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公开(公告)号：CN103959918A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280056601.3
申请日：2012-11-07
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H05H1/02
CPC classification number: H01J37/3211
Abstract: 一般来讲，本发明通过提供一种分布式多区等离子体源来满足这些需求。应当理解的是，本发明可以实施为多种方式，包括过程、装置、系统、计算机可读介质或设备。以下描述本发明的一些创造性实施例。一个实施例提供了一种包括在处理室顶部的多个等离子体源的处理室。所述等离子体源中的每一个是包括一次绕组和多个铁氧体的环形等离子体源。多个等离子体室出口可以将所述多个等离子体源中的每一个的等离子体室耦合到所述处理室。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102753723A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201080054616.7
申请日：2010-12-02
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/00
CPC classification number: H01J37/32366 , C23C16/50 , C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/513 , H01J37/32082 , H01J37/32137 , H01J37/32376 , H01L21/6719 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68785
Abstract: 本发明提供了用于模拟数据中心的元件的非标准操作的计算机实现方法和数据中心管理装置。所述方法包括如下行为：确定受数据中心元件影响的一个数据中心源、基于该数据中心源和该数据中心元件从多个模拟器中选择模拟器以及利用该模拟器生成该数据中心元件的非标准操作的影响分析。该数据中心管理装置包括网络接口、存储器以及耦合到该网络接口和该存储器的控制器。该控制器被配置来确定受数据中心元件影响的数据中心源、基于该该数据中心源和该数据中心元件从多个模拟器中选择模拟器并利用该第一模拟器生成该数据中心元件的非标准操作的影响分析。
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公开(公告)号：CN102753723B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201080054616.7
申请日：2010-12-02
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/00
CPC classification number: H01J37/32366 , C23C16/50 , C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/513 , H01J37/32082 , H01J37/32137 , H01J37/32376 , H01L21/6719 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68785
Abstract: 本发明涉及一种等离子体蚀刻处理工具。所述的等离子体蚀刻处理工具包括：衬底支撑件，用于支撑具有衬底表面面积的衬底；处理头，包括具有朝向所述衬底支撑件上方的开口侧的等离子体微型腔室，等离子体微型腔室的所述开口侧具有小于所述衬底表面面积的处理面积；密封结构，被限定于所述衬底支撑件和所述处理头之间；以及电源，被连接到所述等离子体微型腔室和所述衬底支撑件。本发明还涉及一种等离子体蚀刻处理方法。
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公开(公告)号：CN103959918B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201280056601.3
申请日：2012-11-07
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H05H1/02
CPC classification number: H01J37/3211
Abstract: 本发明涉及分布式多区等离子体源的系统、方法及设备。应当理解的是，本发明可以实施为多种方式，包括过程、装置、系统、计算机可读介质或设备。以下描述本发明的一些创造性实施例。一个实施例提供了一种包括在处理室顶部的多个等离子体源的处理室。所述等离子体源中的每一个是包括一次绕组和多个铁氧体的环形等离子体源。多个等离子体室出口可以将所述多个等离子体源中的每一个的等离子体室耦合到所述处理室。
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公开(公告)号：CN103748665B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201280022675.5
申请日：2012-05-07
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 约翰·帕特里克·霍兰 , 彼得·L·G·温特泽克 , 哈梅特·辛格 , 理查德·戈特朔
IPC: H01L21/306
Abstract: 一种半导体衬底处理系统包括衬底支撑件，该衬底支撑件被限定来支撑暴露于处理区域的衬底。该系统还包括第一等离子体室，该第一等离子体室被限定来产生第一等离子体并将所述第一等离子体的反应性成分供应到所述处理区域。该系统还包括第二等离子体室，该第二等离子体室被限定来产生第二等离子体并将所述第二等离子体的反应性成分供应到所述处理区域。所述第一和第二等离子体室被限定为是独立受控的。
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公开(公告)号：CN103748665A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201280022675.5
申请日：2012-05-07
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 约翰·帕特里克·霍兰 , 彼得·L·G·温特泽克 , 哈梅特·辛格 , 理查德·戈特朔
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67011 , H01J37/32082 , H01J37/32633 , H01J37/32899
Abstract: 一种半导体衬底处理系统包括衬底支撑件，该衬底支撑件被限定来支撑暴露于处理区域的衬底。该系统还包括第一等离子体室，该第一等离子体室被限定来产生第一等离子体并将所述第一等离子体的反应性成分供应到所述处理区域。该系统还包括第二等离子体室，该第二等离子体室被限定来产生第二等离子体并将所述第二等离子体的反应性成分供应到所述处理区域。所述第一和第二等离子体室被限定为是独立受控的。
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