公开(公告)号：CN116802788A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202280011248.0

申请日：2022-01-06

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 潘卡伊·乔蒂·哈扎里卡 ,  皮林·萨罗博尔 ,  马修·布莱恩·希克 ,  塞耶达利雷萨·托尔巴蒂萨拉夫

IPC: H01L21/687

Abstract: 提出了半导体处理室部件和制造该部件的方法。一个部件包括含有金属材料的基座、金属基质复合材料(MMC)层和电介质层。MMC层至少部分覆盖基底，且MMC层包含金属材料作为连续相以及非金属材料作为分散相。此外，使用固态增材制造(SSAM)在基底上形成MMC层。介质层由非金属材料制成，直接位于MMC层上。

公开(公告)号：CN116490953A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202180074177.4

申请日：2021-10-27

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 潘卡基·哈扎里卡 ,  乔尔·霍林斯沃思 ,  马修·布莱恩·希克 ,  普拉蒂玛·杰恩拉奥

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了用于等离子体处理室系统中的部件。用于处理室系统中的部件包含主体部件本体，该主体部件本体包含镁铝氧氮化物和助烧结剂。该助烧结剂包含氧化钇、钇铝酸盐、稀土金属氧化物和稀土金属铝酸盐中的至少一者。

公开(公告)号：CN115004351A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202180011483.3

申请日：2021-01-26

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 皮林·萨罗博尔 ,  埃里克·萨穆隆 ,  潘卡基·哈扎里卡 ,  丹尼斯·史密斯 ,  库尔特·克恩 ,  德班詹·达斯 ,  达雷尔·埃利希 ,  埃里克·A·佩普 ,  马修·布莱恩·希克

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/687 ,  B23K26/26

Abstract: 提供了一种用于半导体腔室内的组件，该组件带有面向半导体腔室内的真空区域的激光纹理化表面。