公开(公告)号：CN115004110A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202180009838.5

申请日：2021-07-02

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 游正义 ,  萨曼塔·S·H·坦 ,  穆罕默德·哈隆·阿尔维 ,  理查德·怀斯 ,  潘阳 ,  理查德·A·戈奇奥 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴保蒂 ,  蒂莫西·威廉·威德曼 ,  林庆煌 ,  杰罗姆·胡巴塞克

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/38 ,  G03F7/36 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/11 ,  H01L21/67

Abstract: 在半导体衬底上制作薄膜的方法，该薄膜可以使用EUV进行图案化，该方法包括：将有机金属聚合物类材料沉积到半导体衬底的表面上，将表面暴露于EUV以形成图案，并显影图案以随后转移到下伏层。沉积操作可以通过化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)和具有CVD成分的ALD来执行，具有CVD成分的ALD例如在任一时间或空间分离金属前体和逆反应物的不连续的、类似ALD的工艺。

公开(公告)号：CN116626993A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310318757.4

申请日：2021-07-02

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 游正义 ,  萨曼塔·S·H·坦 ,  穆罕默德·哈隆·阿尔维 ,  理查德·怀斯 ,  潘阳 ,  理查德·A·戈奇奥 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴保蒂 ,  蒂莫西·威廉·威德曼 ,  林庆煌 ,  杰罗姆·胡巴塞克

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/38 ,  G03F7/30 ,  G03F7/40 ,  G03F7/20

Abstract: 在半导体衬底上制作薄膜的方法，该薄膜可以使用EUV进行图案化，该方法包括：将有机金属聚合物类材料沉积到半导体衬底的表面上，将表面暴露于EUV以形成图案，并显影图案以随后转移到下伏层。沉积操作可以通过化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)和具有CVD成分的ALD来执行，具有CVD成分的ALD例如在任一时间或空间分离金属前体和逆反应物的不连续的、类似ALD的工艺。