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公开(公告)号：CN114318227A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111643180.1
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种花瓣纳米片周期性阵列制备方法，通过将胶体球模板、物理沉积技术以及光照催化相结合，从而能够更加容易的设计，片状、线状、多层以及具有更大比表面积和更小尺度缝隙的图纹化基底，有望显著提高表面增强拉曼散射信号强度和基底的催化效率，得到的花瓣纳米片周期性阵列具有均匀性好、有序度高、可重复性强的特点，具有强的局域表面等离激元和大的表面积优异性能。
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公开(公告)号：CN113652689A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110888856.7
申请日：2021-08-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C28/00 , C23C14/20 , C23C14/34 , C23C18/08 , C23C18/14 , B82Y40/00 , G01N21/65 , G11C11/02 , G11C11/42
Abstract: 本发明提供了一种曲面蜂巢阵列的构筑方法及其曲面蜂巢阵列的应用，包括两种不同曲面蜂巢结构的演化以及在不同领域的可行应用，所述用于光控调节生长的溶液选自硝酸银溶液、氢氧化四氨合铂溶液和氯金酸溶液中的一种。本发明在现有技术的基础上进一步演化了结构，进一步扩大了结构的可操作性，同时本发明中的有序纳米结构活性基底的制备周期不长、成本较低、试验条件要求相对简单，因而具有均匀性好、有序度高、可重复性强、构筑步骤简单、制备周期较短以及成本较低的优点并进一步扩大了纳米有序结构的可操作空间和此基底的可应用空间。
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公开(公告)号：CN113249698B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110443340.1
申请日：2021-04-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/10 , C23C14/08 , C23C14/58 , G01N21/65 , C23C14/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及纳米复合材料技术领域，尤其涉及一种多层纳米帽‑星耦合周期性阵列及其制备方法，包括贵金属‑氧化物双层基底以及生长在其表面的纳米贵金属周期阵列，所述贵金属选自Au、Ag、Pd和Pt中的一种。本发明的多层纳米帽‑星耦合周期性阵列具有均匀性好、有序度高、可重复性强的特点，具有传导表面等离激元和改变局域能量场的优异性能；纳米图纹阵列构筑步骤简单、制备周期较短；在制备过程中无需昂贵的试剂因而制备成本较低；双层结构的制备为后续纳米结构拓宽了可操作的空间。
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公开(公告)号：CN113249698A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110443340.1
申请日：2021-04-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/10 , C23C14/08 , C23C14/58 , G01N21/65 , C23C14/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及纳米复合材料技术领域，尤其涉及一种多层纳米帽‑星耦合周期性阵列及其制备方法，包括贵金属‑氧化物双层基底以及生长在其表面的纳米贵金属周期阵列，所述贵金属选自Au、Ag、Pd和Pt中的一种。本发明的多层纳米帽‑星耦合周期性阵列具有均匀性好、有序度高、可重复性强的特点，具有传导表面等离激元和改变局域能量场的优异性能；纳米图纹阵列构筑步骤简单、制备周期较短；在制备过程中无需昂贵的试剂因而制备成本较低；双层结构的制备为后续纳米结构拓宽了可操作的空间。
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公开(公告)号：CN114318227B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202111643180.1
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种花瓣纳米片周期性阵列制备方法，通过将胶体球模板、物理沉积技术以及光照催化相结合，从而能够更加容易的设计，片状、线状、多层以及具有更大比表面积和更小尺度缝隙的图纹化基底，有望显著提高表面增强拉曼散射信号强度和基底的催化效率，得到的花瓣纳米片周期性阵列具有均匀性好、有序度高、可重复性强的特点，具有强的局域表面等离激元和大的表面积优异性能。
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