在衬底处理系统中用于无匹配式等离子体源的直接频率调谐

    公开(公告)号:CN112585715A

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN201980054228.X

    申请日:2019-08-08

    Abstract: 一种用于将RF功率提供至衬底处理系统的部件的驱动电路包含在第一频率下运行的等离子体源。负载包含所述衬底处理系统的所述部件。阻抗网络将所述等离子体源连接至所述负载。电流传感器感测在所述等离子体源的输出处的电流。电压传感器感测在所述等离子体源的所述输出处的电压。控制器包含调谐频率计算器,所述调谐频率计算器被设置成:基于所述电压、所述电流以及所述阻抗网络的配置来计算用于所述等离子体源的调谐频率;以及基于所述调谐频率来调节所述第一频率。

    射频匹配网络中用于频率调谐辅助双电平脉冲的辅助电路

    公开(公告)号:CN110945622A

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201880037634.0

    申请日:2018-04-03

    Abstract: 一种射频(RF)匹配电路控制系统包括:包括多个可调谐部件的RF匹配电路。所述RF匹配电路被配置为从RF发生器接收输入信号,所述输入信号包括至少两种脉冲电平;根据所述输入信号向负载提供输出信号;以及使与所述输入信号相关联的阻抗与所述负载的阻抗匹配。控制器被配置为针对所述输入信号的所述至少两种脉冲电平确定所述负载的相应的阻抗;并且调节所述多个可调谐部件的操作参数,以针对所述至少两种脉冲电平使所述RF匹配电路的频率调谐范围与所述负载的所述相应的阻抗对准,从而使与所述输入信号相关联的所述阻抗与所述相应的阻抗匹配。

    利用非正弦电压源的在衬底边缘上方的离子能量分布控制

    公开(公告)号:CN119213527A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202380041223.X

    申请日:2023-05-16

    Abstract: 偏压供应系统包括设置在衬底支撑表面下方的主偏压电极。主偏压电极系控制位于衬底支撑表面上的衬底的顶表面上的电压。偏压供应系统包括设置在围绕衬底支撑表面的边缘环内的边缘环电极。边缘环电极控制在边缘环的顶表面上的电压。偏压供应系统包括电压供应系统,其在偏压供应节点上产生作为时间的函数的指定的电压波形。第一分支电路电连接偏压供应节点与主偏压电极。第二分支电路电连接偏压供应节点与边缘环电极。第二分支电路包括串联电容器和并联电容器。

    线圈与直接驱动式射频功率供应源的对称耦合

    公开(公告)号:CN117957632A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202280062934.0

    申请日:2022-09-14

    Abstract: 线圈被设置在等离子体处理室旁。第一直接驱动式射频(RF)功率供应源具有输出端,经由输出端传输第一成形放大方波信号。第一电抗电路连接在第一直接驱动式RF功率供应源的输出端和线圈的第一端之间。第一电抗电路将第一成形放大方波信号转换为第一成形正弦信号,并传输至线圈的第一端。第二直接驱动式RF功率供应源具有输出端,经由输出端传输第二成形放大方波信号。第二电抗电路连接在第二直接驱动RF功率供应源的输出端和线圈的第二端之间。第二电抗电路将第二成形放大方波信号转换为第二成形正弦信号,并传输至线圈的第二端。

    双频直驱电感耦合等离子体源

    公开(公告)号:CN114041204A

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN202080048328.4

    申请日:2020-04-24

    Abstract: 一种用于向衬底处理系统提供RF功率的直驱系统包括直驱外壳,该直驱外壳包括:第一直驱电路,其位于所述直驱外壳中并以第一频率运行;和第一连接器,其连接所述第一直驱电路。接线盒布置成与所述直驱外壳相邻,并且包括:第一电容电路,其连接所述第一直驱电路;第二连接器,其位于所述接线盒的一侧,与所述第一电容电路的一端子连接,并与所述直驱外壳的所述第一连接器配合;第三和第四连接器,其连接所述第一电容电路的另一端子;以及靠近所述接线盒布置的线圈外壳,其包括第一线圈和第二线圈;以及第五和第六连接器,其与所述接线盒的所述第三和第四连接器配合。

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