公开(公告)号：CN111916114B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202010376998.0

申请日：2020-05-07

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 徐晨 ,  张磊 ,  福岛隆之 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  丹羽和也 ,  茂智雄 ,  根本广明 ,  梅本裕二 ,  小柳浩

IPC: G11B5/667

Abstract: 提供一种磁记录介质和磁记录再现装置，所述磁记录介质的特征在于，具有：基板；在所述基板之上形成的底层；及在所述底层之上形成的磁性层。所述磁性层包含具有L10结构的合金。所述底层包含第1底层和第2底层，所述第1底层包含Mo和Ru，Ru的含量位于5at％～30at％的范围内，所述第2底层包含具有BCC结构的材料。所述第2底层形成在所述第1底层和所述基板之间。所述磁记录再现装置具有所述磁记录介质。

公开(公告)号：CN111798876A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010269127.9

申请日：2020-04-08

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福岛隆之 ,  徐晨 ,  张磊 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  丹羽和也 ,  茂智雄 ,  根本广明 ,  梅本裕二 ,  小柳浩

IPC: G11B5/82 ,  G11B5/65

Abstract: 本发明提供一种矫磁力以及构成磁性层的磁性粒子的磁晶各向异性高的磁记录介质。磁记录介质(100)包括依序设置的基板(1)、衬底层(2)及磁性层(3)，磁性层(3)包括具有L10结构的磁性粒子以及含晶界部的颗粒结构，且晶界部的体积分数在25体积％～50体积％的范围内。磁性粒子相对于基板(1)具有c轴取向。晶界部包含晶格常数在0.30nm～0.36nm范围内，或0.60nm～0.72nm范围内的物质。

公开(公告)号：CN111798876B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202010269127.9

申请日：2020-04-08

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福岛隆之 ,  徐晨 ,  张磊 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  丹羽和也 ,  茂智雄 ,  根本广明 ,  梅本裕二 ,  小柳浩

IPC: G11B5/82 ,  G11B5/65

Abstract: 本发明提供一种矫磁力以及构成磁性层的磁性粒子的磁晶各向异性高的磁记录介质。磁记录介质(100)包括依序设置的基板(1)、衬底层(2)及磁性层(3)，磁性层(3)包括具有L10结构的磁性粒子以及含晶界部的颗粒结构，且晶界部的体积分数在25体积％～50体积％的范围内。磁性粒子相对于基板(1)具有c轴取向。晶界部包含晶格常数在0.30nm～0.36nm范围内，或0.60nm～0.72nm范围内的物质。

公开(公告)号：CN111916114A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010376998.0

申请日：2020-05-07

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 徐晨 ,  张磊 ,  福岛隆之 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  丹羽和也 ,  茂智雄 ,  根本广明 ,  梅本裕二 ,  小柳浩

IPC: G11B5/667

Abstract: 提供一种磁记录介质和磁记录再现装置，所述磁记录介质的特征在于，具有：基板；在所述基板之上形成的底层；及在所述底层之上形成的磁性层。所述磁性层包含具有L10结构的合金。所述底层包含第1底层和第2底层，所述第1底层包含Mo和Ru，Ru的含量位于5at％～30at％的范围内，所述第2底层包含具有BCC结构的材料。所述第2底层形成在所述第1底层和所述基板之间。所述磁记录再现装置具有所述磁记录介质。