公开(公告)号：CN105719952A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510974810.1

申请日：2015-12-22

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 雷扎·阿尔加瓦尼 ,  沙尚克·C·德希穆克 ,  埃里克·A·赫德森 ,  汤姆·坎普 ,  萨曼莎·坦 ,  格拉尔多·阿德里安·德尔加迪诺

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/0234

Abstract: 本发明涉及于电介质蚀刻应用的集成蚀刻/清洁。本发明的实施方式涉及用于在电介质材料中蚀刻凹入特征的方法和装置。在各种实施方式中，凹入特征在两个蚀刻操作中形成。第一蚀刻操作部分地蚀刻特征，并且可在配置成产生电容耦合等离子体反应器中进行。第一蚀刻操作可以在由于离子穿透通过半导体材料之上的电介质而导致下伏的半导体材料经历实质性损害之前结束。第二蚀刻操作可以在配置成产生电感耦合等离子体反应器中进行。第一和第二蚀刻操作本身可以是多步骤的、循环的工艺。

公开(公告)号：CN105719952B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201510974810.1

申请日：2015-12-22

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 雷扎·阿尔加瓦尼 ,  沙尚克·C·德希穆克 ,  埃里克·A·赫德森 ,  汤姆·坎普 ,  萨曼莎·坦 ,  格拉尔多·阿德里安·德尔加迪诺

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及于电介质蚀刻应用的集成蚀刻/清洁。本发明的实施方式涉及用于在电介质材料中蚀刻凹入特征的方法和装置。在各种实施方式中，凹入特征在两个蚀刻操作中形成。第一蚀刻操作部分地蚀刻特征，并且可在配置成产生电容耦合等离子体反应器中进行。第一蚀刻操作可以在由于离子穿透通过半导体材料之上的电介质而导致下伏的半导体材料经历实质性损害之前结束。第二蚀刻操作可以在配置成产生电感耦合等离子体反应器中进行。第一和第二蚀刻操作本身可以是多步骤的、循环的工艺。

公开(公告)号：CN102652350B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080056019.8

申请日：2010-12-06

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 宏·石 ,  阿尔曼·阿沃杨 ,  沙尚克·C·德希穆克 ,  大卫·卡曼

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B08B3/08

Abstract: 一种从用于等离子体室内的上部电极清除金属污染物的方法。该方法包括在浓缩的氢氧化铵、过氧化氢和水组成的清洁溶液内浸泡上部电极的步骤。该清洁溶液内不含氢氟酸和盐酸。该方法还包括可选的步骤，即在稀硝酸内浸泡上部电极并冲洗已清洁过的上部电极。

公开(公告)号：CN102652350A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201080056019.8

申请日：2010-12-06

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 宏·石 ,  阿尔曼·阿沃杨 ,  沙尚克·C·德希穆克 ,  大卫·卡曼

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B08B3/08

Abstract: 一种从用于等离子体室内的上部电极清除金属污染物的方法。该方法包括在浓缩的氢氧化铵、过氧化氢和水组成的清洁溶液内浸泡上部电极的步骤。该清洁溶液内不含氢氟酸和盐酸。该方法还包括可选的步骤，即在稀硝酸内浸泡上部电极并冲洗已清洁过的上部电极。