公开(公告)号：CN119654701A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202380057601.3

申请日：2023-07-31

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 权炳锡 ,  黄彦辉 ,  苏玛娜·哈玛 ,  何钟硕 ,  法亚兹·A·谢赫

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  C23C16/24

Abstract: 提供了用于保持半导体晶片被夹持到静电卡盘的方法。半导体晶片可具有通过背面沉积而在晶片背面沉积的导电背面层。导电层能够增加晶片与静电卡盘之间的静电力，并抵消晶片因正面处理而可能具有的内部应力，从而保持晶片基本平坦。

公开(公告)号：CN119895532A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380066410.3

申请日：2023-09-11

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 苏玛娜·哈玛 ,  法亚兹·A·谢赫 ,  索尼亚·格林宁格

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32

Abstract: 一种复合纳米结晶硅层可通过在衬底上直接或间接沉积多晶硅子层而形成。非晶硅子层被沉积在多晶硅子层上。复合纳米结晶硅层可通过重复沉积多晶硅子层和非晶硅子层而形成。

公开(公告)号：CN119234054A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202380041768.0

申请日：2023-05-17

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿南达·K·巴纳基 ,  凯瑟琳·伊丽莎白·海恩斯 ,  苏玛娜·哈玛 ,  马来·米兰·萨曼塔雷 ,  普拉莫德·苏布拉莫尼姆 ,  卡普·瑟里什·雷迪

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02

Abstract: 本文所提供的是用于在衬底上制造高模量氧化物薄膜的降低温度的等离子体增强化学气相沉积处理。用于沉积该氧化物薄膜的衬底温度小于约700℃。

公开(公告)号：CN118339636A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280079498.8

申请日：2022-11-29

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 苏玛娜·哈玛 ,  法亚兹·A·谢赫

IPC: H01L21/302 ,  C23C16/505 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  H01L21/02

Abstract: 在半导体衬底上沉积高应力、热稳定的压缩氮化物膜。可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在产生具有高压缩膜应力并且当暴露于高于压缩氮化物的沉积温度的温度时具有最小应力偏移的压缩氮化物膜的条件下沉积压缩氮化物膜。在一些实现方案中，压缩氮化物膜是氮化硅膜。PECVD条件可以减少氮化硅中的Si‑H键的数量以获得改善的热稳定性。在一些实现方案中，高应力、热稳定氮化物膜沉积在半导体衬底的背面上以用于晶片弯曲补偿。

公开(公告)号：CN113892168A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202080039328.8

申请日：2020-03-26

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 巴特·J·范施拉芬迪克 ,  苏玛娜·哈玛 ,  欧铠麟 ,  李明 ,  马来·米兰·萨曼塔雷

IPC: H01L21/311 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578 ,  H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/505

Abstract: 公开了用于仅在例如3D NAND阶梯之类的结构的水平表面上形成硅氮化物(SiN)的方法。这允许用于后续形成通孔的较厚着陆垫。在一些实施方案中，所述方法涉及在阶梯上沉积SiN层，接着进行处理以相对于侧壁表面而选择性地使水平表面上的SiN层致密化。接着，执行湿蚀刻以将SiN从侧壁表面移除。选择性的处理在水平表面和侧壁之间造成明显不同的湿蚀刻速率(WER)。