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公开(公告)号:CN101842837A
公开(公告)日:2010-09-22
申请号:CN200880114270.8
申请日:2008-10-17
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/8408 , G11B5/845
Abstract: 在使膜形成之后的磁记录介质从载体脱离的步骤之后且在将下一个膜形成基底附着到载体的步骤之前,执行对沉积并粘附到载体的表面上的碳膜进行在含氧气体中灰化去除的步骤,并且当执行对碳膜进行灰化去除的步骤时,向载体施加脉冲电压偏置。此外,在对碳膜进行灰化去除的步骤的初始阶段,与氧气浓度相比增加等离子体中的非活性气体的浓度,然后与非活性气体的浓度相比增加氧气浓度。结果,有效地减小了在基底保持载体上沉积的碳膜,抑制了由剥离沉积的膜导致的颗粒的产生,并抑制了由沉积在载体的表面上的碳膜导致的释放气体的排出。
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公开(公告)号:CN108573715B
公开(公告)日:2019-08-02
申请号:CN201810153505.X
申请日:2018-02-22
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/656 , G11B5/012 , G11B5/1875 , G11B5/3133 , G11B5/3912 , G11B5/714 , G11B5/73 , G11B5/7325 , G11B5/746 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明涉及辅助磁记录介质和磁存储装置,其目的在于提供一种磁记录介质,其可降低因向磁记录介质写入信息时所致的噪音,同时可提高信号的水平,从而使读入时的信噪比优异。本发明的一个实施方式的辅助磁记录介质的特征在于,其依次具有基板、底层、以及以具有L10型结晶结构的合金作为主成分的磁性层,辅助磁记录介质具有与上述磁性层相接的钉扎层,钉扎层包含Co或以Co为主成分的合金。
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公开(公告)号:CN108573715A
公开(公告)日:2018-09-25
申请号:CN201810153505.X
申请日:2018-02-22
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/656 , G11B5/012 , G11B5/1875 , G11B5/3133 , G11B5/3912 , G11B5/714 , G11B5/73 , G11B5/7325 , G11B5/746 , G11B2005/0021 , G11B5/65 , G11B5/64 , G11B5/66
Abstract: 本发明涉及辅助磁记录介质和磁存储装置,其目的在于提供一种磁记录介质,其可降低因向磁记录介质写入信息时所致的噪音,同时可提高信号的水平,从而使读入时的信噪比优异。本发明的一个实施方式的辅助磁记录介质的特征在于,其依次具有基板、底层、以及以具有L10型结晶结构的合金作为主成分的磁性层,辅助磁记录介质具有与上述磁性层相接的钉扎层,钉扎层包含Co或以Co为主成分的合金。
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