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公开(公告)号：CN107330132B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201710068974.7
申请日：2017-02-08
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 穆罕默德·德里亚·特泰克 , 萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼 , 安德鲁·D·贝利三世 , 亚历克斯·帕特森 , 理查德·A·戈奇奥
IPC: G03F1/70 , G03F1/80 , G03F1/84 , G06F30/398
Abstract: 本发明涉及经反射光匹配和表面动力模型优化蚀刻轮廓的方法和装置。公开了优化计算机模型的方法，其通过使用多个模型参数(B)将半导体衬底上的特征的蚀刻轮廓与成组的独立输入参数(A)相关联。在一些实施方式中，所述方法可以包括：修改B的一个或多个值，以便相对于A的一组或者多组成组的值减少指示在从模型生成的计算反射光谱和对应的实验反射光谱之间的差的尺度。在一些实施方式中，计算所述尺度可以包括：将所述计算反射光谱和对应的实验反射光谱投射到经降维的子空间上，并且计算投射到所述子空间上的所述反射光谱之间的差。还公开了实现这样的优化计算机模型的蚀刻系统。
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公开(公告)号：CN105047541A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510053668.7
申请日：2015-02-02
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 杰弗里·马克斯 , 理查德·A·戈奇奥 , 丹尼斯·M·豪斯曼 , 阿德里安·拉瓦伊 , 托马斯·尼斯利 , 斯利士·K·雷迪 , 巴德里·N·瓦拉达拉简 , 阿尔图尔·科利奇 , 乔治·安德鲁·安东内利
IPC: H01L21/033 , H01L21/67
CPC classification number: G03F1/76 , C23C18/14 , C23C18/1612 , C23C18/165 , C23C18/182 , G03F7/0043 , G03F7/16 , G03F7/167 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/3213
Abstract: 本发明涉及结合真空的硬掩模工艺和装置，具体而言，用于形成金属硬掩模的结合真空的无光致抗蚀剂的方法和装置可以提供低于30纳米图案的分辨率。在半导体衬底上沉积对图案化剂敏感的含金属(例如，金属盐或有机金属化合物)膜。含金属膜然后通过在真空环境下暴露于图案化剂而被直接图案化(即，不使用光致抗蚀剂)，从而形成所述金属掩模。例如，所述含金属膜是感光性的，图案化使用低于30nm波长的光的光刻(诸如EUV光刻)来进行。
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公开(公告)号：CN114026501B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202080046943.1
申请日：2020-06-25
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 萨曼莎·西亚姆华·坦 , 游正义 , 李达 , 范译文 , 潘阳 , 杰弗里·马克斯 , 理查德·A·戈奇奥 , 丹尼尔·彼得 , 蒂莫西·威廉·威德曼 , 鲍里斯·沃洛斯基 , 杨文兵
IPC: G03F7/36 , G03F7/40 , G03F7/16 , G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 光致抗蚀剂的显影对于例如用于在高分辨率图案化的背景下形成图案化掩模会是有用的。显影可使用例如卤化氢之类的含卤化物化学品而完成。使用干式或湿式沉积技术可在半导体衬底上沉积含金属抗蚀剂膜。该光致抗蚀剂膜可以是EUV敏感的含有机金属氧化物或含有机金属薄膜抗蚀剂。在暴露后，使用湿式或干式显影将经光图案化的含金属抗蚀剂进行显影。
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公开(公告)号：CN113420523A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110532314.6
申请日：2017-06-21
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼 , 理查德·怀斯 , 哈梅特·辛格 , 亚历克斯·帕特森 , 安德鲁·D·贝利三世 , 瓦希德·瓦赫迪 , 理查德·A·戈奇奥
IPC: G06F30/392 , G03F1/36 , G03F1/80 , G03F1/70 , G06F115/06
Abstract: 本发明涉及经边缘放置误差预测的光致抗蚀剂设计布局图案邻近校正。公开了为待在蚀刻操作中使用的光致抗蚀剂产生邻近校正设计布局的方法。所述方法可以包括识别初始设计布局中的特征，以及估计在蚀刻工艺期间在所述特征内的特征内等离子体通量(IFPF)的一个或多个数量特性。所述方法还可以包括通过将所述IFPF的所述一个或多个估计的数量特性与查找表(LUT，和/或通过用所述LUT训练的多变量模型的应用，例如通过机器学习方法(MLM)构建的)中的那些进行比较来估计所述特征的边缘放置误差(EPE)的数量特性，所述LUT将所述EPE的数量特性的值与所述IFPF的所述一个或多个数量特性的值相关联。此后，根据EPE的所所确定的数量特性修正所述初始设计布局。
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公开(公告)号：CN112526819A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011262730.0
申请日：2017-02-08
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 穆罕默德·德里亚·特泰克 , 萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼 , 安德鲁·D·贝利三世 , 亚历克斯·帕特森 , 理查德·A·戈奇奥
IPC: G03F1/70 , G03F1/80 , G03F1/84 , G06F30/398
Abstract: 本发明涉及经反射光匹配和表面动力模型优化蚀刻轮廓的方法和装置。公开了优化计算机模型的方法，其通过使用多个模型参数(B)将半导体衬底上的特征的蚀刻轮廓与成组的独立输入参数(A)相关联。在一些实施方式中，所述方法可以包括：修改B的一个或多个值，以便相对于A的一组或者多组成组的值减少指示在从模型生成的计算反射光谱和对应的实验反射光谱之间的差的尺度。在一些实施方式中，计算所述尺度可以包括：将所述计算反射光谱和对应的实验反射光谱投射到经降维的子空间上，并且计算投射到所述子空间上的所述反射光谱之间的差。还公开了实现这样的优化计算机模型的蚀刻系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109388842A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810902809.1
申请日：2018-08-09
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 穆罕默德·德里亚·特泰克 , 萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼 , 安德鲁·D·贝利三世 , 亚历克斯·帕特森 , 理查德·A·戈奇奥
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及经反射光匹配和表面动力模型优化蚀刻轮廓的方法和装置。公开了优化计算机模型的方法，其通过使用多个模型参数(B)将半导体衬底上的特征的蚀刻轮廓与成组的独立输入参数(A)相关联。在一些实施方式中，所述方法可以包括：修改B的一个或多个值，以便相对于A的一组或者多组成组的值减少指示在从模型生成的计算反射光谱和对应的实验反射光谱之间的差的尺度。在一些实施方式中，计算所述尺度可以包括：将所述计算反射光谱和对应的实验反射光谱投射到经降维的子空间上，并且计算投射到所述子空间上的所述反射光谱之间的差。还公开了实现这样的优化计算机模型的蚀刻系统。
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公开(公告)号：CN113302478B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202080008796.9
申请日：2020-01-10
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: G01N21/95 , G06F18/241 , G01N21/88 , G06N3/0464 , G06N3/09 , G06F18/243
Abstract: 可利用计算缺陷分析系统对包含电子组件的衬底上的缺陷进行分类，该计算缺陷分析系统可以多个阶段实现。例如，第一阶段分类引擎可处理计量数据以产生缺陷的初始分类。第二阶段分类引擎可利用该初始分类、以及制造信息和/或先验缺陷知识，以输出由一或更多个潜在来源造成缺陷的概率。
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公开(公告)号：CN116626993A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310318757.4
申请日：2021-07-02
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 游正义 , 萨曼塔·S·H·坦 , 穆罕默德·哈隆·阿尔维 , 理查德·怀斯 , 潘阳 , 理查德·A·戈奇奥 , 阿德里安·拉沃伊 , 希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴保蒂 , 蒂莫西·威廉·威德曼 , 林庆煌 , 杰罗姆·胡巴塞克
Abstract: 在半导体衬底上制作薄膜的方法，该薄膜可以使用EUV进行图案化，该方法包括：将有机金属聚合物类材料沉积到半导体衬底的表面上，将表面暴露于EUV以形成图案，并显影图案以随后转移到下伏层。沉积操作可以通过化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)和具有CVD成分的ALD来执行，具有CVD成分的ALD例如在任一时间或空间分离金属前体和逆反应物的不连续的、类似ALD的工艺。
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公开(公告)号：CN107526864A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710475240.0
申请日：2017-06-21
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼 , 理查德·怀斯 , 哈梅特·辛格 , 亚历克斯·帕特森 , 安德鲁·D·贝利三世 , 瓦希德·瓦赫迪 , 理查德·A·戈奇奥
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G03F1/36 , G03F1/70 , G03F1/80 , G06F17/5081 , G06F17/5072 , G06F2217/64
Abstract: 本发明涉及经边缘放置误差预测的光致抗蚀剂设计布局图案邻近校正。公开了为待在蚀刻操作中使用的光致抗蚀剂产生邻近校正设计布局的方法。所述方法可以包括识别初始设计布局中的特征，以及估计在蚀刻工艺期间在所述特征内的特征内等离子体通量(IFPF)的一个或多个数量特性。所述方法还可以包括通过将所述IFPF的所述一个或多个估计的数量特性与查找表(LUT，和/或通过用所述LUT训练的多变量模型的应用，例如通过机器学习方法(MLM)构建的)中的那些进行比较来估计所述特征的边缘放置误差(EPE)的数量特性，所述LUT将所述EPE的数量特性的值与所述IFPF的所述一个或多个数量特性的值相关联。此后，根据EPE的所确定的数量特性修正所述初始设计布局。
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公开(公告)号：CN112088423B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN201980030046.9
申请日：2019-04-23
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 使用机器学习模型预测热蚀刻反应中的蚀刻。使用量子力学模拟来识别给定热蚀刻反应的一或多个反应路径中的蚀刻工艺的化学特性和相关能量。指示蚀刻特性的标签可与给定热蚀刻反应的化学特性和相关能量相关联。机器学习模型可使用化学特性和相关能量作为自变量以及使用标签作为不同类型的许多不同蚀刻反应的因变量来进行训练。当在机器学习模型中提供新的热蚀刻反应的化学特性和相关能量作为输入时，机器学习模型可准确地预测新的热蚀刻反应的蚀刻特性作为输出。
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