公开(公告)号：CN112136206B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN201980033022.9

申请日：2019-05-10

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 纳格拉杰·尚卡尔 ,  杰弗里·D·沃马克 ,  梅里哈·歌德·兰维尔 ,  埃米尔·C·德拉佩 ,  潘卡伊·G·拉玛尼 ,  毕峰 ,  张鹏翼 ,  伊尔哈姆·莫希米 ,  卡普·瑟里什·雷迪

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 提供用于独立输送不同的、相互反应的工艺气体至晶片处理空间的喷头。所述喷头包含具有经由间隙而彼此隔开的多个充气室结构的第一气体分配器、以及定位于所述第一气体分配器上方的第二气体分配器。可使来自第二气体分配器的隔离气体向下流至第一气体分配器上并通过第一气体分配器的所述充气室结构之间的间隙，从而建立隔离气体帘，其避免从各充气室结构释出的工艺气体寄生性地沉积于提供其他气体的充气室结构上。

公开(公告)号：CN115354302A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210890156.6

申请日：2019-05-10

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 纳格拉杰·尚卡尔 ,  杰弗里·D·沃马克 ,  梅里哈·歌德·兰维尔 ,  埃米尔·C·德拉佩 ,  潘卡伊·G·拉玛尼 ,  毕峰 ,  张鹏翼 ,  伊尔哈姆·莫希米 ,  卡普·瑟里什·雷迪

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67

Abstract: 提供用于独立输送不同的、相互反应的工艺气体至晶片处理空间的喷头。所述喷头包含具有经由间隙而彼此隔开的多个充气室结构的第一气体分配器、以及定位于所述第一气体分配器上方的第二气体分配器。可使来自第二气体分配器的隔离气体向下流至第一气体分配器上并通过第一气体分配器的所述充气室结构之间的间隙，从而建立隔离气体帘，其避免从各充气室结构释出的工艺气体寄生性地沉积于提供其他气体的充气室结构上。

公开(公告)号：CN119404286A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202380043037.X

申请日：2023-04-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 达斯汀·扎卡里·奥斯丁 ,  布莱斯·以赛亚·埃德蒙森 ,  丹尼斯·M·豪斯曼 ,  马拉克·霍贾斯特赫 ,  马修·帕尔默·关 ,  爱思特·杰恩 ,  王宇希 ,  龚波 ,  安德鲁·约翰·麦克罗 ,  凯尔·瓦特·哈特 ,  雷切尔·E·巴策尔 ,  郭曈曈 ,  赫克托·亚伦·富斯特 ,  鲍里斯·沃洛斯基 ,  弗朗西斯科·J·华雷斯 ,  大卫·艾伦·唐斯 ,  埃米尔·C·德拉佩 ,  杰亚·普拉卡什·加内桑 ,  安·埃里克森 ,  塔凤金

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了在半导体衬底上形成含金属层的方法，其可包括执行以下操作的多个循环：(a)使含金属前体与反应物共同流入容纳半导体衬底的处理室中；以及(b)在(a)之后，使反应物流入容纳半导体衬底的处理室中，其中反应物不与气相含金属前体反应。还提供了清洁处理室的方法。

公开(公告)号：CN112136206A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201980033022.9

申请日：2019-05-10

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 纳格拉杰·尚卡尔 ,  杰弗里·D·沃马克 ,  梅里哈·歌德·兰维尔 ,  埃米尔·C·德拉佩 ,  潘卡伊·G·拉玛尼 ,  毕峰 ,  张鹏翼 ,  伊尔哈姆·莫希米 ,  卡普·瑟里什·雷迪

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 提供用于独立输送不同的、相互反应的工艺气体至晶片处理空间的喷头。所述喷头包含具有经由间隙而彼此隔开的多个充气室结构的第一气体分配器、以及定位于所述第一气体分配器上方的第二气体分配器。可使来自第二气体分配器的隔离气体向下流至第一气体分配器上并通过第一气体分配器的所述充气室结构之间的间隙，从而建立隔离气体帘，其避免从各充气室结构释出的工艺气体寄生性地沉积于提供其他气体的充气室结构上。