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公开(公告)号：CN101426949B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN200780006844.5
申请日：2007-02-16
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 拉金德尔·德辛德萨 , 穆昆德·斯里尼瓦桑 , 竹下健二 , 阿列克谢·马拉赫塔诺夫 , 安德烈亚斯·菲舍尔
IPC: C23C16/00 , H01L21/306
CPC classification number: H01J37/32862 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32642
Abstract: 大体上说，本发明通过提供改进的处理清洁机制满足了这些需求。本发明也可用来提供额外的调整蚀刻处理用的旋钮。在一实施例中，一种配置为产生等离子的等离子处理室包含了具有下电极的下电极组件，其中该下电极配置为容纳基片。等离子处理室还包含具有上电极及围绕上电极的感应线圈的上电极组件。感应线圈配置为限定在处理室内的区域中将气体转变为等离子，其中该区域位于限定在下电极的上表面上方的区域的外部。
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公开(公告)号：CN101889329B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880114683.6
申请日：2008-10-27
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C04B35/593 , C04B2235/3206 , C04B2235/3418 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , H01J37/32467 , H01L21/3065
Abstract: 提供一种增加等离子蚀刻室清洁之间的平均时间和室部件寿命的方法。半导体基片在该室中等离子蚀刻，同时使用至少一个暴露于离子轰击和/或离子化卤素气体的、烧结的氮化硅部件。该烧结的氮化硅部件包括高纯度氮化硅和由二氧化硅组成的烧结辅料。等离子处理室设为包括该烧结的氮化硅部件。一种减少等离子处理过程中该硅基片的表面上金属污染物的方法提供包括一个或多个烧结的氮化硅部件的等离子处理设备。一种制造等离子蚀刻室中暴露于离子轰击和/或等离子腐蚀的部件的方法，包括成形高纯度氮化硅和二氧化硅组成的粉末成分并使该成形部件致密。
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公开(公告)号：CN101185157B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200680018829.8
申请日：2006-03-07
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: 提供了一种用于蚀刻位于基片上且置于掩模下的介电层的方法。基片设置于等离子体处理室中。提供包括O2和硫成分气体的蚀刻剂气体到等离子体室，该硫成分气体包括H2S和含有至少一个碳硫键的化合物中的至少一种。等离子体从蚀刻剂气体形成。利用来自于蚀刻剂气体的等离子体，穿过光刻胶掩模，特征被蚀刻到蚀刻层中。
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公开(公告)号：CN101185157A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200680018829.8
申请日：2006-03-07
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: 提供了一种用于蚀刻位于基片上且置于掩模下的介电层的方法。基片设置于等离子体处理室中。提供包括O2和硫成分气体的蚀刻剂气体到等离子体室，该硫成分气体包括H2S和含有至少一个碳硫键的化合物中的至少一种。等离子体从蚀刻剂气体形成。利用来自于蚀刻剂气体的等离子体，穿过光刻胶掩模，特征被蚀刻到蚀刻层中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102753723B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201080054616.7
申请日：2010-12-02
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/00
CPC classification number: H01J37/32366 , C23C16/50 , C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/513 , H01J37/32082 , H01J37/32137 , H01J37/32376 , H01L21/6719 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68785
Abstract: 本发明涉及一种等离子体蚀刻处理工具。所述的等离子体蚀刻处理工具包括：衬底支撑件，用于支撑具有衬底表面面积的衬底；处理头，包括具有朝向所述衬底支撑件上方的开口侧的等离子体微型腔室，等离子体微型腔室的所述开口侧具有小于所述衬底表面面积的处理面积；密封结构，被限定于所述衬底支撑件和所述处理头之间；以及电源，被连接到所述等离子体微型腔室和所述衬底支撑件。本发明还涉及一种等离子体蚀刻处理方法。
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公开(公告)号：CN101889329A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880114683.6
申请日：2008-10-27
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C04B35/593 , C04B2235/3206 , C04B2235/3418 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , H01J37/32467 , H01L21/3065
Abstract: 提供一种增加等离子蚀刻室清洁之间的平均时间和室部件寿命的方法。半导体基片在该室中等离子蚀刻，同时使用至少一个暴露于离子轰击和/或离子化卤素气体的、烧结的氮化硅部件。该烧结的氮化硅部件包括高纯度氮化硅和由二氧化硅组成的烧结辅料。等离子处理室设为包括该烧结的氮化硅部件。一种减少等离子处理过程中该硅基片的表面上金属污染物的方法提供包括一个或多个烧结的氮化硅部件的等离子处理设备。一种制造等离子蚀刻室中暴露于离子轰击和/或等离子腐蚀的部件的方法，包括成形高纯度氮化硅和二氧化硅组成的粉末成分并使该成形部件致密。
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公开(公告)号：CN101389788A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200780006231.1
申请日：2007-02-16
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23F1/00 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67069 , C23C16/45521 , C23C16/4585 , H01J37/3244 , H01L21/68735
Abstract: 大体而言，本发明的实施例提供了改进的等离子处理机构、设备和方法以提高基片边缘处的处理均匀性。在一个示范性实施例中，提供一种等离子处理室。该等离子处理室包括一个配置为容纳基片的基片支撑件。该等离子处理室还包括一个具有多个限定于其中的气体通道的环形圈。该环形圈邻近该基片支撑件的外部边缘且该环形圈与该基片支撑件耦合。该多个气体通道连接至一个围绕该基片支撑件的边缘气体室。该边缘气体室通过多个气体供应管道连接至一个设置在该基片支撑件内且靠近该基片支撑件中心的中央气体室。
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公开(公告)号：CN102753723A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201080054616.7
申请日：2010-12-02
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/00
CPC classification number: H01J37/32366 , C23C16/50 , C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/513 , H01J37/32082 , H01J37/32137 , H01J37/32376 , H01L21/6719 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68785
Abstract: 本发明提供了用于模拟数据中心的元件的非标准操作的计算机实现方法和数据中心管理装置。所述方法包括如下行为：确定受数据中心元件影响的一个数据中心源、基于该数据中心源和该数据中心元件从多个模拟器中选择模拟器以及利用该模拟器生成该数据中心元件的非标准操作的影响分析。该数据中心管理装置包括网络接口、存储器以及耦合到该网络接口和该存储器的控制器。该控制器被配置来确定受数据中心元件影响的数据中心源、基于该该数据中心源和该数据中心元件从多个模拟器中选择模拟器并利用该第一模拟器生成该数据中心元件的非标准操作的影响分析。
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公开(公告)号：CN101426949A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780006844.5
申请日：2007-02-16
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 拉金德尔·德辛德萨 , 穆昆德·斯里尼瓦桑 , 竹下健二 , 阿列克谢·马拉赫塔诺夫 , 安德烈亚斯·菲舍尔
IPC: C23C16/00 , H01L21/306
CPC classification number: H01J37/32862 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32642
Abstract: 大体上说，本发明通过提供改进的处理清洁机制满足了这些需求。本发明也可用来提供额外的调整蚀刻处理用的旋钮。在一实施例中，一种配置为产生等离子的等离子处理室包含了具有下电极的下电极组件，其中该下电极配置为容纳基片。等离子处理室还包含具有上电极及围绕上电极的感应线圈的上电极组件。感应线圈配置为限定在处理室内的区域中将气体转变为等离子，其中该区域位于限定在下电极的上表面上方的区域的外部。
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