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公开(公告)号：CN107241917B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201480009591.7
申请日：2014-02-07
Abstract: SiC单晶，在基本平行于其c‑平面的面内包括，具有特定方向伯格斯矢量(A)的边缘位错不均匀地分布于其中的区域(A)，和具有特定方向伯格斯矢量(B)不均匀分布于其中的区域(B)。所述区域(A)位于相对于晶面部分的 方向，而所述的区域(B)位于相对于所述晶面部分的 方向。SiC是通过沿着基本平行于所述c‑平面的方向切割由所述SiC单晶所得的SiC晶片而制备的，且从所述SiC晶片上切割所述SiC基板使得所述SiC基板主要包含所述区域(A)和所述区域(B)中的一个。使用所述SiC基板制备SiC器件。
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公开(公告)号：CN101939805B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200980104282.7
申请日：2009-02-05
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/028 , H01G9/0029 , H01G9/04 , H01G11/48 , H01G11/56 , Y02E60/13 , Y10T428/24322
Abstract: 将由具有阀作用的金属材料构成的阳极体的表面氧化而形成电介质层，使导电性聚合物前体溶液附着于所述电介质层的表面，在相对湿度30％～45％的气氛下将溶剂蒸发除去，接着进行电解聚合，形成在外表面具有高度2～70μm的突起的半导体层，接着使用导电性碳糊形成导电性碳层，进而形成包含导电性金属粉末与粘合剂的导电性金属层，得到电子部件用元件，对该电子部件用元件进行树脂密封而得到电子部件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107241917A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201480009591.7
申请日：2014-02-07
Abstract: SiC单晶，在基本平行于其c‑平面的面内包括，具有特定方向伯格斯矢量(A)的边缘位错不均匀地分布于其中的区域(A)，和具有特定方向伯格斯矢量(B)不均匀分布于其中的区域(B)。所述区域(A)位于相对于晶面部分的 方向，而所述的区域(B)位于相对于所述晶面部分的 方向。SiC是通过沿着基本平行于所述c‑平面的方向切割由所述SiC单晶所得的SiC晶片而制备的，且从所述SiC晶片上切割所述SiC基板使得所述SiC基板主要包含所述区域(A)和所述区域(B)中的一个。使用所述SiC基板制备SiC器件。
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公开(公告)号：CN103582723B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201280027744.1
申请日：2012-06-04
Applicant: 株式会社丰田中央研究所 , 株式会社电装 , 昭和电工株式会社
IPC: C30B29/36 , H01L21/203
CPC classification number: C30B23/025 , C30B23/005 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L29/1608 , Y10T428/21
Abstract: 当通过重复a面生长来制造具有大的{0001}面直径的SiC单晶时，实施SiC单晶的a面生长，使得Si面侧小面区域的面积(S1)对生长面的总面积(S2)之比S小面(=S1×100/S2)保持在20%以下。a面生长优选为以{11‑20}面作为基准，在相差大约60°或约120°的方向上重复a面生长的{11‑20}面选择性生长法，或者优选为交替重复{11‑20}面生长与{1‑100}面生长的交替生长法。
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公开(公告)号：CN101939805A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200980104282.7
申请日：2009-02-05
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/028 , H01G9/0029 , H01G9/04 , H01G11/48 , H01G11/56 , Y02E60/13 , Y10T428/24322
Abstract: 将由具有阀作用的金属材料构成的阳极体的表面氧化而形成电介质层，使导电性聚合物前体溶液附着于所述电介质层的表面，在相对湿度30％～45％的气氛下将溶剂蒸发除去，接着进行电解聚合，形成在外表面具有高度2～70μm的突起的半导体层，接着使用导电性碳糊形成导电性碳层，进而形成包含导电性金属粉末与粘合剂的导电性金属层，得到电子部件用元件，对该电子部件用元件进行树脂密封而得到电子部件。
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公开(公告)号：CN1950299A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200580011420.9
申请日：2005-04-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 氧化钙分散液含有中值粒径(体积基)为1至200纳米且最大粒径为10至1000纳米的氧化钙细粒和有机分散介质。通过在容器中装入氧化钙细粒、有机分散介质和直径5至200微米的球粒并搅拌这些材料，制造氧化钙分散液。因此，使具有小粒径和高纯度的氧化钙均匀分散在氧化钙分散液中。
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公开(公告)号：CN103582723A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201280027744.1
申请日：2012-06-04
Applicant: 株式会社丰田中央研究所 , 株式会社电装 , 昭和电工株式会社
IPC: C30B29/36 , H01L21/203
CPC classification number: C30B23/025 , C30B23/005 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L29/1608 , Y10T428/21
Abstract: 当通过重复a面生长来制造具有大的{0001}面直径的SiC单晶时，实施SiC单晶的a面生长，使得Si面侧小面区域的面积(S1)对生长面的总面积(S2)之比S小面(=S1×100/S2)保持在20%以下。a面生长优选为以{11-20}面作为基准，在相差大约60°或约120°的方向上重复a面生长的{11-20}面选择性生长法，或者优选为交替重复{11-20}面生长与{1-100}面生长的交替生长法。
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