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公开(公告)号：CN112435934A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010952967.5
申请日：2017-05-08
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 巴特·J·范施拉芬迪克 , 阿希尔·辛格哈尔 , 魏鸿吉 , 巴德里·N·瓦拉达拉简 , 凯文·M·麦克劳克林 , 凯西·霍尔德 , 阿南达·K·巴纳基
Abstract: 本发明提供了封装方法，具体提供了适于在低于约300℃的温度下沉积低氢含量的、密封的薄封装层的方法和装置。方法包括在将衬底暴露于沉积反应物时对等离子体施以脉冲，并且对沉积的封装膜后处理以使其致密化并降低氢含量。后处理方法包括在低于约300℃的衬底温度下周期性地暴露于没有反应物的惰性等离子体并暴露于紫外辐射。
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公开(公告)号：CN112640041B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN201980053179.8
申请日：2019-08-07
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿希尔·辛格哈尔 , 达斯汀·扎卡里·奥斯丁 , 何钟硕 , 刘培池
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 提供了一种从处理室清除SnO2残留物的方法以作为一实施方案。该方法实施方案包含将烃气和氢气以1％至60％的比率引入等离子体处理系统中。利用由等离子体源所产生的等离子体以从处理室的表面蚀刻该SnO2残留物。该SnH4气体与该烃气进行反应以生成可挥发的有机锡化合物。该方法还提供将该有机锡化合物从该处理室中排空。以1％至60％的比率将该烃气与该氢气一起引入使得SnH4气体分解成Sn粉末的速率降低。
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公开(公告)号：CN112640044A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980054180.2
申请日：2019-08-12
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿希尔·辛格哈尔 , 内德·莎玛 , 达斯汀·扎卡里·奥斯丁
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , G03F7/20
Abstract: 提供一种改善SnO2层的EUV光刻图案化的方法。一种方法实施方案包含将疏水性表面处理化合物引入至处理室中，以将SnO2层的表面改性。该改性使得该SnO2层的疏水性增强。该方法还提供通过旋转涂覆在该SnO2层的表面上沉积光致抗蚀剂层。对该SnO2层的表面进行改性使得旋转涂覆期间以及之后该光致抗蚀剂与该SnO2层之间的接触的粘附性增强。
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公开(公告)号：CN107346745A
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201710316752.2
申请日：2017-05-08
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 巴特·J·范施拉芬迪克 , 阿希尔·辛格哈尔 , 魏鸿吉 , 巴德里·N·瓦拉达拉简 , 凯文·M·麦克劳克林 , 凯西·霍尔德 , 阿南达·K·巴纳基
Abstract: 本发明提供了封装方法，具体提供了适于在低于约300℃的温度下沉积低氢含量的、密封的薄封装层的方法和装置。方法包括在将衬底暴露于沉积反应物时对等离子体施以脉冲，并且对沉积的封装膜后处理以使其致密化并降低氢含量。后处理方法包括在低于约300℃的衬底温度下周期性地暴露于没有反应物的惰性等离子体并暴露于紫外辐射。
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公开(公告)号：CN112640041A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980053179.8
申请日：2019-08-07
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿希尔·辛格哈尔 , 达斯汀·扎卡里·奥斯丁 , 何钟硕 , 刘培池
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 提供了一种从处理室清除SnO2残留物的方法以作为一实施方案。该方法实施方案包含将烃气和氢气以1％至60％的比率引入等离子体处理系统中。利用由等离子体源所产生的等离子体以从处理室的表面蚀刻该SnO2残留物。该SnH4气体与该烃气进行反应以生成可挥发的有机锡化合物。该方法还提供将该有机锡化合物从该处理室中排空。以1％至60％的比率将该烃气与该氢气一起引入使得SnH4气体分解成Sn粉末的速率降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107346745B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201710316752.2
申请日：2017-05-08
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 巴特·J·范施拉芬迪克 , 阿希尔·辛格哈尔 , 魏鸿吉 , 巴德里·N·瓦拉达拉简 , 凯文·M·麦克劳克林 , 凯西·霍尔德 , 阿南达·K·巴纳基
Abstract: 本发明提供了封装方法，具体提供了适于在低于约300℃的温度下沉积低氢含量的、密封的薄封装层的方法和装置。方法包括在将衬底暴露于沉积反应物时对等离子体施以脉冲，并且对沉积的封装膜后处理以使其致密化并降低氢含量。后处理方法包括在低于约300℃的衬底温度下周期性地暴露于没有反应物的惰性等离子体并暴露于紫外辐射。
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公开(公告)号：CN107393809A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710317048.9
申请日：2017-05-08
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿希尔·辛格哈尔 , 魏鸿吉 , 毛伊莎 , 巴特·J·范施拉芬迪克
Abstract: 本发明提供了使用PECVD沉积保形和低湿蚀刻速率的封装层的方法，具体提供了沉积具有低氢含量的保形、致密的含硅膜的方法。所述方法包括在将衬底暴露于含硅前体和反应物同时对等离子体施以脉冲，以促进主要基于自由基的脉冲等离子体增强化学气相沉积方法，以沉积保形含硅膜。所述方法还包括周期性地进行后处理操作，由此，对于使用脉冲等离子体PECVD沉积的每约20埃至50埃的膜，将沉积的膜暴露于惰性等离子体以致密化并降低沉积的膜中的氢含量。
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公开(公告)号：CN113924528B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202080036400.1
申请日：2020-05-15
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 安德鲁·梁 , 内德·沙玛 , 里奇·怀斯 , 阿希尔·辛格哈尔 , 阿尔潘·普拉文·毛洛瓦拉 , 格雷戈里·布拉楚特 , 达斯汀·扎卡里·奥斯丁
Abstract: 一种图案化衬底的方法包含提供衬底、以及在该衬底上沉积包含N个层的多层堆叠件。N为大于一的整数。该N个层分别包含用于二次电子的N个平均自由程。该方法包含在该多层堆叠件上沉积光致抗蚀剂层，其中该N个平均自由程会聚于该光致抗蚀剂层中。另一种图案化衬底的方法包含提供衬底以及在该衬底上沉积层。该层包含用于二次电子的不同平均自由程。该方法包含在该层上沉积一光致抗蚀剂层。用于二次电子的该不同平均自由程会聚于该光致抗蚀剂层中。
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公开(公告)号：CN111243931B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202010046740.4
申请日：2017-06-30
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿希尔·辛格哈尔 , 帕特里克·A·范克利蒙布特 , 马丁·E·弗里伯恩 , 巴特·J·范施拉芬迪克
IPC: H01J37/32 , C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/509
Abstract: 本发明提供了用于在间隙填充中沉积和蚀刻的装置和方法。提供了用于在集成工具中执行沉积和蚀刻工艺的装置和方法。装置可以包括等离子体处理室，其是电容耦合等离子体反应器，等离子体处理室可以包括：包括上电极的喷头和包括下电极的基座。该装置可以配置有RF硬件配置，使得RF发生器可以在沉积模式下为上电极供电，并在蚀刻模式下为下电极供电。在一些实施方案中，该装置可以包括一个或多个开关，使得在沉积模式下至少HFRF发生器电连接到喷头，并且在蚀刻模式下HFRF发生器和LFRF发生器电连接到基座并且喷头接地。
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公开(公告)号：CN115298796A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202080098814.7
申请日：2020-12-17
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿隆·加纳尼 , 达斯汀·扎卡里·奥斯丁 , 雷切尔·巴策尔 , 阿希尔·辛格哈尔
Abstract: 提供了用于在反应室的内表面上沉积保护层的处理方法和装置。一种方法可以包括：在具有内表面的反应室中不存在晶片时，将第一保护材料层沉积到所述内表面上，并且所述内表面包括第一材料；在沉积所述第一层之后，在反应室内处理批次晶片的一部分；测量在处理所述批次晶片的所述一部分期间所述反应室中的所述第一材料的量或在所述批次晶片的所述一部分中的一个晶片上的所述第一材料的量；确定所述第一量超过阈值；以及响应于确定所述第一量超过所述阈值并且当所述反应室中不存在晶片时，将所述第二保护材料层沉积到所述反应室的所述内表面上。
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