公开(公告)号：CN106169463B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201610329719.9

申请日：2016-05-18

Applicant: 普罗科技有限公司

Inventor： 崔承焕 ,  韩太燮

IPC: H01L23/552

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/14 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3025

Abstract: 本发明提供一种形成电磁干扰屏蔽层的方法和用于所述方法的基带，且更确切地说，提供一种在具有下表面(在下表面上形成多个焊料球)的BGA半导体封装的上表面和侧表面上形成用于阻挡EMI的屏蔽层的方法以及在所述方法中使用的基带。该方法包括：提供球栅阵列半导体封装；提供基带；通过抵着基带按压球栅阵列半导体封装；通过在封装‑带组合件上溅镀导电层；从封装‑带组合件移除基带。根据形成BGA半导体封装的EMI屏蔽层的方法，可以通过使用基带在BGA半导体封装上快速地、容易地且有效地形成EMI屏蔽层，由此不仅提高过程效率而且显着减少制造成本。

公开(公告)号：CN106169463A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610329719.9

申请日：2016-05-18

Applicant: 普罗科技有限公司

Inventor： 崔承焕 ,  韩太燮

IPC: H01L23/552

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/14 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3025

Abstract: 本发明提供一种形成电磁干扰屏蔽层的方法和用于所述方法的基带，且更确切地说，提供一种在具有下表面(在下表面上形成多个焊料球)的BGA半导体封装的上表面和侧表面上形成用于阻挡EMI的屏蔽层的方法以及在所述方法中使用的基带。该方法包括：提供球栅阵列半导体封装；提供基带；通过抵着基带按压球栅阵列半导体封装；通过在封装‑带组合件上溅镀导电层；从封装‑带组合件移除基带。根据形成BGA半导体封装的EMI屏蔽层的方法，可以通过使用基带在BGA半导体封装上快速地、容易地且有效地形成EMI屏蔽层，由此不仅提高过程效率而且显着减少制造成本。