公开(公告)号：CN1141736C

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN99813773.1

申请日：1999-11-26

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 绪方不二麿 ,  杉山勉 ,  宫原邦明

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/302 ,  H01L21/027 ,  C11D7/08 ,  C11D7/22

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D3/042 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/2086 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明涉及由包含硝酸和选自多元羧酸，氨基羧酸及它们盐的至少一种羧酸类的水溶液所构成的侧壁堆积物除去用组合物，侧壁堆积物除去方法和半导体器件的制造方法。利用本发明能够在低温下短时间内除去侧壁堆积物且使半导体器件中的Al合金等配线材料不被腐蚀，能够以高效率制得具备实质上不会被腐蚀的Al合金配线的半导体器件。

公开(公告)号：CN1328698A

公开(公告)日：2001-12-26

申请号：CN99813773.1

申请日：1999-11-26

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 绪方不二麿 ,  杉山勉 ,  宫原邦明

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/302 ,  H01L21/027 ,  C11D7/08 ,  C11D7/22

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D3/042 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/2086 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明涉及由包含硝酸和选自多元羧酸,氨基羧酸及它们盐的至少一种羧酸类的水溶液所构成的侧壁堆积物除去用组合物,侧壁堆积物除去方法和半导体器件的制造方法。利用本发明能够在低温下短时间内除去侧壁堆积物且使半导体器件中的A1合金等配线材料不被腐蚀,能够以高效率制得具备实质上不会被腐蚀的A1合金配线的半导体器件。

公开(公告)号：CN1099381A

公开(公告)日：1995-03-01

申请号：CN93116573.3

申请日：1993-08-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 佐野健一 ,  铃木俊郎 ,  宫原邦明 ,  高桥俊英

IPC: C07C67/04 ,  C07C69/12

Abstract: 一种有效地制备低级脂肪酸酯的方法。它包括在一种催化剂的存在下，使低级脂肪酸与低级烯烃发生反应，该催化剂包括一种载体以及至少一种杂多酸的金属盐，杂多酸的金属盐承载在载体上，它选自杂多酸的Li，Ca，Mg和Ga的盐，或者在一种催化剂的存在下，该催化剂包括至少一种化合物，它选自磷钨钼酸和硅钨钼酸，以及这些酸的Cs，Rb，Tl，铵和K的盐。

公开(公告)号：CN113302269A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201980089054.0

申请日：2019-10-31

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 中崎晋 ,  宫原邦明 ,  福世知行

IPC: C11D1/62 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  H01L21/304

Abstract: 提供具有高的蚀刻速度，抑制了对器件晶圆等的基材与固定胶带等的粘着层的接触界面的浸入的粘接性聚合物的分解清洗组合物。一个实施方式的分解清洗组合物是包含氟化烷基季铵或氟化烷基季铵的水合物、和非质子性溶剂的、粘接性聚合物的分解清洗组合物，非质子性溶剂包含(A)氮原子上不具有活性氢的N‑取代酰胺化合物、和(B)选自亚砜化合物和砜化合物中的至少1种有机硫氧化物。

公开(公告)号：CN112602174A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201980053784.5

申请日：2019-09-26

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 中崎晋 ,  宫原邦明 ,  福世知行

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/32 ,  C11D7/50

Abstract: 本申请提供一种与粘接剂表面亲和性高、且长期保存稳定性优异的组合物。一种组合物，其含有非质子性溶剂和氟化烷基季铵或氟化烷基季铵的水合物，所述非质子性溶剂含有：(A)氮原子上不具有活性氢且碳原子数4以上的N‑取代酰胺化合物、和(B)醚化合物。

公开(公告)号：CN114746536A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080081816.5

申请日：2020-10-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 中崎晋 ,  宫原邦明

IPC: C11D7/26 ,  C11D7/30 ,  C11D7/32 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供改善蚀刻速度的保持率的分解清洗组合物的制造方法。一种分解清洗组合物的制造方法，所述分解清洗组合物含有(A)氢原子未直接键合于氮原子的N‑取代酰胺化合物、及(B)氟化烷基季铵或其水合物，所述制造方法具有在非活性气体气氛下将上述(A)及(B)进行混合的调制工序。

公开(公告)号：CN1050120C

公开(公告)日：2000-03-08

申请号：CN93116573.3

申请日：1993-08-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 佐野健一 ,  铃木俊郎 ,  宫原邦明 ,  高桥俊英

IPC: C07C67/04 ,  C07C69/14 ,  C07C69/54

Abstract: 一种有效地制备低级脂肪酸酯的方法，它包括在一种催化剂的存在下，使低级脂肪酸与低级烯烃发生反应，该催化剂包括一种载体以及至少一种多杂酸的金属盐，杂多酸的金属盐承载在载体上，它选自杂多酸的Li，Ca，Mg和Ga的盐，或者在一种催化剂的存在下，该催化剂包括至少一种化合物，它选自磷钨钼酸和硅钨钼酸，以及这些酸的Cs，Rb，Tl，铵和K的盐。