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公开(公告)号:CN101796581A
公开(公告)日:2010-08-04
申请号:CN200880105480.0
申请日:2008-09-02
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor: 佐々木有三
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/65 , G11B5/7325
Abstract: 本发明涉及一种磁记录介质,该磁记录介质是在非磁性基板上至少具有衬里层和取向控制层、磁记录层以及保护层的垂直磁记录介质,其特征在于,取向控制层由两层以上构成,且从基板侧包含种子层和中间层,作为种子层材料含有5原子%~25原子%的范围内的在相图上的相对于具有面心立方结构的元素的固溶区域为1原子%以下的元素。另外,本发明涉及一种磁记录再生装置,该装置具有该磁记录介质和对该磁记录介质记录再生信息的磁头。
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公开(公告)号:CN101809660A
公开(公告)日:2010-08-18
申请号:CN200880109310.X
申请日:2008-07-25
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/82 , G11B5/851
Abstract: 一种磁记录介质,是在非磁性基板上至少依次含有衬里层、种子层、中间层和垂直磁记录层的垂直磁记录介质,其中,所述种子层是hcp结构的(002)晶体取向层,并且,所述中间层依次包含由bcc结构的(110)晶体取向层构成的第1中间层和由hcp结构的(002)晶体取向层构成的第2中间层。另外,所述bcc结构的(110)晶体取向层优选是含有60原子%以上的Cr的结构。该磁记录介质,通过兼具垂直磁记录层的晶体粒径的分离,晶体粒径的微细化和垂直取向性而具有能够记录再生高密度信息的特性。
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