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公开(公告)号：CN110060914B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201910120027.7
申请日：2015-02-16
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及衬底处理系统和用于衬底处理系统的气体充气室装置。所述气体充气室装置包括：气体充气室主体，其具有内开口和外边缘，其中：所述气体充气室主体布置成在线圈和处理室之间限定气体充气室，并且所述线圈布置在所述气体充气室主体的所述外边缘的周围和外部；以及多个通量衰减部分，其中：所述多个通量衰减部分布置在所述气体充气室主体的所述外边缘的外部，并且所述通量衰减部分(i)与所述气体充气室主体的所述外边缘外部的所述线圈的一些部分重叠；(ii)不与所述气体充气室主体的所述外边缘外部的所述线圈的其它部分重叠。所述衬底处理系统包括所述气体充气室装置。
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公开(公告)号：CN111886671A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201980020863.6
申请日：2019-03-15
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 描述了用于射频(RF)信号的参数的多电平脉冲化和频率的多电平脉冲化的系统和方法。RF信号通过匹配器被施加到衬底支撑件。参数从低电平脉冲化到高电平，同时频率从低电平脉冲化到高电平。另外，将直流(DC)参数施加到衬底支撑件或将另一RF信号施加到上电极。施加到衬底支撑件的RF信号的参数和频率与施加到上电极的DC参数或RF信号同时脉冲化，以提高晶片的处理速度，增大掩模的选择性并减小等离子体室内的离子的角展度。
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公开(公告)号：CN110998805A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880050870.6
申请日：2018-07-17
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67 , H05H1/46 , C23C16/02
Abstract: 一种用于蚀刻衬底的方法，其包括使用等离子体蚀刻工艺在等离子体室中对衬底材料进行第一蚀刻。第一蚀刻使特征在材料中形成至第一深度。在第一蚀刻之后，该方法包括在没有从室中去除衬底的情况下，在等离子体室中执行原子层钝化(ALP)工艺，以在掩模和第一蚀刻期间形成的特征上沉积共形的钝化膜。ALP工艺使用来自液态前体的蒸气以在特征和掩模上形成钝化层。该方法还包括使用等离子体蚀刻工艺在等离子体室中对材料进行第二蚀刻。共形的钝化膜被配置为在第二蚀刻期间保护掩模和特征的侧壁。还描述了等离子体处理系统。
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公开(公告)号：CN110828337A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910911341.7
申请日：2016-03-31
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/67 , G05B19/418
Abstract: 本发明涉及在原位从半导体处理模块移除和更换消耗部件的系统。群集工具组件包括真空传送模块，具有连接到真空传送模块的第一侧的处理模块。隔离阀具有第一侧和第二侧，隔离阀的第一侧耦接到处理模块的第二侧。更换站耦接到隔离阀的第二侧。更换站包括更换操作器和部件缓冲区。部件缓冲区包括用于容纳新的或使用过的消耗部件的多个隔室。处理模块包括升降机构，以使安装在处理模块中的消耗部件放置到升高位置。升高位置使更换操作器能访问，以使消耗部件能从处理模块移除并存储在部件缓冲区的隔室。更换操作器被配置为使消耗部件的更换件从部件缓冲区回到处理模块。在处理模块和更换站被保持在真空状态下时，由更换操作器和处理模块进行更换。
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公开(公告)号：CN107526864A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710475240.0
申请日：2017-06-21
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼 , 理查德·怀斯 , 哈梅特·辛格 , 亚历克斯·帕特森 , 安德鲁·D·贝利三世 , 瓦希德·瓦赫迪 , 理查德·A·戈奇奥
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G03F1/36 , G03F1/70 , G03F1/80 , G06F17/5081 , G06F17/5072 , G06F2217/64
Abstract: 本发明涉及经边缘放置误差预测的光致抗蚀剂设计布局图案邻近校正。公开了为待在蚀刻操作中使用的光致抗蚀剂产生邻近校正设计布局的方法。所述方法可以包括识别初始设计布局中的特征，以及估计在蚀刻工艺期间在所述特征内的特征内等离子体通量(IFPF)的一个或多个数量特性。所述方法还可以包括通过将所述IFPF的所述一个或多个估计的数量特性与查找表(LUT，和/或通过用所述LUT训练的多变量模型的应用，例如通过机器学习方法(MLM)构建的)中的那些进行比较来估计所述特征的边缘放置误差(EPE)的数量特性，所述LUT将所述EPE的数量特性的值与所述IFPF的所述一个或多个数量特性的值相关联。此后，根据EPE的所确定的数量特性修正所述初始设计布局。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104282521B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201410323125.8
申请日：2014-07-08
Applicant: 朗姆研究公司
CPC classification number: H01L21/67213 , H01J37/32 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01J37/32623 , H01J2237/327 , H01J2237/3341 , H01L21/02057 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L21/67069 , H01L43/12
Abstract: 本发明涉及离子束蚀刻系统，具体而言，公开的实施例涉及用于从衬底去除材料的方法和装置。在各种实施方案中，从半导体衬底上的诸如沟槽、孔或柱等先前的蚀刻特征的侧壁上去除导电材料。在实施本文中的技术时，衬底设置在反应腔室中，反应腔室被成波纹状的离子提取板分隔成上方等离子体产生腔室和下方处理腔室，孔隙贯通所述离子提取板。提取板呈波纹状，使得等离子体鞘遵循提取板的形状，使得离子以相对于衬底成角度地进入下方处理腔室。如此，在处理期间，离子能够穿透进入先前蚀刻的特征并且在这些特征的侧壁上撞击衬底。通过该机制，可以去除特征的侧壁上的材料。
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公开(公告)号：CN104103478B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410138510.5
申请日：2014-04-08
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/305 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32633 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136
Abstract: 本文所公开的实施方式涉及用于半导体制造的内部等离子体格栅，具体涉及蚀刻半导体衬底的改进的方法和装置。等离子体格栅被定位在反应室中以将所述室分成上部和下部子室。等离子体格栅可以具有特定的高宽比的槽，从而允许某些物质从上部子室通到下部子室。在某些情况下，在上部子室中产生电子‑离子等离子体。通过格栅到下部子室的电子当它们通过时被冷却。在某些情况下，这导致在下部子室中的离子‑离子等离子体。下部子室的等离子体与上部子室中的等离子体相比具有较低的电子密度，较低的电子有效温度和较高的负离子：正离子比率。该公开的实施方式可能会导致具有良好的中心到边缘的均匀性、选择性、轮廓角和Iso/密加载的蚀刻工艺。
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公开(公告)号：CN104220636A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201380018698.3
申请日：2013-03-22
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 西奥多罗斯·帕纳戈普路斯 , 约翰·霍兰 , 亚历克斯·帕特森
IPC: C23C16/455
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/3211
Abstract: 公开了用于控制具有至少一个电感耦合等离子体(ICP)处理室的等离子体处理系统中的等离子体的方法和装置。ICP室中至少使用第一/中心射频线圈、相对于第一/中心射频线圈同心地设置的第二/边缘射频线圈、和至少具有第三/中部射频线圈的射频线圈组，第三/中部射频线圈相对于第一/中心射频线圈和第二/边缘射频线圈以使第三/中部射频线圈被设置在第一/中心射频线圈与第二/边缘射频线圈之间的方式同心地设置。在处理期间，在相同方向上将射频电流提供给第一/中心射频线圈和第二/边缘射频线圈，同时在相反方向上(相对于提供给第一/中心射频线圈和第二/边缘射频线圈的电流的方向)将射频电流提供给第三/中部射频线圈。
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公开(公告)号：CN104103510A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410138060.X
申请日：2014-04-08
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 亚历克斯·帕特森 , 金都永 , 高里·卡马尔斯 , 埃莱娜·德尔普波 , 尤仁刊 , 莫妮卡·泰特斯 , 拉迪卡·马尼 , 诺埃尔·尤伊·苏恩 , 尼古拉斯·加尼 , 木村吉江 , 钟廷英
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/0273 , H01J37/321 , H01J37/32422 , H01L21/28123 , H01L21/3065 , H01L21/31138 , H01L21/32137 , H01L21/76224 , H01L29/66795
Abstract: 本文所公开的实施方式涉及用于半导体制造的内部等离子体格栅，具体涉及蚀刻半导体衬底的改进的方法和装置。等离子体格栅组件被定位在反应室中以将所述室分成上部和下部子室。等离子体格栅组件可以包括具有特定的深宽比的槽的一个或多个等离子体格栅，从而允许某些物质从上部子室通到下部子室。在某些情况下，在上部子室中产生电子-离子等离子体。通过格栅到下部子室的电子当它们通过时被冷却。在某些情况下，这导致在下部子室中的离子-离子等离子体。离子-离子等离子体可有利地用于各种蚀刻工艺中。
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公开(公告)号：CN104103477A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410138310.X
申请日：2014-04-08
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/305 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32633 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136
Abstract: 本文所公开的实施方式涉及用于半导体制造的内部等离子体格栅，具体涉及蚀刻半导体衬底的改进的方法和装置。等离子体格栅组件被定位在反应室中以将所述室分成上部和下部子室。等离子体格栅组件可以包括具有特定的高宽比的槽的一个或多个等离子体格栅，从而允许某些物质从上部子室通到下部子室。在使用多个等离子体格栅的情况下，一个或多个格栅可以是可移动的，允许至少在所述下部子室维持等离子体条件的延续性。在某些情况下，在上部子室中产生电子-离子等离子体。通过格栅到下部子室的电子当它们通过时受到冷却。在某些情况下，这导致在下部子室中的离子-离子等离子体。
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