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公开(公告)号：CN117120938A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202280026951.9
申请日：2022-03-31
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 丹尼尔·彼得 , 萨曼莎·西亚姆华·坦 , 游正义 , 李达 , 薛猛 , 崔旭 , 金智妍 , 艾伦·J·詹生 , 沙赫德·哈桑·拉比卜 , 李英熙 , 赵鸿翔
IPC: G03F7/40
Abstract: 本文中提供用于控制半导体衬底上的含金属污染物的各种技术。此技术可涉及显影后烘烤处理、化学处理、等离子体处理、光处理及背侧与斜面边缘清洁的其中一者或更多。所述技术可依特定应用的需求而结合。在许多情况下，所述技术是用于解决在光致抗蚀剂显影操作期间产生的含金属污染物。
