公开(公告)号：CN116457914A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202180077468.9

申请日：2021-11-01

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 约翰·迈克尔·克恩斯 ,  大卫·约瑟夫·韦策尔 ,  许临 ,  潘卡基·哈扎里卡 ,  道格拉斯·德特尔特 ,  刘磊 ,  埃里克·A·佩普

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供用于形成等离子体处理室的构件的方法。提供内部模具。提供将该内部模具围绕的外部模具。用陶瓷粉末填充该外部模具，其中该陶瓷粉末围绕该内部模具。烧结该陶瓷粉末以形成实心部件。将该实心部件从该外部模具移除。

公开(公告)号：CN116490953A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202180074177.4

申请日：2021-10-27

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 潘卡基·哈扎里卡 ,  乔尔·霍林斯沃思 ,  马修·布莱恩·希克 ,  普拉蒂玛·杰恩拉奥

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了用于等离子体处理室系统中的部件。用于处理室系统中的部件包含主体部件本体，该主体部件本体包含镁铝氧氮化物和助烧结剂。该助烧结剂包含氧化钇、钇铝酸盐、稀土金属氧化物和稀土金属铝酸盐中的至少一者。

公开(公告)号：CN115004351A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202180011483.3

申请日：2021-01-26

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 皮林·萨罗博尔 ,  埃里克·萨穆隆 ,  潘卡基·哈扎里卡 ,  丹尼斯·史密斯 ,  库尔特·克恩 ,  德班詹·达斯 ,  达雷尔·埃利希 ,  埃里克·A·佩普 ,  马修·布莱恩·希克

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/687 ,  B23K26/26

Abstract: 提供了一种用于半导体腔室内的组件，该组件带有面向半导体腔室内的真空区域的激光纹理化表面。

公开(公告)号：CN115917722A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202180044243.3

申请日：2021-09-28

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 乔尔·霍林斯沃思 ,  兰基山·拉奥·林加姆帕利 ,  潘卡基·哈扎里卡

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H05B1/02 ,  H05B3/28 ,  H05B3/12

Abstract: 本文中的各种实施方案涉及用于制造用于半导体处理装置中的台板的技术，以及由这种技术生产的台板和中间结构。例如，这种技术可以包括在加热器上沉积涂层以形成具有涂层的加热器，其中加热器包括在其上形成有涂层的金属丝；将具有涂层的加热器放入粉末中；将粉末压实成内聚性块体，以形成粉末基复合材料；并烧结粉末基复合材料以形成压板，其中压板包括嵌入烧结陶瓷材料的加热器。加热器上的涂层可以起到保护加热器免受在烧结过程中可能存在的含碳和/或含氧化合物的化学物质侵蚀的作用。台板可以是基座的一部分，其一旦制造出来，就可以安装在半导体处理装置中。

公开(公告)号：CN114631167A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202080076017.9

申请日：2020-10-21

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 许临 ,  道格拉斯·德特尔特 ,  约翰·多尔蒂 ,  潘卡基·哈扎里卡 ,  萨蒂什·斯里尼瓦桑 ,  纳什·W·安德森 ,  约翰·迈克尔·克恩斯 ,  罗宾·科什伊 ,  大卫·约瑟夫·韦策尔 ,  刘磊 ,  埃里克·A·派普

IPC: H01J37/32

Abstract: 等离子体处理室的部件包含单晶金属氧化物材料。该等离子体处理室具有该部件的面向等离子体的至少一个表面。该部件可以由单晶金属氧化物锭机械加工而成。合适的单晶金属氧化物包括尖晶石、钇氧化物和钇铝石榴石(YAG)。可以机械加工单晶金属氧化物以形成等离子体处理室的气体注入器。

公开(公告)号：CN119054041A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202380029626.2

申请日：2023-03-21

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 许临 ,  萨蒂什·斯里尼瓦桑 ,  哈米特.辛格 ,  约翰·多尔蒂 ,  潘卡基·哈扎里卡

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种用于在低温下对晶片进行等离子体处理的装置。晶片支撑件适于在等离子体处理室内支撑晶片。气体源向等离子体处理室提供气体。冷却系统提供对晶片支撑件的冷却。一种组件包括放电等离子体烧结体，所述放电等离子体烧结体包含烧结粉末，所述烧结粉末包括以下至少一者：掺杂碳化硅粉末，其中掺杂剂是铝(Al)、钇(Y)、钨(W)、钽(Ta)、碳化钨(WC)、碳化钽(TaC)和铝硅碳化物(AlSiC)中的至少一者；或掺杂碳化物，其中所述碳化物是碳化硼(B4C)、WC或TaC中的至少一者，且其中掺杂剂是B、W、钼(Mo)、Al和Ta中的至少一者；或纯B4C、WC、TaC、W或Mo。

公开(公告)号：CN117897794A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202280056567.3

申请日：2022-08-04

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿米尔·A·亚西尔 ,  石洪 ,  萨蒂什·斯里尼瓦桑 ,  耶利米亚·迈克尔·德德里克 ,  潘卡基·哈扎里卡 ,  许临 ,  道格拉斯·德特尔特

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种处理用于半导体处理室中的陶瓷组件的方法，其中所述陶瓷组件包括陶瓷层压件，所述陶瓷层压件包括：基底区，其包含第一介电陶瓷材料，保护区，其中所述保护区包含第二介电陶瓷材料，以及过渡区，其位于所述保护区和所述基底区之间，其中所述过渡区包含所述第一介电陶瓷材料和所述第二介电陶瓷材料，其中所述陶瓷组件对紫外光的暴露使所述陶瓷组件的至少第一部分的光学特性改变。通过在炉中将所述陶瓷组件加热到400℃到1000℃之间的温度并且持续2小时至20小时之间的时段而提供对所述陶瓷组件的热处理，其中所述热处理使所述陶瓷组件的所述第一部分的所述光学特性改变。

公开(公告)号：CN115803470A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202180046549.2

申请日：2021-06-24

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 埃里克·A·佩普 ,  孔世钟 ,  潘卡基·哈扎里卡 ,  许临

IPC: C23C8/08

Abstract: 一种实施氟转化工艺以施加涂层至衬底处理系统的部件的表面的方法包括：将所述部件设置在处理室内；设定所述处理室的至少一个工艺参数；选择含氟气体以与所述部件的表面上的所述部件的所述基材进行反应；以及使所述含氟气体流至所述处理室中持续第一时段。所述含氟气体与所述部件的所述表面上的所述基材进行反应，以在所述表面上形成所述涂层，所述涂层由所述部件的所述基材和氟构成。