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公开(公告)号：CN112262464B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN201980039640.4
申请日：2019-06-06
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 达莫达尔·拉贾拉姆·尚巴格 , 纳格拉杰·尚卡尔
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , C23C16/455
Abstract: 一种用于衬底处理室的喷头包含：内壁；内充气腔，其位于所述内壁之间；面板，其具有第一表面与第二表面，所述第二表面与所述第一表面相反；穿过所述面板的孔，其从所述第一表面延伸到所述第二表面；第一入口，其与所述内充气腔流体地连接；外壁；第一外充气腔，其位于所述内壁与所述外壁之间；第二外充气腔，其位于所述内壁与所述外壁之间；以及冷却剂通道，其：使所述第一外充气腔与所述第二外充气腔流体地连接；设置在所述面板内且在所述第一与第二表面之间；并且与所述孔流体地隔离。所述喷头还包括：第二入口，其与所述第一外充气腔流体地连接。
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公开(公告)号：CN112106184B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201980031248.5
申请日：2019-05-06
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 提出了用于选择性沉积蚀刻停止层以在半导体制造期间增强图案化的方法、系统和计算机程序。一种方法包括以下操作：在衬底的基材(M1)的顶部添加光致抗蚀剂材料(M2)，M2限定用于在M1上方不存在M2的区域中蚀刻M1的图案。该方法还包括以下操作：在添加M2后，用氧化物材料(M3)保形地覆盖衬底；以及在所述保形地覆盖后，用填充材料M4对所述衬底进行间隙填充。此外，在所述间隙填充之后，使停止蚀刻材料(M5)选择性地在M3的暴露表面上生长而不在M4的表面上生长。另外，该方法还包括以下操作：在选择性地生长M5之后，从所述衬底上去除M4；以及在去除M4之后蚀刻所述衬底，以将所述图案转移到M1中。M5添加了蚀刻保护，从而能够更深地蚀刻到M1中。
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公开(公告)号：CN112106184A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980031248.5
申请日：2019-05-06
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 提出了用于选择性沉积蚀刻停止层以在半导体制造期间增强图案化的方法、系统和计算机程序。一种方法包括以下操作：在衬底的基材(M1)的顶部添加光致抗蚀剂材料(M2)，M2限定用于在M1上方不存在M2的区域中蚀刻M1的图案。该方法还包括以下操作：在添加M2后，用氧化物材料(M3)保形地覆盖衬底；以及在所述保形地覆盖后，用填充材料M4对所述衬底进行间隙填充。此外，在所述间隙填充之后，使停止蚀刻材料(M5)选择性地在M3的暴露表面上生长而不在M4的表面上生长。另外，该方法还包括以下操作：在选择性地生长M5之后，从所述衬底上去除M4；以及在去除M4之后蚀刻所述衬底，以将所述图案转移到M1中。M5添加了蚀刻保护，从而能够更深地蚀刻到M1中。
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公开(公告)号：CN115698375A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180043441.8
申请日：2021-10-08
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 施瑞拉姆·瓦桑特·巴帕特 , 潘卡杰·甘希亚姆·拉姆纳尼 , 布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯 , 克里斯多夫·马修·琼斯 , 柯蒂斯·W·贝利 , 埃米尔·德拉佩 , 纳格拉杰·尚卡尔
IPC: C23C16/455 , C23C16/509
Abstract: 在一些示例中，无面板喷头包含：包括背板的主体，该主体没有面板或充气室；气体供应杆，其使得气体能进入喷头；以及阻流板，其被支撑在邻近背板或气体供应杆处。无面板喷头还可以包含用于在背板或气体供应杆中的阻流板空腔中支撑阻流板的至少一个支撑元件。
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公开(公告)号：CN112136206A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201980033022.9
申请日：2019-05-10
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 纳格拉杰·尚卡尔 , 杰弗里·D·沃马克 , 梅里哈·歌德·兰维尔 , 埃米尔·C·德拉佩 , 潘卡伊·G·拉玛尼 , 毕峰 , 张鹏翼 , 伊尔哈姆·莫希米 , 卡普·瑟里什·雷迪
Abstract: 提供用于独立输送不同的、相互反应的工艺气体至晶片处理空间的喷头。所述喷头包含具有经由间隙而彼此隔开的多个充气室结构的第一气体分配器、以及定位于所述第一气体分配器上方的第二气体分配器。可使来自第二气体分配器的隔离气体向下流至第一气体分配器上并通过第一气体分配器的所述充气室结构之间的间隙，从而建立隔离气体帘，其避免从各充气室结构释出的工艺气体寄生性地沉积于提供其他气体的充气室结构上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104851796B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201510086588.1
申请日：2015-02-17
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/314 , H01L21/318 , C23C16/34
CPC classification number: H01L21/0254 , C23C16/045 , C23C16/303 , C23C16/45523 , C23C16/45544 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01L21/02178 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/28194 , H01L21/3141 , H01L21/76829 , H01L21/76831
Abstract: 本发明涉及用于保形氮化铝的高增长速率的工艺，具体提供了在半导体衬底上沉积保形氮化铝膜的方法。该方法包括：(a)将衬底暴露于含铝前体；(b)清扫所述含铝前体持续不足以基本上去除气相中的所有的所述含铝前体的时间；(c)将衬底暴露于含氮前体以形成氮化铝；(d)清扫含氮前体；以及(e)重复(a)至(d)。获得提高的增长速率和100％的台阶覆盖率和保形性。
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公开(公告)号：CN105405760A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510567857.6
申请日：2015-09-08
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 托马斯·韦勒·芒特斯尔 , 巴特·J·范施拉芬迪克 , 阿南达·K·巴纳基 , 纳格拉杰·尚卡尔
IPC: H01L21/335 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L21/02175 , H01L21/02178 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/02277 , H01L21/0228 , H01L21/28008 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/762 , H01L21/76224 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76897 , H01L29/517 , H01L29/66553 , H01L29/78 , H01L29/7845 , H01L29/66409 , H01L29/401 , H01L29/42316
Abstract: 本发明涉及用于自对准触点方案的牺牲金属前电介质。本申请中的各种实施例涉及在形成栅极和触点的背景下形成触点蚀刻停止层。在某些实施例中，使用新颖的流程，其可以包括在形成特定的触点蚀刻停止层之前沉积和移除牺牲金属前电介质材料。除了先前沉积的基础蚀刻停止层之外，还可以使用辅助触点蚀刻停止层。在某些情况下，触点蚀刻停止层是诸如氮化物或氧化物之类的包含金属的材料。在一些实施例中，触点蚀刻停止层可以通过循环气相沉积被沉积。在本申请中公开的流程提供了针对过度蚀刻栅极堆叠的改进了的保护，从而最小化了栅极到触点的泄漏。此外，在用于形成各种电介质材料的材料和沉积条件方面，所公开的流程导致了更宽的灵活性，从而最小化寄生电容。
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公开(公告)号：CN112136206B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN201980033022.9
申请日：2019-05-10
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 纳格拉杰·尚卡尔 , 杰弗里·D·沃马克 , 梅里哈·歌德·兰维尔 , 埃米尔·C·德拉佩 , 潘卡伊·G·拉玛尼 , 毕峰 , 张鹏翼 , 伊尔哈姆·莫希米 , 卡普·瑟里什·雷迪
Abstract: 提供用于独立输送不同的、相互反应的工艺气体至晶片处理空间的喷头。所述喷头包含具有经由间隙而彼此隔开的多个充气室结构的第一气体分配器、以及定位于所述第一气体分配器上方的第二气体分配器。可使来自第二气体分配器的隔离气体向下流至第一气体分配器上并通过第一气体分配器的所述充气室结构之间的间隙，从而建立隔离气体帘，其避免从各充气室结构释出的工艺气体寄生性地沉积于提供其他气体的充气室结构上。
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公开(公告)号：CN114156165A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111177993.6
申请日：2019-05-06
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/67 , H01L21/768 , C23C16/04 , C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/455 , G03F7/20
Abstract: 提出了用于选择性沉积蚀刻停止层以在半导体制造期间增强图案化的方法、系统和计算机程序。一种方法包括以下操作：在衬底的基材(M1)的顶部添加光致抗蚀剂材料(M2)，M2限定用于在M1上方不存在M2的区域中蚀刻M1的图案。该方法还包括以下操作：在添加M2后，用氧化物材料(M3)保形地覆盖衬底；以及在所述保形地覆盖后，用填充材料M4对所述衬底进行间隙填充。此外，在所述间隙填充之后，使停止蚀刻材料(M5)选择性地在M3的暴露表面上生长而不在M4的表面上生长。另外，该方法还包括以下操作：在选择性地生长M5之后，从所述衬底上去除M4；以及在去除M4之后蚀刻所述衬底，以将所述图案转移到M1中。M5添加了蚀刻保护，从而能够更深地蚀刻到M1中。
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公开(公告)号：CN108133880B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201711119934.7
申请日：2017-11-14
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 梅里哈·哥德·兰维尔 , 纳格拉杰·尚卡尔 , 卡普·斯里什·雷迪 , 丹尼斯·M·豪斯曼
IPC: H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及氧化铝蚀刻停止层的沉积。特征为介电常数(k)小于约7(例如介于约4‑6之间)和密度至少约2.5g/cm3(例如介于约3.0‑3.2g/cm3之间)的氧化铝膜被沉积在部分制造的半导体器件上在金属和电介质上以用作蚀刻停止层。使用不会导致金属的氧化损坏的沉积方法沉积膜。沉积涉及使含铝前体(例如三烷基铝)与醇和/或烷氧基铝反应。在一个实现方式中，该方法涉及使三甲基铝流动到容纳具有暴露的金属和电介质层的衬底的处理室；清扫和/或排空处理室；使叔丁醇流动到处理室，并使其与三甲基铝反应以形成氧化铝膜，并重复这些工艺步骤，直至形成所需厚度的膜。
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