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公开(公告)号：CN114026501B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202080046943.1
申请日：2020-06-25
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 萨曼莎·西亚姆华·坦 , 游正义 , 李达 , 范译文 , 潘阳 , 杰弗里·马克斯 , 理查德·A·戈奇奥 , 丹尼尔·彼得 , 蒂莫西·威廉·威德曼 , 鲍里斯·沃洛斯基 , 杨文兵
IPC: G03F7/36 , G03F7/40 , G03F7/16 , G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 光致抗蚀剂的显影对于例如用于在高分辨率图案化的背景下形成图案化掩模会是有用的。显影可使用例如卤化氢之类的含卤化物化学品而完成。使用干式或湿式沉积技术可在半导体衬底上沉积含金属抗蚀剂膜。该光致抗蚀剂膜可以是EUV敏感的含有机金属氧化物或含有机金属薄膜抗蚀剂。在暴露后，使用湿式或干式显影将经光图案化的含金属抗蚀剂进行显影。
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公开(公告)号：CN116134383A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180060341.6
申请日：2021-07-16
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 埃里克·卡尔文·汉森 , 蒂莫西·威廉·威德曼 , 吴呈昊 , 凯文·利·顾 , 德赖斯·狄克特斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开内容涉及使用金属螯合剂来处理暴露光致抗蚀剂膜。在特定实施方案中，金属螯合剂用于移除界面区域，从而提高图案化质量，该界面区域配置在暴露与未暴露区域之间或配置在暴露区域之内。
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公开(公告)号：CN115598943A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211142175.7
申请日：2021-11-09
Applicant: 朗姆研究公司(US)
Inventor： 德赖斯·狄克特斯 , 蒂莫西·威廉·威德曼
IPC: G03F7/42
Abstract: 含金属极紫外辐射(EUV)光致抗蚀剂的干法显影或干法去除在大气条件下进行或在没有真空设备的处理工具中进行。可以在大气压或过大气压下进行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。可以通过暴露于空气环境或使用非氧化性气体来执行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。处理室或模块可以被修改或集成以利用烘烤、晶片清洁、晶片处理或其他光致抗蚀剂加工功能执行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。在一些实施方案中，用于干法去除含金属的EUV光致抗蚀剂的处理室包括用于局部加热半导体衬底的加热组件和用于在半导体衬底上方进行局部气体输送的可移动排放喷嘴。
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公开(公告)号：CN118159914A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202380014188.2
申请日：2023-06-29
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 李达 , 金志妍 , 萨曼塔·S·H·坦 , 蒂莫西·威廉·威德曼
Abstract: 提供了用于在EUV暴露后显影基于光图案化的金属或金属氧化物的薄膜光致抗蚀剂，以去除非挥发性物质并阻止蚀刻停止的处理。用蚀刻剂和氧化剂交替处理的重复循环；或用蚀刻剂处理然后用清洗剂处理是去除光致抗蚀剂中不需要的未暴露部分的有效技术。
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公开(公告)号：CN113227909A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980085227.1
申请日：2019-12-19
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 鲍里斯·沃洛斯基 , 蒂莫西·威廉·威德曼 , 萨曼莎·西亚姆华·坦 , 吴呈昊 , 凯文·顾
Abstract: 抗蚀剂的干式显影可使用于例如在高分辨率图案化中形成图案化掩模。干式显影可有利地通过半导体衬底的处理方法来实现，该方法包括：在处理室中将已光图案化的抗蚀剂提供至半导体衬底上的衬底层上；以及通过以下方式对所述已光图案化的抗蚀剂进行干式显影：通过包括暴露于化学化合物以形成抗蚀剂掩模的干式显影处理来去除所述抗蚀剂的已暴露部分或未暴露部分。所述抗蚀剂可以是EUV敏感的含有机金属氧化物或有机金属的薄膜EUV抗蚀剂。
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公开(公告)号：CN116171403A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202180060488.5
申请日：2021-07-16
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 埃里克·卡尔文·汉森 , 吴呈昊 , 蒂莫西·威廉·威德曼
IPC: G03F7/004
Abstract: 本公开内容涉及利用有机锡(II)化合物所形成的膜、以和用于形成和利用该膜的方法。该膜可使用作为可光图案化膜或辐射敏感膜。在非限制性的实施方案中，辐射可包括极紫外线(EUV)或深紫外线(DUV)辐射。
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公开(公告)号：CN116134381A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180061016.1
申请日：2021-07-16
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 埃里克·卡尔文·汉森 , 吴呈昊 , 蒂莫西·威廉·威德曼
IPC: G03F7/16
Abstract: 本公开内容涉及用基于钽的前体形成的膜以及形成与使用此类膜的方法。膜可以用作光可图案化的膜或对辐射敏感的膜。在非限制性的实施方案中，辐射可包含极紫外线(EUV)或深紫外线(DUV)辐射。
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公开(公告)号：CN116134380A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180060331.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 埃里克·卡尔文·汉森 , 蒂莫西·威廉·威德曼 , 吴呈昊 , 林庆煌 , 基莱·乔丹·布莱克内 , 阿德里安·拉沃伊 , 希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴帕蒂 , 萨曼塔·S·H·坦 , 理查德·怀斯 , 潘阳 , 李英熙 , 卡蒂·林恩·纳尔迪 , 凯文·利·顾 , 鲍里斯·沃洛斯基
IPC: G03F7/004
Abstract: 本发明涉及用金属前体与有机前体形成的膜，以及形成并采用这种膜的方法。该膜可用作可光图案化膜或辐射敏感膜。在特定的实施方案中，该膜包括含金属层与有机层的交替层。在其他实施方案中，该膜包括沉积金属与有机成分的基质。
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公开(公告)号：CN115152008A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202180015520.8
申请日：2021-11-09
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 德赖斯·狄克特斯 , 蒂莫西·威廉·威德曼
Abstract: 含金属极紫外辐射(EUV)光致抗蚀剂的干法显影或干法去除在大气条件下进行或在没有真空设备的处理工具中进行。可以在大气压或过大气压下进行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。可以通过暴露于空气环境或使用非氧化性气体来执行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。处理室或模块可以被修改或集成以利用烘烤、晶片清洁、晶片处理或其他光致抗蚀剂加工功能执行含金属EUV光致抗蚀剂的干法去除。在一些实施方案中，用于干法去除含金属的EUV光致抗蚀剂的处理室包括用于局部加热半导体衬底的加热组件和用于在半导体衬底上方进行局部气体输送的可移动排放喷嘴。
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