-
公开(公告)号：CN103620729B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201280018081.7
申请日：2012-04-10
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 约翰·帕特里克·霍兰 , 彼得·L·G·温特泽克 , 哈梅特·辛格 , 品川俊 , 越石光
Abstract: 半导体衬底处理系统包括处理室和限定为在所述处理室中支撑衬底的衬底支撑件。该系统还包括限定为与所述处理室分隔的等离子体室。所述等离子体室被限定来产生等离子体。该系统还包括流体连接所述等离子体室和所述处理室的多个流体传输通路。所述多个流体传输通路被限定来将所述等离子体的反应性成分从所述等离子体室供应到所述处理室。该系统进一步包括用于将电子注入到所述处理室中的电子注入设备以控制所述处理室内的电子能量分布以便进而控制所述处理室内的离子对自由基的密度比例。在一实施方式中，电子束源被限定来在所述衬底支撑件之上且跨越所述衬底支撑件传送电子束穿过所述处理室。
-
公开(公告)号：CN104037065A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410290445.8
申请日：2008-11-07
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 金智洙 , 柯南·江 , 品川俊 , S·M·列扎·萨贾迪
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31612 , H01L21/31654 , H01L21/32139
Abstract: 提供一种用于蚀刻蚀刻层的方法，该蚀刻层位于衬底上方且在反射涂覆(ARC)层和具有掩模特征的图案化有机掩模下。将该衬底放在处理室中。打开该ARC层。形成氧化物垫片沉积层。部分除去该有机掩模上的该氧化物垫片沉积层，其中该氧化物垫片沉积层的至少该顶部部分被除去。通过蚀刻除去该有机掩模和该ARC层。穿过该氧化物垫片沉积层的该侧壁蚀刻该蚀刻层。从该处理室除去该衬底。
-
公开(公告)号：CN103620729A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280018081.7
申请日：2012-04-10
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 约翰·帕特里克·霍兰 , 彼得·L·G·温特泽克 , 哈梅特·辛格 , 品川俊 , 越石光
Abstract: 半导体衬底处理系统包括处理室和限定为在所述处理室中支撑衬底的衬底支撑件。该系统还包括限定为与所述处理室分隔的等离子体室。所述等离子体室被限定来产生等离子体。该系统还包括流体连接所述等离子体室和所述处理室的多个流体传输通路。所述多个流体传输通路被限定来将所述等离子体的反应性成分从所述等离子体室供应到所述处理室。该系统进一步包括用于将电子注入到所述处理室中的电子注入设备以控制所述处理室内的电子能量分布以便进而控制所述处理室内的离子对自由基的密度比例。在一实施方式中，电子束源被限定来在所述衬底支撑件之上且跨越所述衬底支撑件传送电子束穿过所述处理室。
-
公开(公告)号：CN101855706A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200880115933.8
申请日：2008-11-07
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 金智洙 , 柯南·江 , 品川俊 , S·M·列扎·萨贾迪
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31612 , H01L21/31654 , H01L21/32139
Abstract: 提供一种用于蚀刻蚀刻层的方法，该蚀刻层位于衬底上方且在防反射涂覆(ARC)层和具有掩模特征的图案化有机掩模下。将该衬底放在处理室中。打开该ARC层。形成氧化物垫片沉积层。部分除去该有机掩模上的该氧化物垫片沉积层，其中该氧化物垫片沉积层的至少该顶部部分被除去。通过蚀刻除去该有机掩模和该ARC层。穿过该氧化物垫片沉积层的该侧壁蚀刻该蚀刻层。从该处理室除去该衬底。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.019 seconds)
