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公开(公告)号：CN117488282A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311230692.4
申请日：2018-08-31
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/505
Abstract: 将射频源与等离子体处理系统的衬底支撑件连接的热阻流杆包含具有第一接头与第二接头的管状构件，第一接头用于连接至与衬底支撑件耦合的RF杆，第二接头用于连接至与RF源耦合的RF带。管状区段在第一与第二接头之间延伸。第一接头具有锥形末端区域以及切口，该锥形末端区域在朝向管状区段的方向上从第一接头的内表面倾斜至外表面，所述切口从第一接头的终端延伸指定距离。管状区段的外表面具有螺纹区域，该螺纹区域用于与环状盖部进行螺纹啮合，该环状盖部安装在第一接头之上并且在与第一接头的锥形末端区域接触时减小第一接头的内径。
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公开(公告)号：CN111052299B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201880057283.X
申请日：2018-08-31
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 将射频源与等离子体处理系统的衬底支撑件连接的热阻流杆包含具有第一接头与第二接头的管状构件，第一接头用于连接至与衬底支撑件耦合的RF杆，第二接头用于连接至与RF源耦合的RF带。管状区段在第一与第二接头之间延伸。第一接头具有锥形末端区域以及切口，该锥形末端区域在朝向管状区段的方向上从第一接头的内表面倾斜至外表面，所述切口从第一接头的终端延伸指定距离。管状区段的外表面具有螺纹区域，该螺纹区域用于与环状盖部进行螺纹啮合，该环状盖部安装在第一接头之上并且在与第一接头的锥形末端区域接触时减小第一接头的内径。
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公开(公告)号：CN108987229B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201810537225.9
申请日：2018-05-30
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 拉姆基什安·拉奥·林安帕里 , 乔尔·霍林斯沃思 , 布兰得利·贝克
IPC: H01J37/32 , C23C16/458
Abstract: 本发明涉及高温衬底基座模块及其组件。一种半导体衬底处理装置包括：具有处理区域的真空室，在所述处理区域中能处理半导体衬底；工艺气体源，其与所述真空室流体连通，以供给工艺气体到所述真空室中；喷头模块，来自所述工艺气体源的工艺气体通过该喷头模块供给到所述真空室的所述处理区域；以及衬底基座模块。衬底基座模块包括：由陶瓷材料制成的基座，所述基座具有上表面，所述上表面被配置成在处理期间支撑在其上的半导体衬底；杆，其由陶瓷材料制成；和位于所述杆的内部的由金属化陶瓷材料制成的背部气体管路。金属化陶瓷管路可用于将背部气体输送至衬底并将RF功率供应至基座中的嵌入式电极。
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公开(公告)号：CN111052299A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880057283.X
申请日：2018-08-31
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 将射频源与等离子体处理系统的衬底支撑件连接的热阻流杆包含具有第一接头与第二接头的管状构件，第一接头用于连接至与衬底支撑件耦合的RF杆，第二接头用于连接至与RF源耦合的RF带。管状区段在第一与第二接头之间延伸。第一接头具有锥形末端区域以及切口，该锥形末端区域在朝向管状区段的方向上从第一接头的内表面倾斜至外表面，所述切口从第一接头的终端延伸指定距离。管状区段的外表面具有螺纹区域，该螺纹区域用于与环状盖部进行螺纹啮合，该环状盖部安装在第一接头之上并且在与第一接头的锥形末端区域接触时减小第一接头的内径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116153754A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310024339.4
申请日：2018-05-30
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 拉姆基什安·拉奥·林安帕里 , 乔尔·霍林斯沃思 , 布兰得利·贝克
IPC: H01J37/32 , C23C16/458
Abstract: 本发明涉及高温衬底基座模块及其组件。一种半导体衬底处理装置包括：具有处理区域的真空室，在所述处理区域中能处理半导体衬底；工艺气体源，其与所述真空室流体连通，以供给工艺气体到所述真空室中；喷头模块，来自所述工艺气体源的工艺气体通过该喷头模块供给到所述真空室的所述处理区域；以及衬底基座模块。衬底基座模块包括：由陶瓷材料制成的基座，所述基座具有上表面，所述上表面被配置成在处理期间支撑在其上的半导体衬底；杆，其由陶瓷材料制成；和位于所述杆的内部的由金属化陶瓷材料制成的背部气体管路。金属化陶瓷管路可用于将背部气体输送至衬底并将RF功率供应至基座中的嵌入式电极。
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公开(公告)号：CN115103929A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202180014767.8
申请日：2021-02-17
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 拉梅什·钱德拉塞卡拉 , 卡尔·弗雷德里克·利瑟 , 克里斯多夫·盖奇 , 塞舒·尼玛拉 , 兰基山·拉奥·林加姆帕利 , 乔尔·霍林斯沃思 , 文森特·布克哈特 , 威廉·拉弗蒂 , 谢尔盖·格奥尔吉耶维奇·别洛斯托茨基
IPC: C23C16/458 , C23C16/46
Abstract: 一种用于衬底支撑件的基板包含：加热器层，其被配置成选择性加热所述基板；以及散热器，其被设置在所述加热器层和所述基板的上表面之间。所述散热器被配置成将所述加热器层提供的热能分布至所述整个基板。所述基板包含第一材料，所述第一材料具有第一热膨胀系数(CTE)和第一热传导率。所述散热器包含第二材料，所述第二材料具有第二CTE以及大于所述第一热传导率的第二热传导率。
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公开(公告)号：CN114846597A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080088821.9
申请日：2020-10-20
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 乔尔·霍林斯沃思 , 兰基山·拉奥·林加姆帕利 , 卡尔·弗雷德里克·利瑟 , 斯蒂芬·托平 , 诺亚·埃利奥特·贝克
IPC: H01L21/683 , H02N13/00 , H01L21/67 , C23C16/458
Abstract: 衬底支撑件包括单片式各向异性主体，其包括第一层、第二层和中间层。第一层由第一材料形成并且其中设置有RF和夹持电极。第二层由第一材料或第二材料形成，其中设置有加热元件。中间层由与第一层和第二层不同的材料形成，使得以下至少一者实现：中间层的热能传导率不同于第一或第二材料中的至少一者的热能传导率；或者，中间层的电导率不同于第一材料或第二材料中的至少一者的电导率。或者中间层设置在第一层和第二层之间，或者第二层设置在第一层和中间层之间。
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公开(公告)号：CN118591874A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202380015927.X
申请日：2023-01-27
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 帕特里克·G·布莱琳 , 谢尔盖·G·别洛斯托茨基 , 蒂莫西·S·托马斯 , 乔尔·霍林斯沃思 , 拉梅什·钱德拉塞卡拉 , 穆罕默德·瓦希迪
IPC: H01L21/687 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明描述了一种晶片卡盘组件，其包含具有一或多个等离子体电极的平台以及射频(RF)组件，射频(RF)组件包含电耦合至一或多个等离子体电极的至少一个RF导体。该至少一个RF导体包含杆，其杆尖耦合至该一或多个等离子体电极，以及其杆柄机械性地耦合至具有中空内部的热扼流器。该杆包含第一导电材料且具有第一宽度和第一长度。热扼流器包含第二导电材料且具有第二宽度和第二长度；且第二宽度等于或大于第一宽度。
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公开(公告)号：CN115917722A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180044243.3
申请日：2021-09-28
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 乔尔·霍林斯沃思 , 兰基山·拉奥·林加姆帕利 , 潘卡基·哈扎里卡
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H05B1/02 , H05B3/28 , H05B3/12
Abstract: 本文中的各种实施方案涉及用于制造用于半导体处理装置中的台板的技术，以及由这种技术生产的台板和中间结构。例如，这种技术可以包括在加热器上沉积涂层以形成具有涂层的加热器，其中加热器包括在其上形成有涂层的金属丝；将具有涂层的加热器放入粉末中；将粉末压实成内聚性块体，以形成粉末基复合材料；并烧结粉末基复合材料以形成压板，其中压板包括嵌入烧结陶瓷材料的加热器。加热器上的涂层可以起到保护加热器免受在烧结过程中可能存在的含碳和/或含氧化合物的化学物质侵蚀的作用。台板可以是基座的一部分，其一旦制造出来，就可以安装在半导体处理装置中。
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