公开(公告)号：CN114447167A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202210008925.5

申请日：2018-01-26

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 潘永中 ,  蔡长祐 ,  胡庆忠 ,  陈明宝 ,  沈圻 ,  连伟杰

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/02

Abstract: 本发明公开一种半导体元件，其包含︰第一半导体结构；第二半导体结构，位于第一半导体结构上；活性区域，位于第一半导体结构以及第二半导体结构之间，活性区域包含交替的阱层以及阻障层，且各阻障层具有一能阶，活性区域还包含一面对第二半导体结构的上表面以及一相对于上表面的底表面；以及多个交替的第三半导体层以及第四半导体层位于第一半导体结构及活性区域之间；其中，第三半导体层的能阶大于第四半导体层的能阶；每一个第四半导体层包含一三族元素，且每一个第四半导体层的三族元素各具有一最高含量，较靠近活性区域的第四半导体层中的最高含量高于较靠近第一半导体结构的第四半导体层中的最高含量。

公开(公告)号：CN108365062B

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN201810076542.5

申请日：2018-01-26

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 潘永中 ,  蔡长祐 ,  胡庆忠 ,  陈明宝 ,  沈圻 ,  连伟杰

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14

Abstract: 本发明公开一种半导体元件，其包含︰一第一半导体结构；一第二半导体结构；一活性区域，活性区域包含交替的阱层以及阻障层，活性区域还包含一面对第二半导体结构的上表面以及一相反于上表面的底表面；一包含一第一电子阻挡层的电子阻挡区域，第一电子阻挡层的能阶大于其中阻障层的能阶；一第一含铝层，第一含铝层的能阶大于第一电子阻挡层的能阶，一位于活性区域的底表面以上的p型掺杂物，其包含一浓度轮廓，浓度轮廓包含一峰形，峰形具有一峰值浓度，峰值浓度位于活性区域的上表面起15nm至60nm的一距离内。

公开(公告)号：CN108365062A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810076542.5

申请日：2018-01-26

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 潘永中 ,  蔡长祐 ,  胡庆忠 ,  陈明宝 ,  沈圻 ,  连伟杰

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L23/53223 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/76846 ,  H01L29/205 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145

Abstract: 本发明公开一种半导体元件，其包含︰一第一半导体结构；一第二半导体结构；一活性区域，活性区域包含交替的阱层以及阻障层，活性区域还包含一面对第二半导体结构的上表面以及一相反于上表面的底表面；一包含一第一电子阻挡层的电子阻挡区域，第一电子阻挡层的能阶大于其中阻障层的能阶；一第一含铝层，第一含铝层的能阶大于第一电子阻挡层的能阶，一位于活性区域的底表面以上的p型掺杂物，其包含一浓度轮廓，浓度轮廓包含一峰形，峰形具有一峰值浓度，峰值浓度位于活性区域的上表面起15nm至60nm的一距离内。