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公开(公告)号：CN112435934A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010952967.5
申请日：2017-05-08
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 巴特·J·范施拉芬迪克 , 阿希尔·辛格哈尔 , 魏鸿吉 , 巴德里·N·瓦拉达拉简 , 凯文·M·麦克劳克林 , 凯西·霍尔德 , 阿南达·K·巴纳基
Abstract: 本发明提供了封装方法，具体提供了适于在低于约300℃的温度下沉积低氢含量的、密封的薄封装层的方法和装置。方法包括在将衬底暴露于沉积反应物时对等离子体施以脉冲，并且对沉积的封装膜后处理以使其致密化并降低氢含量。后处理方法包括在低于约300℃的衬底温度下周期性地暴露于没有反应物的惰性等离子体并暴露于紫外辐射。
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公开(公告)号：CN107346745B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201710316752.2
申请日：2017-05-08
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 巴特·J·范施拉芬迪克 , 阿希尔·辛格哈尔 , 魏鸿吉 , 巴德里·N·瓦拉达拉简 , 凯文·M·麦克劳克林 , 凯西·霍尔德 , 阿南达·K·巴纳基
Abstract: 本发明提供了封装方法，具体提供了适于在低于约300℃的温度下沉积低氢含量的、密封的薄封装层的方法和装置。方法包括在将衬底暴露于沉积反应物时对等离子体施以脉冲，并且对沉积的封装膜后处理以使其致密化并降低氢含量。后处理方法包括在低于约300℃的衬底温度下周期性地暴露于没有反应物的惰性等离子体并暴露于紫外辐射。
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公开(公告)号：CN115135801A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180016256.X
申请日：2021-02-23
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿南达·K·巴纳基 , 乔恩·亨利 , 卡普·斯里什·雷迪 , 克里斯多夫·尼古拉斯·亚丹萨
IPC: C23C16/32 , C23C16/505 , H01L21/02
Abstract: 本发明的各种实施方案涉及用于在衬底上沉积硼基陶瓷膜的方法、装置和系统。有利地，本文所述的硼基陶瓷膜可以在相对低的温度(例如，约600℃或更低)下形成，同时仍然获得表现出良好机械强度(例如，高硬度和杨氏模量)、良好的蚀刻选择性、非晶形态等的非常高质量的材料。这里的膜还具有低氢含量、低氧含量和低卤化物含量。在许多情况下，可以通过卤化硼和饱和或不饱和烃在等离子体存在下的反应形成膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107346745A
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201710316752.2
申请日：2017-05-08
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 巴特·J·范施拉芬迪克 , 阿希尔·辛格哈尔 , 魏鸿吉 , 巴德里·N·瓦拉达拉简 , 凯文·M·麦克劳克林 , 凯西·霍尔德 , 阿南达·K·巴纳基
Abstract: 本发明提供了封装方法，具体提供了适于在低于约300℃的温度下沉积低氢含量的、密封的薄封装层的方法和装置。方法包括在将衬底暴露于沉积反应物时对等离子体施以脉冲，并且对沉积的封装膜后处理以使其致密化并降低氢含量。后处理方法包括在低于约300℃的衬底温度下周期性地暴露于没有反应物的惰性等离子体并暴露于紫外辐射。
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公开(公告)号：CN112956026A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201980073253.2
申请日：2019-09-10
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 吴惠荣 , 巴特·J·范施拉芬迪克 , 马克·直司·川口 , 格伦·古纳万 , 杰伊·E·厄格洛 , 纳格拉杰·尚卡尔 , 高里·钱纳·卡玛蒂 , 凯文·M·麦克劳克林 , 阿南达·K·巴纳基 , 杨家岭 , 约翰·霍昂 , 亚伦·林恩·罗赞 , 南森·马塞尔怀特 , 沈美华 , 索斯藤·贝恩德·莱尔 , 迟昊 , 尼古拉斯·多米尼克·阿尔铁里
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11524 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 本文提供用于形成包括含金属层的图案化多层堆叠件的方法。方法涉及在包括待稍后移除并用金属代替的一牺牲层的多层堆叠件中使用含硅的非金属材料，同时维持蚀刻对比度以图案化多层堆叠件并在沉积金属之前选择性移除牺牲层。方法涉及使用硅碳氧化物代替硅氮化物、以及使用牺牲非金属材料代替含金属层，以制造多层堆叠件、图案化该多层堆叠件、选择性移除牺牲非金属材料以在堆叠件中留下空间、并将含金属材料沉积至空间中。牺牲非金属材料包括硅氮化物和掺杂的多晶硅、例如掺杂硼的硅。
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公开(公告)号：CN105405760B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201510567857.6
申请日：2015-09-08
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 托马斯·韦勒·芒特斯尔 , 巴特·J·范施拉芬迪克 , 阿南达·K·巴纳基 , 纳格拉杰·尚卡尔
IPC: H01L21/335 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及用于自对准触点方案的牺牲金属前电介质。本申请中的各种实施例涉及在形成栅极和触点的背景下形成触点蚀刻停止层。在某些实施例中，使用新颖的流程，其可以包括在形成特定的触点蚀刻停止层之前沉积和移除牺牲金属前电介质材料。除了先前沉积的基础蚀刻停止层之外，还可以使用辅助触点蚀刻停止层。在某些情况下，触点蚀刻停止层是诸如氮化物或氧化物之类的包含金属的材料。在一些实施例中，触点蚀刻停止层可以通过循环气相沉积被沉积。在本申请中公开的流程提供了针对过度蚀刻栅极堆叠的改进了的保护，从而最小化了栅极到触点的泄漏。此外，在用于形成各种电介质材料的材料和沉积条件方面，所公开的流程导致了更宽的灵活性，从而最小化寄生电容。
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公开(公告)号：CN119234054A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202380041768.0
申请日：2023-05-17
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿南达·K·巴纳基 , 凯瑟琳·伊丽莎白·海恩斯 , 苏玛娜·哈玛 , 马来·米兰·萨曼塔雷 , 普拉莫德·苏布拉莫尼姆 , 卡普·瑟里什·雷迪
IPC: C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/50 , H01L21/02
Abstract: 本文所提供的是用于在衬底上制造高模量氧化物薄膜的降低温度的等离子体增强化学气相沉积处理。用于沉积该氧化物薄膜的衬底温度小于约700℃。
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公开(公告)号：CN105405760A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510567857.6
申请日：2015-09-08
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 托马斯·韦勒·芒特斯尔 , 巴特·J·范施拉芬迪克 , 阿南达·K·巴纳基 , 纳格拉杰·尚卡尔
IPC: H01L21/335 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L21/02175 , H01L21/02178 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/02277 , H01L21/0228 , H01L21/28008 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/762 , H01L21/76224 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76897 , H01L29/517 , H01L29/66553 , H01L29/78 , H01L29/7845 , H01L29/66409 , H01L29/401 , H01L29/42316
Abstract: 本发明涉及用于自对准触点方案的牺牲金属前电介质。本申请中的各种实施例涉及在形成栅极和触点的背景下形成触点蚀刻停止层。在某些实施例中，使用新颖的流程，其可以包括在形成特定的触点蚀刻停止层之前沉积和移除牺牲金属前电介质材料。除了先前沉积的基础蚀刻停止层之外，还可以使用辅助触点蚀刻停止层。在某些情况下，触点蚀刻停止层是诸如氮化物或氧化物之类的包含金属的材料。在一些实施例中，触点蚀刻停止层可以通过循环气相沉积被沉积。在本申请中公开的流程提供了针对过度蚀刻栅极堆叠的改进了的保护，从而最小化了栅极到触点的泄漏。此外，在用于形成各种电介质材料的材料和沉积条件方面，所公开的流程导致了更宽的灵活性，从而最小化寄生电容。
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