公开(公告)号：CN117120938A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202280026951.9

申请日：2022-03-31

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 丹尼尔·彼得 ,  萨曼莎·西亚姆华·坦 ,  游正义 ,  李达 ,  薛猛 ,  崔旭 ,  金智妍 ,  艾伦·J·詹生 ,  沙赫德·哈桑·拉比卜 ,  李英熙 ,  赵鸿翔

IPC: G03F7/40

Abstract: 本文中提供用于控制半导体衬底上的含金属污染物的各种技术。此技术可涉及显影后烘烤处理、化学处理、等离子体处理、光处理及背侧与斜面边缘清洁的其中一者或更多。所述技术可依特定应用的需求而结合。在许多情况下，所述技术是用于解决在光致抗蚀剂显影操作期间产生的含金属污染物。

公开(公告)号：CN113906552A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202080032557.7

申请日：2020-04-27

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 杨文兵 ,  莫汉德·布鲁里 ,  萨曼莎·西亚姆华·坦 ,  李石柯 ,  范译文 ,  崔旭 ,  塔玛尔·穆克吉 ,  林染 ,  潘阳

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了一种用于对含金属层进行原子层蚀刻的方法。通过使所述含金属层的表面暴露于改性气体，使所述含金属层的表面的至少一区域改性以形成含改性金属区域，其中与所述含改性金属区域相邻的是含未改性金属区域。通过使所述含金属层的表面暴露于由惰性气体所产生的惰性轰击等离子体，相对于所述含未改性金属区域，选择性地移除所述含改性金属区域。

公开(公告)号：CN118020031A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202280066025.4

申请日：2022-07-20

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 丹尼尔·彼得 ,  薛猛 ,  李达 ,  游正义 ,  萨曼莎·西亚姆华·坦 ,  崔旭

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/004 ,  G03F7/11

Abstract: 公开了含金属光致抗蚀剂的光致抗蚀剂再加工。可以使用热处理通过将衬底暴露于升高的温度和蚀刻气体来完成再加工。还可以使用湿法处理将衬底暴露于无机酸性溶液中来完成再加工。再加工后，可以通过暴露于高温、等离子体或湿法清洁来清除衬底上的残留物或其他污染物。