果表明，本发明在降低碲化镉合成温度的情况下，同样具有较高的产率。

公开(公告)号：CN112194105B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011088154.2

申请日：2020-10-13

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 蒋文龙 ,  李家荣 ,  徐宝强 ,  杨斌 ,  刘大春 ,  李一夫 ,  田阳 ,  杨佳 ,  陈秀敏 ,  郁青春 ,  王飞 ,  孔令鑫 ,  熊恒

IPC: C01B19/04

Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，提供了一种碲化镉的制备方法，将碲和镉混合进行熔炼，得到碲化镉粗品；所述熔炼的保温温度为450～500℃；所述熔炼的压力为0.4～0.6MPa；然后进行真空净化，得到碲化镉。本发明通过采用加压熔炼的方式，降低了碲镉的合成反应温度，且原料利用率同样较高。实施例结果显示，熔炼温度在470℃情况下，即使通过真空提纯后(纯度为99.999％)，产物的收率仍然高达98.5％以上(间接表明粗产物的收率更高)。上述实验结果表明，本发明在降低碲化镉合成温度的情况下，同样具有较高的产率。

公开(公告)号：CN118256729A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410401076.9

申请日：2024-04-03

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 蒋文龙 ,  徐宝强 ,  杨斌 ,  刘大春 ,  李家荣 ,  查国正 ,  田阳 ,  熊恒 ,  李一夫 ,  孔令鑫 ,  王飞 ,  曲涛 ,  杨佳 ,  孔祥峰

IPC: C22B9/02 ,  C22B9/04 ,  C22B11/02 ,  C22B7/00 ,  C22B15/14 ,  C22B15/00 ,  C22B13/02 ,  C22B13/06

Abstract: 本发明提供了一种合质金的真空处理方法，涉及真空冶金技术领域。本发明对合质金进行第一真空蒸馏，使合质金中的铅铋锑等贱金属挥发，而后对残留金银铜合金进行第二真空蒸馏，实现银与金铜的分离。本发明采用真空冶金，在低于标准大气压条件下进行冶金作业，能防止金属氧化，分离沸点不同的物质，具有无添加、无三废产生、节能环保、金银回收率高等优点。实施例的结果表明，采用本发明的真空处理方法，合质金中金回收率大于99.5％，银回收率大于99％。