公开(公告)号：CN101300690A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200680038863.1

申请日：2006-08-25

Applicant: 普林斯顿大学理事会

Inventor： 阿伦·L·瓦德尔 ,  薛剑耿

IPC: H01L51/44

CPC classification number: H01L51/448 ,  H01L27/301 ,  H01L51/424 ,  H01L51/441 ,  Y02E10/549

Abstract: 形成有机光敏性光电子装置，其中装置的电极包封有机光电导性材料。配置被布置在透明基底上的包含第一导电材料的第一透明膜。在第一导电材料上沉积第一光电导性有机材料。在第一光电导性有机材料上以不超过1nm/s的初始速率沉积金属，完全覆盖所述第一光电导性有机材料的任何暴露部分和与所述第一光电导性有机材料的任何暴露界面至不小于10nm的厚度。在得到不小于10nm的厚度之后，以初始速率的至少3倍的增加速率溅射金属，直到完全覆盖所述第一光电导性有机材料的先前暴露部分和与所述第一导电性有机材料的先前暴露界面的金属的累积厚度为至少250nm。

公开(公告)号：CN101300690B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200680038863.1

申请日：2006-08-25

Applicant: 普林斯顿大学理事会

Inventor： 阿伦·L·瓦德尔 ,  薛剑耿

IPC: H01L51/44

CPC classification number: H01L51/448 ,  H01L27/301 ,  H01L51/424 ,  H01L51/441 ,  Y02E10/549

Abstract: 形成有机光敏性光电子装置，其中装置的电极包封有机光电导性材料。配置被布置在透明基底上的包含第一导电材料的第一透明膜。在第一导电材料上沉积第一光电导性有机材料。在第一光电导性有机材料上以不超过1nm/s的初始速率沉积金属，完全覆盖所述第一光电导性有机材料的任何暴露部分和与所述第一光电导性有机材料的任何暴露界面至不小于10nm的厚度。在得到不小于10nm的厚度之后，以初始速率的至少3倍的增加速率溅射金属，直到完全覆盖所述第一光电导性有机材料的先前暴露部分和与所述第一导电性有机材料的先前暴露界面的金属的累积厚度为至少250nm。