公开(公告)号：CN113257286B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202110087148.3

申请日：2021-01-22

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 长坂浩一 ,  福岛隆之 ,  张磊 ,  徐晨 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  小柳浩 ,  梅本裕二

IPC: G11B5/82

Abstract: 本发明提供磁记录介质、磁记录介质的制造方法及磁存储装置。所述磁记录介质依次具有基板、底层、及磁性层，其中，所述底层具有包含由通式MgO(1‑X)表示的化合物的第1底层，该通式中，X位于0.07～0.25的范围内，所述磁性层具有包含具有L10结构的合金的第1磁性层，具有所述L10结构的合金包含从由Al、Si、Ga、及Ge组成的群中选出的1种以上的元素，所述第1底层与所述第1磁性层相接。

公开(公告)号：CN113257286A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110087148.3

申请日：2021-01-22

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 长坂浩一 ,  福岛隆之 ,  张磊 ,  徐晨 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  小柳浩 ,  梅本裕二

IPC: G11B5/82

Abstract: 本发明提供磁记录介质、磁记录介质的制造方法及磁存储装置。所述磁记录介质依次具有基板、底层、及磁性层，其中，所述底层具有包含由通式MgO(1‑X)表示的化合物的第1底层，该通式中，X位于0.07～0.25的范围内，所述磁性层具有包含具有L10结构的合金的第1磁性层，具有所述L10结构的合金包含从由Al、Si、Ga、及Ge组成的群中选出的1种以上的元素，所述第1底层与所述第1磁性层相接。