-
公开(公告)号：CN101390229B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200680037739.3
申请日：2006-08-02
Applicant: 普林斯顿大学理事会
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 , 薛剑耿
IPC: H01L51/44
CPC classification number: H01L51/441 , H01L27/301 , H01L51/424 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种降低光敏性装置的串联电阻的方法，包括：提供布置在透明基底上的第一导电材料的透明膜；在第一导电材料上沉积并图案化掩模，使得在掩模中的开孔具有其狭窄部分靠近基底的倾斜侧面；将第二导电材料直接沉积到在掩模的开孔中暴露的第一导电材料上，至少部分地填充开孔；剥去掩模，留下由在掩模开孔中的沉积物形成的第二导电材料的凹入结构；剥去掩模之后，将第一有机材料沉积到凹入结构之间的第一导电材料上；和在凹入结构之间沉积的第一有机材料上定向地沉积第三导电材料，凹入结构的边缘对齐沉积，从而第三导电材料不直接接触第一导电材料且不直接接触第二导电材料。
-
公开(公告)号：CN101044640A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200580031642.7
申请日：2005-08-02
Applicant: 普林斯顿大学理事会
CPC classification number: H01L51/4253 , B82Y10/00 , H01L27/302 , H01L51/0021 , H01L51/0046 , H01L51/0053 , H01L51/0059 , H01L51/0078 , H01L51/4246 , Y02E10/549
Abstract: 提供一种器件，其具有第一电极、第二电极、具有特征吸收波长λ1的第一光激活区，以及具有特征吸收波长λ2的第二光激活区。将光激活区布置在第一和第二电极之间，并且还布置在反射层的相同一侧上，使得第一光激活区比第二光激活区更接近于反射层。可以选择构成光激活区的材料，使得λ1与λ2至少相差大约10％。器件还可以包括布置成与每个光激活区的有机受主材料相邻并与之直接接触的激子阻挡层，其中除了最接近于阴极之外的每个激子阻挡层的LUMO比受主材料的LUMO大不多于大约0.3eV。
-
公开(公告)号：CN102610627A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210099713.9
申请日：2005-07-29
Applicant: 普林斯顿大学理事会
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L27/302 , H01L51/0021 , H01L51/0046 , H01L51/0051 , H01L51/0053 , H01L51/0078 , H01L51/424 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , H01L2251/308 , Y02E10/549
Abstract: 提供一种层叠有机光敏器件，其具有第一电极、第二电极、具有特征吸收波长λ1的第一光激活区，以及具有特征吸收波长λ2的第二光激活区。将光激活区布置在第一和第二电极之间，并且还布置在反射层的相同一侧上，使得第一光激活区比第二光激活区更接近于反射层。可以选择构成光激活区的材料，使得λ1与λ2相差至少大约10％。器件还可以包括布置成与每个光激活区的有机受主材料相邻并与之直接接触的激子阻挡层，其中除了最接近于阴极之外的每个激子阻挡层的LUMO比受主材料的LUMO大不多于大约0.3eV。
-
公开(公告)号：CN101390229A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200680037739.3
申请日：2006-08-02
Applicant: 普林斯顿大学理事会
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 , 薛剑耿
IPC: H01L51/44
CPC classification number: H01L51/441 , H01L27/301 , H01L51/424 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种降低光敏性装置的串联电阻的方法，包括：提供布置在透明基底上的第一导电材料的透明膜；在第一导电材料上沉积并图案化掩模，使得在掩模中的开孔具有其狭窄部分靠近基底的倾斜侧面；将第二导电材料直接沉积到在掩模的开孔中暴露的第一导电材料上，至少部分地填充开孔；剥去掩模，留下由在掩模开孔中的沉积物形成的第二导电材料的凹入结构；剥去掩模之后，将第一有机材料沉积到凹入结构之间的第一导电材料上；和在凹入结构之间沉积的第一有机材料上定向地沉积第三导电材料，凹入结构的边缘对齐沉积，从而第三导电材料不直接接触第一导电材料且不直接接触第二导电材料。
-
公开(公告)号：CN101300690A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200680038863.1
申请日：2006-08-25
Applicant: 普林斯顿大学理事会
IPC: H01L51/44
CPC classification number: H01L51/448 , H01L27/301 , H01L51/424 , H01L51/441 , Y02E10/549
Abstract: 形成有机光敏性光电子装置，其中装置的电极包封有机光电导性材料。配置被布置在透明基底上的包含第一导电材料的第一透明膜。在第一导电材料上沉积第一光电导性有机材料。在第一光电导性有机材料上以不超过1nm/s的初始速率沉积金属，完全覆盖所述第一光电导性有机材料的任何暴露部分和与所述第一光电导性有机材料的任何暴露界面至不小于10nm的厚度。在得到不小于10nm的厚度之后，以初始速率的至少3倍的增加速率溅射金属，直到完全覆盖所述第一光电导性有机材料的先前暴露部分和与所述第一导电性有机材料的先前暴露界面的金属的累积厚度为至少250nm。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100565959C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200580033011.9
申请日：2005-07-29
Applicant: 普林斯顿大学理事会
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L27/302 , H01L51/0046 , H01L51/0051 , H01L51/0053 , H01L51/0059 , H01L51/0078 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 提供一种器件，其具有第一电极、第二电极、具有特征吸收波长λ1的第一光激活区，以及具有特征吸收波长λ2的第二光激活区。将光激活区布置在第一和第二电极之间，并且还布置在反射层的相同一侧上，使得第一光激活区比第二光激活区更接近于反射层。可以选择构成光激活区的材料，使得λ1与λ2相差至少大约10%。器件还可以包括布置成与每个光激活区的有机受主材料相邻并与之直接接触的激子阻挡层，其中除了最接近于阴极之外的每个激子阻挡层的LUMO比受主材料的LUMO大不多于大约0.3eV。
-
公开(公告)号：CN101088179A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200580033011.9
申请日：2005-07-29
Applicant: 普林斯顿大学理事会
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L27/302 , H01L51/0046 , H01L51/0051 , H01L51/0053 , H01L51/0059 , H01L51/0078 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 提供一种器件，其具有第一电极、第二电极、具有特征吸收波长λ1的第一光激活区，以及具有特征吸收波长λ2的第二光激活区。将光激活区布置在第一和第二电极之间，并且还布置在反射层的相同一侧上，使得第一光激活区比第二光激活区更接近于反射层。可以选择构成光激活区的材料，使得λ1与λ2相差至少大约10％。器件还可以包括布置成与每个光激活区的有机受主材料相邻并与之直接接触的激子阻挡层，其中除了最接近于阴极之外的每个激子阻挡层的LUMO比受主材料的LUMO大不多于大约0.3eV。
-
公开(公告)号：CN102610627B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201210099713.9
申请日：2005-07-29
Applicant: 普林斯顿大学理事会
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L27/302 , H01L51/0021 , H01L51/0046 , H01L51/0051 , H01L51/0053 , H01L51/0078 , H01L51/424 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , H01L2251/308 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供一种层叠有机光敏器件，其具有第一电极、第二电极、具有特征吸收波长λ1的第一光激活区，以及具有特征吸收波长λ2的第二光激活区。将光激活区布置在第一和第二电极之间，并且还布置在反射层的相同一侧上，使得第一光激活区比第二光激活区更接近于反射层。可以选择构成光激活区的材料，使得λ1与λ2相差至少大约10％。器件还可以包括布置成与每个光激活区的有机受主材料相邻并与之直接接触的激子阻挡层，其中除了最接近于阴极之外的每个激子阻挡层的LUMO比受主材料的LUMO大不多于大约0.3eV。
-
公开(公告)号：CN1998099B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200580017511.3
申请日：2005-04-12
Applicant: 普林斯顿大学理事会
IPC: H01L51/42
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L51/0046 , H01L51/0078 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , H01L2251/308 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供了一种器件，其具有第一电极、第二电极和布置在第一电极和第二电极之间的光活性区。光活性区包括含有有机受主材料和有机施主材料的混合物的第一有机层，其中第一有机层的厚度不大于0.8特征电荷迁移长度，以及与第一有机层直接接触的第二有机层，其中：第二有机层包含第一有机层的有机受主材料或有机施主材料的未混合层，并且第二有机层的厚度不小于大约0.1光学吸收长度。优选地，第一有机层的厚度不大于0.3特征电荷迁移长度。优选地，第二有机层的厚度不小于大约0.2光学吸收长度。本发明的实施方案能够具有2％或更大，并且优选5％或更大的功率效率。
-
公开(公告)号：CN101300690B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200680038863.1
申请日：2006-08-25
Applicant: 普林斯顿大学理事会
IPC: H01L51/44
CPC classification number: H01L51/448 , H01L27/301 , H01L51/424 , H01L51/441 , Y02E10/549
Abstract: 形成有机光敏性光电子装置，其中装置的电极包封有机光电导性材料。配置被布置在透明基底上的包含第一导电材料的第一透明膜。在第一导电材料上沉积第一光电导性有机材料。在第一光电导性有机材料上以不超过1nm/s的初始速率沉积金属，完全覆盖所述第一光电导性有机材料的任何暴露部分和与所述第一光电导性有机材料的任何暴露界面至不小于10nm的厚度。在得到不小于10nm的厚度之后，以初始速率的至少3倍的增加速率溅射金属，直到完全覆盖所述第一光电导性有机材料的先前暴露部分和与所述第一导电性有机材料的先前暴露界面的金属的累积厚度为至少250nm。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.027 seconds)
