公开(公告)号：CN119833382A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411628307.6

申请日：2020-04-24

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 龙茂林 ,  王雨后 ,  亚历山大·米勒·帕特森

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种用于向衬底处理系统提供RF功率的直驱系统包括直驱外壳，该直驱外壳包括：第一直驱电路，其位于所述直驱外壳中并以第一频率运行；和第一连接器，其连接所述第一直驱电路。接线盒布置成与所述直驱外壳相邻，并且包括：第一电容电路，其连接所述第一直驱电路；第二连接器，其位于所述接线盒的一侧，与所述第一电容电路的一端子连接，并与所述直驱外壳的所述第一连接器配合；第三和第四连接器，其连接所述第一电容电路的另一端子；以及靠近所述接线盒布置的线圈外壳，其包括第一线圈和第二线圈；以及第五和第六连接器，其与所述接线盒的所述第三和第四连接器配合。

公开(公告)号：CN112585715B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201980054228.X

申请日：2019-08-08

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 王雨后 ,  龙茂林 ,  吴垠 ,  亚历山大·米勒·帕特森

IPC: H01J37/32 ,  H03H7/40 ,  H02M3/337

Abstract: 一种用于将RF功率提供至衬底处理系统的部件的驱动电路包含在第一频率下运行的等离子体源。负载包含所述衬底处理系统的所述部件。阻抗网络将所述等离子体源连接至所述负载。电流传感器感测在所述等离子体源的输出处的电流。电压传感器感测在所述等离子体源的所述输出处的电压。控制器包含调谐频率计算器，所述调谐频率计算器被设置成：基于所述电压、所述电流以及所述阻抗网络的配置来计算用于所述等离子体源的调谐频率；以及基于所述调谐频率来调节所述第一频率。

公开(公告)号：CN115715422A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202180043225.3

申请日：2021-06-10

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 龙茂林 ,  王雨后 ,  迈克尔·约翰·马丁 ,  亚历山大·米勒·帕特森

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种用于向衬底处理系统的部件提供RF功率的直接驱动电路包括直接驱动电路，其包括开关并被配置为向所述部件提供RF功率。开关保护模块被配置为：监控处理室中的负载电流和负载电压；基于所述负载电流和所述负载电压计算负载电阻；将所述负载电阻与第一预定负载电阻进行比较；以及基于所述比较来调整所述直接驱动电路的RF功率限制和RF电流限制中的至少一者。

公开(公告)号：CN103562437A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280020707.8

申请日：2012-04-24

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 约翰·德鲁厄里 ,  龙茂林 ,  亚历克斯·帕特森

IPC: C23F1/00

CPC classification number: H01J37/32651 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32633

Abstract: 本发明限定了具有带限定凹槽构造的内部法拉第屏蔽件的等离子体处理腔室。在一示例中，腔室包括用于接纳衬底和布置在静电卡盘上方的介电窗的静电卡盘。还包括布置在腔室内部且限定在静电卡盘和介电窗之间的法拉第屏蔽件。所述法拉第屏蔽件包括具有内区、邻近内区的中区、邻近中区的外区。进一步限定法拉第屏蔽件的为延伸贯通所有三个区的第一组径向槽(A)、仅延伸贯通仅仅外区的第二组径向槽(C)以及延伸贯通中区和外区的第三组径向槽(B)。第一、第二和第三径向槽以槽A、C、B和C的重复模式围绕法拉第屏蔽件沿径向布置。

公开(公告)号：CN102577631A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080043983.7

申请日：2010-10-19

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 龙茂林 ,  赛义德·贾法·雅法良-特哈妮 ,  亚瑟·萨托 ,  尼尔·马丁·保罗·本杰明 ,  诺曼·威廉姆斯

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H03H7/40

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32935

Abstract: 用于产生等离子体以处理至少晶片的等离子体处理系统。所述等离子体处理系统包括线圈，用以传导用于保持等离子体的至少一部分的电流。所述等离子体处理系统还包括与所述线圈耦合的传感器，用以测量所供应的电流的强度以提供强度测量结果，而无需测量所供应的电流的任何相位角。所述所供应的电流是所述电流或用于提供多个电流(例如，包括所述电流)的总电流。所述等离子体处理系统还包括与所述传感器耦合的控制器，用以利用所述强度测量结果和/或用所述强度测量结果得出的信息而无需利用与相位角测量有关的信息来产生命令，并且用以提供所述命令以控制所述所供应的电流的强度和/或所述总电流的强度。

公开(公告)号：CN114041201B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202080046995.9

申请日：2020-04-24

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 吴垠 ,  龙茂林 ,  约翰·德鲁厄里 ,  维克拉姆·辛格

IPC: H01J37/32

Abstract: 描述了多级脉冲的系统和方法。所述系统和方法包含产生四或更多个状态。在所述四或更多个状态中的每一者期间，射频(RF)产生器产生RF信号。所述RF信号具有四或更多个功率电平，且所述四或更多个功率电平的每一者对应于所述四或更多个状态。所述多级脉冲促进处理衬底方面的更精细的控制。

公开(公告)号：CN111434039B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN201880078948.5

申请日：2018-11-28

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 龙茂林 ,  王雨后 ,  吴垠 ,  亚历克斯·帕特森

IPC: H03K3/57 ,  H01J37/32 ,  H03K5/02

Abstract: 描述了一种用于产生射频(RF)波形的系统和方法。该方法包括定义由不具有开关脉冲的关状态分开的连串的开关脉冲。该方法进一步包括施加多电平脉冲波形，该多电平脉冲波形调整每个开关脉冲的幅值以产生RF波形。该方法包括将RF波形发送到电极。

公开(公告)号：CN114041201A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202080046995.9

申请日：2020-04-24

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 吴垠 ,  龙茂林 ,  约翰·德鲁厄里 ,  维克拉姆·辛格

IPC: H01J37/32

Abstract: 描述了多级脉冲的系统和方法。所述系统和方法包含产生四或更多个状态。在所述四或更多个状态中的每一者期间，射频(RF)产生器产生RF信号。所述RF信号具有四或更多个功率电平，且所述四或更多个功率电平的每一者对应于所述四或更多个状态。所述多级脉冲促进处理衬底方面的更精细的控制。

公开(公告)号：CN106960776B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201710006522.6

申请日：2017-01-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 龙茂林 ,  亚历克斯·帕特森

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明涉及用于蚀刻室的快速阻抗切换的变压器耦合电容性调谐电路。用于感应耦合等离子体(ICP)室的变压器耦合电容性调谐(TCCT)电路包括包含第一开关电容器电路和第一电感器的匹配电路。第一开关电容器电路包括第一端子、第二端子、连接到第一端子和第二端子中的至少一个的第一电容器、连接到第一端子和第二端子中的至少一个的第二电容器、以及第一开关，该第一开关与所述第一电容器和所述第二电容器中的至少一个通信，以改变所述第一端子和所述第二端子之间的电容值。功率分配器与ICP室的匹配电路以及感应线圈通信。

公开(公告)号：CN103918064B

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201280029581.0

申请日：2012-05-25

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 龙茂林 ,  亚历克斯·帕特森 ,  理查德·马什 ,  吴英

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32651 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32697 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明公开了用于操作腔室的等离子体处理器腔室和方法。示例性的腔室包括用于接收衬底的静电夹盘以及与腔室的顶部连接的电介质窗。电介质窗的内侧面向位于静电夹盘的上方的等离子体处理区域，电介质窗的外侧位于等离子体处理区域的外部。内侧和外侧线圈被设置在电介质窗的外侧，并且内侧和外侧线圈与第一RF功率源相连。充电格栅被设置在电介质窗的外侧以及内侧和外侧线圈之间。充电格栅与第二RF功率源相连，该第二功率源独立于第一RF功率源。