公开(公告)号：CN102597300A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080047524.6

申请日：2010-12-01

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 角田幸隆 ,  上野谕

IPC: C23C14/34 ,  F16K3/18 ,  G11B5/85 ,  G11B5/851

CPC classification number: G11B5/85 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/50 ,  C23C14/56 ,  C23C14/568 ,  F16K3/184 ,  F16K51/02 ,  H01L21/67126

Abstract: 本发明提供能够一边抑制伴随着闸阀的开闭动作的振动的产生一边高速进行该闸阀的开闭动作的直列式成膜装置。在这样的直列式成膜装置中，在缸(115)内的活塞(114)就要到达一个方向的端部之前，通过将第2开闭阀(117a)完全关闭而仅通过第2流量调整阀(117b)排气，另一方面，在缸(115)内的活塞(114)就要到达另一个方向的端部之前，通过将第1开闭阀(116a)完全关闭而仅通过第1流量调整阀(116b)排气。由此，能够缓和由缸(115)的端部与活塞(114)的接触引起的冲击，抑制振动的产生。

公开(公告)号：CN103680526A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310410975.7

申请日：2013-09-11

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 茑谷泰之 ,  盐见大介 ,  上野谕 ,  太田一朗 ,  冈部健彦

IPC: G11B5/84 ,  C23C14/22

CPC classification number: G11B5/85 ,  C23C14/564 ,  G11B5/8408

Abstract: 本公开提供了一种磁性记录介质的制造方法和装置。在被层积体上按顺序形成磁性记录层、保护层、以及润滑层，在使形成了所述保护层后的所述被层积体不与大气接触的状态下，用气相润滑成膜方法形成所述润滑层，当所述保护层成膜时的工艺气体压力为Ｐ1，所述润滑层成膜时的工艺气体压力为Ｐ2时，在从形成所述保护层后到形成所述润滑层之间的所述被层积体的运送路线上，设置满足Ｐ3＞Ｐ1、且Ｐ3＞Ｐ2的关系的气体压力Ｐ3的区域。根据本发明方法和装置，可以防止所形成的层的质量的下降，同时提高生产率。

公开(公告)号：CN103714831A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310438547.5

申请日：2013-09-24

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 茑谷泰之 ,  盐见大介 ,  上野谕

IPC: G11B5/72 ,  G11B5/66 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/85 ,  G11B5/8408

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质的制造方法及装置。该制造方法是在被积层体上依次形成磁记录层、保护层、及润滑层的磁记录介质的制造方法，其中，将由成膜装置形成了保护层后的被积层体不与大气接触地封入移送容器单元内；将移送容器单元搬送至汽相润滑成膜装置；将被封入了移送容器单元内的被积层体不与大气接触地从移送容器单元内取出，并在汽相润滑成膜装置内采用汽相润滑成膜方法在被积层体上形成润滑层。